PD- 91363E
IRLR024N
IRLU024N
HEXFET
功率MOSFET
l
l
l
l
l
l
逻辑电平栅极驱动
表面贴装（ IRLR024N ）
直铅（ IRLU024N ）
先进的工艺技术
快速开关
全额定雪崩
D
V
DSS
= 55V
G
S
R
DS （ ON）
= 0.065
I
D
= 17A
描述
第五代HEXFET
国际整流器功率MOSFET
利用先进的加工技术，以实现尽可能低的导通
每硅片面积的阻力。这样做的好处，结合快速开关
速度和坚固耐用的设备的设计， HEXFET功率MOSFET是很好
众所周知，为设计者提供了在一个非常有效的装置使用
各种各样的应用程序。
对D- PAK被设计用于使用气相，红外表面安装，或
波峰焊技术。直引线型（ IRFU系列）是
通孔安装的应用程序。功率耗散水平高达1.5瓦特
是可能的典型的表面安装的应用程序。
D- PAK
I- PAK
IRLR024N IRLU024N
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量？
雪崩电流？
重复性雪崩能量？
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
马克斯。
17
12
72
45
0.3
± 16
68
11
4.5
5.0
-55 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
R
θJA
结到外壳
外壳到环境（印刷电路板安装） **
结到环境
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
3.3
50
110
单位
° C / W
**当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。
对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994
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1
2/10/00
IRLR/U024N
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
55
––– –––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- --- 0.061 V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安
––– ––– 0.065
V
GS
= 10V ，我
D
= 10A
––– ––– 0.080
V
GS
= 5.0V ，我
D
= 10A
––– ––– 0.110
V
GS
= 4.0V ，我
D
= 9.0A
1.0
––– 2.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
8.3
––– –––
S
V
DS
= 25V ，我
D
= 11A
––– ––– 25
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V
A
––– ––– 250
V
DS
= 44V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
––– ––– 100
V
GS
= 16V
nA
––– ––– -100
V
GS
= -16V
––– ––– 15
I
D
= 11A
––– ––– 3.7
NC V
DS
= 44V
––– ––– 8.5
V
GS
= 5.0V ，见图。 6和13
–––
7.1 –––
V
DD
= 28V
–––
74 –––
I
D
= 11A
ns
–––
20 –––
R
G
= 12, V
GS
= 5.0V
–––
29 –––
R
D
= 2.4Ω ，参照图10
铅之间，
–––
4.5
–––
nH
6毫米（0.25英寸）。
G
从包
––– 7.5 –––
而中心的模具接触
––– 480 –––
V
GS
= 0V
––– 130 –––
pF
V
DS
= 25V
–––
61 –––
= 1.0MHz的，见图。 5 ？
D
S
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
––– ––– 17
展示
A
G
整体反转
––– –––
72
S
p-n结二极管。
––– ––– 1.3
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 11A ，V
GS
= 0V
––– 60
90
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= 11A
––– 130 200
nC
的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图11）
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
这个被施加用于I -PAK ，L-
S
的D- PAK时之间测量
铅和模具呼叫中心
V
DD
= 25V ，起始物为
J
= 25℃时，L = 790μH
R
G
= 25, I
AS
= 11A 。 （参见图12）
I
SD
≤
如图11A所示， di / dt的
≤
290A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
175°C
使用IRLZ24N数据和试验条件。
2
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IRLR/U024N
100
VGS
15V
12V
10V
8.0V
6.0V
4.0V
3.0V
BOTTOM 2.5V
顶部
100
10
I
D
，D雨来-S环境允许光凭目前 （A ）
I
D
，D RA在-to -S OU RCE ú rrent （A ）
VGS
15V
12V
10V
8.0V
6.0V
4.0V
3.0V
BOTTOM 2.5V
顶部
10
2 .5V
1
1
2.5 V
20μ S·P ü L南东西ID牛逼
T
J
= 2 5°C
0.1
1
10
0.1
A
0.1
0.1
1
2 0μ S·P ü LS东西ID牛逼
T
J
= 1 75 °C
10
100
A
100
V
S
，D雨来-S环境允许的V oltage （ V）
V
S
，D雨来-S环境允许的V oltage （ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
100
3.0
T
J
= 2 5 °C
R
S（上）
，D雨-to -S OU RC ê n个R ES是棕褐色权证
（N ORM A利兹版）
I
D
=
17
A
18
A
I
D
，D大雨到那么urce urren T（A ）
2.5
T
J
= 1 7 5 °C
10
2.0
1.5
1
1.0
0.5
0.1
2
3
4
5
6
V
DS
= 1 5V
2 0μ S·P ü L南东西TH ID
7
8
9
10
A
0.0
-60
-40 -20
0
20
40
60
80
V
的s
= 1 0V
100 120 140 160 180
A
V
的s
，G吃了对-SO urce Voltag E（ V）
T
J
，J UNC化牛逼EM perature （ ° C）
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
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3
IRLR/U024N
800
V
的s
，G吃了对-S环境允许的V oltage （ V）
C，电容（pF ）
600
C
国际空间站
V
GS
C
为s
C
RS s
C
SS
=
=
=
=
0V ,
F = 1M ^ h
C
的s
+ C
克
, C
S
中文 T E
C
gd
C
S
+ C
gd
15
I
D
= 11 A
V
S
= 4 4V
V
S
= 2 8V
12
9
400
C
OSS
6
200
C
RSS
3
0
1
10
100
A
0
0
4
8
FO 释T C IRC UIT
性S E ê图ú 1 3
12
16
20
A
V
S
，D雨来-S ourc é V oltage （ V）
Q
G
，T otal摹吃哈耶（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100
1000
I
S.D。
，R EV商E D雨 urre NT （A ）
P·E·R AT ION IN TH为AR E A LIM ITE
B Y形
S（上）
I
D
，D雨光凭目前 （A ）
T
J
= 1 75 °C
T
J
= 25°C
10
100
1 0 s
10
1 00 s
1
0.4
0.8
1.2
1.6
V
的s
= 0V
A
1
1
T
C
= 25°C
T
J
= 175°C
S英格尔P ulse
10
1米s
1 0米s
A
100
2.0
V
S.D。
，S环境允许的模 - 数雨V oltage （Ⅴ）
V
S
，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
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IRLR/U024N
20
V
DS
V
GS
R
D
D.U.T.
+
I
D
，漏电流（ A）
15
R
G
-
V
DD
5V
10
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
图10A 。
开关时间测试电路
5
V
DS
90%
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度（ ° C）
10%
V
GS
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图10B 。
开关时间波形
10
千卡人反应的影响（Z
THJ
)
D = 0 .5 0
1
0 .2 0
0 .1 0
0 .0 5
0 .0 2
0 .0 1
0.1
P
D M
S IN摹L E P ü L性S E
（T ^ h é R M一L R （E S） P 2 O北南E）
OTE S：
1 。 ü TY FAC器D =吨
t
1
t2
1
/ t
2
0.01
0.00001
2. P·E A K牛逼
J
= P
D M
X Z
日JC
+ T C
A
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
，R ê CTAN克乌拉; R P ulse ü比n （秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
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PD- 91363E
IRLR024N
IRLU024N
HEXFET
功率MOSFET
l
l
l
l
l
l
逻辑电平栅极驱动
表面贴装（ IRLR024N ）
直铅（ IRLU024N ）
先进的工艺技术
快速开关
全额定雪崩
D
V
DSS
= 55V
G
S
R
DS （ ON）
= 0.065
I
D
= 17A
描述
第五代HEXFET
国际整流器功率MOSFET
利用先进的加工技术，以实现尽可能低的导通
每硅片面积的阻力。这样做的好处，结合快速开关
速度和坚固耐用的设备的设计， HEXFET功率MOSFET是很好
众所周知，为设计者提供了在一个非常有效的装置使用
各种各样的应用程序。
对D- PAK被设计用于使用气相，红外表面安装，或
波峰焊技术。直引线型（ IRFU系列）是
通孔安装的应用程序。功率耗散水平高达1.5瓦特
是可能的典型的表面安装的应用程序。
D- PAK
I- PAK
IRLR024N IRLU024N
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量？
雪崩电流？
重复性雪崩能量？
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
马克斯。
17
12
72
45
0.3
± 16
68
11
4.5
5.0
-55 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
R
θJA
结到外壳
外壳到环境（印刷电路板安装） **
结到环境
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
3.3
50
110
单位
° C / W
**当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。
对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994
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1
2/10/00
IRLR/U024N
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
55
––– –––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- --- 0.061 V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安
––– ––– 0.065
V
GS
= 10V ，我
D
= 10A
––– ––– 0.080
V
GS
= 5.0V ，我
D
= 10A
––– ––– 0.110
V
GS
= 4.0V ，我
D
= 9.0A
1.0
––– 2.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
8.3
––– –––
S
V
DS
= 25V ，我
D
= 11A
––– ––– 25
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V
A
––– ––– 250
V
DS
= 44V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
––– ––– 100
V
GS
= 16V
nA
––– ––– -100
V
GS
= -16V
––– ––– 15
I
D
= 11A
––– ––– 3.7
NC V
DS
= 44V
––– ––– 8.5
V
GS
= 5.0V ，见图。 6和13
–––
7.1 –––
V
DD
= 28V
–––
74 –––
I
D
= 11A
ns
–––
20 –––
R
G
= 12, V
GS
= 5.0V
–––
29 –––
R
D
= 2.4Ω ，参照图10
铅之间，
–––
4.5
–––
nH
6毫米（0.25英寸）。
G
从包
––– 7.5 –––
而中心的模具接触
––– 480 –––
V
GS
= 0V
––– 130 –––
pF
V
DS
= 25V
–––
61 –––
= 1.0MHz的，见图。 5 ？
D
S
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
––– ––– 17
展示
A
G
整体反转
––– –––
72
S
p-n结二极管。
––– ––– 1.3
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 11A ，V
GS
= 0V
––– 60
90
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= 11A
––– 130 200
nC
的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图11）
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
这个被施加用于I -PAK ，L-
S
的D- PAK时之间测量
铅和模具呼叫中心
V
DD
= 25V ，起始物为
J
= 25℃时，L = 790μH
R
G
= 25, I
AS
= 11A 。 （参见图12）
I
SD
≤
如图11A所示， di / dt的
≤
290A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
175°C
使用IRLZ24N数据和试验条件。
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IRLR/U024N
100
VGS
15V
12V
10V
8.0V
6.0V
4.0V
3.0V
BOTTOM 2.5V
顶部
100
10
I
D
，D雨来-S环境允许光凭目前 （A ）
I
D
，D RA在-to -S OU RCE ú rrent （A ）
VGS
15V
12V
10V
8.0V
6.0V
4.0V
3.0V
BOTTOM 2.5V
顶部
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2 .5V
1
1
2.5 V
20μ S·P ü L南东西ID牛逼
T
J
= 2 5°C
0.1
1
10
0.1
A
0.1
0.1
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2 0μ S·P ü LS东西ID牛逼
T
J
= 1 75 °C
10
100
A
100
V
S
，D雨来-S环境允许的V oltage （ V）
V
S
，D雨来-S环境允许的V oltage （ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
100
3.0
T
J
= 2 5 °C
R
S（上）
，D雨-to -S OU RC ê n个R ES是棕褐色权证
（N ORM A利兹版）
I
D
=
17
A
18
A
I
D
，D大雨到那么urce urren T（A ）
2.5
T
J
= 1 7 5 °C
10
2.0
1.5
1
1.0
0.5
0.1
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V
DS
= 1 5V
2 0μ S·P ü L南东西TH ID
7
8
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10
A
0.0
-60
-40 -20
0
20
40
60
80
V
的s
= 1 0V
100 120 140 160 180
A
V
的s
，G吃了对-SO urce Voltag E（ V）
T
J
，J UNC化牛逼EM perature （ ° C）
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
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IRLR/U024N
800
V
的s
，G吃了对-S环境允许的V oltage （ V）
C，电容（pF ）
600
C
国际空间站
V
GS
C
为s
C
RS s
C
SS
=
=
=
=
0V ,
F = 1M ^ h
C
的s
+ C
克
, C
S
中文 T E
C
gd
C
S
+ C
gd
15
I
D
= 11 A
V
S
= 4 4V
V
S
= 2 8V
12
9
400
C
OSS
6
200
C
RSS
3
0
1
10
100
A
0
0
4
8
FO 释T C IRC UIT
性S E ê图ú 1 3
12
16
20
A
V
S
，D雨来-S ourc é V oltage （ V）
Q
G
，T otal摹吃哈耶（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100
1000
I
S.D。
，R EV商E D雨 urre NT （A ）
P·E·R AT ION IN TH为AR E A LIM ITE
B Y形
S（上）
I
D
，D雨光凭目前 （A ）
T
J
= 1 75 °C
T
J
= 25°C
10
100
1 0 s
10
1 00 s
1
0.4
0.8
1.2
1.6
V
的s
= 0V
A
1
1
T
C
= 25°C
T
J
= 175°C
S英格尔P ulse
10
1米s
1 0米s
A
100
2.0
V
S.D。
，S环境允许的模 - 数雨V oltage （Ⅴ）
V
S
，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
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IRLR/U024N
20
V
DS
V
GS
R
D
D.U.T.
+
I
D
，漏电流（ A）
15
R
G
-
V
DD
5V
10
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
图10A 。
开关时间测试电路
5
V
DS
90%
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度（ ° C）
10%
V
GS
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图10B 。
开关时间波形
10
千卡人反应的影响（Z
THJ
)
D = 0 .5 0
1
0 .2 0
0 .1 0
0 .0 5
0 .0 2
0 .0 1
0.1
P
D M
S IN摹L E P ü L性S E
（T ^ h é R M一L R （E S） P 2 O北南E）
OTE S：
1 。 ü TY FAC器D =吨
t
1
t2
1
/ t
2
0.01
0.00001
2. P·E A K牛逼
J
= P
D M
X Z
日JC
+ T C
A
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
，R ê CTAN克乌拉; R P ulse ü比n （秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
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5
PD- 91363E
IRLR024N
IRLU024N
HEXFET
功率MOSFET
l
l
l
l
l
l
逻辑电平栅极驱动
表面贴装（ IRLR024N ）
直铅（ IRLU024N ）
先进的工艺技术
快速开关
全额定雪崩
D
V
DSS
= 55V
G
S
R
DS （ ON）
= 0.065
I
D
= 17A
描述
第五代HEXFET
国际整流器功率MOSFET
利用先进的加工技术，以实现尽可能低的导通
每硅片面积的阻力。这样做的好处，结合快速开关
速度和坚固耐用的设备的设计， HEXFET功率MOSFET是很好
众所周知，为设计者提供了在一个非常有效的装置使用
各种各样的应用程序。
对D- PAK被设计用于使用气相，红外表面安装，或
波峰焊技术。直引线型（ IRFU系列）是
通孔安装的应用程序。功率耗散水平高达1.5瓦特
是可能的典型的表面安装的应用程序。
D- PAK
I- PAK
IRLR024N IRLU024N
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量？
雪崩电流？
重复性雪崩能量？
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
马克斯。
17
12
72
45
0.3
± 16
68
11
4.5
5.0
-55 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
R
θJA
结到外壳
外壳到环境（印刷电路板安装） **
结到环境
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
3.3
50
110
单位
° C / W
**当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。
对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994
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1
2/10/00
IRLR/U024N
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
55
––– –––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- --- 0.061 V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安
––– ––– 0.065
V
GS
= 10V ，我
D
= 10A
––– ––– 0.080
V
GS
= 5.0V ，我
D
= 10A
––– ––– 0.110
V
GS
= 4.0V ，我
D
= 9.0A
1.0
––– 2.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
8.3
––– –––
S
V
DS
= 25V ，我
D
= 11A
––– ––– 25
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V
A
––– ––– 250
V
DS
= 44V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
––– ––– 100
V
GS
= 16V
nA
––– ––– -100
V
GS
= -16V
––– ––– 15
I
D
= 11A
––– ––– 3.7
NC V
DS
= 44V
––– ––– 8.5
V
GS
= 5.0V ，见图。 6和13
–––
7.1 –––
V
DD
= 28V
–––
74 –––
I
D
= 11A
ns
–––
20 –––
R
G
= 12, V
GS
= 5.0V
–––
29 –––
R
D
= 2.4Ω ，参照图10
铅之间，
–––
4.5
–––
nH
6毫米（0.25英寸）。
G
从包
––– 7.5 –––
而中心的模具接触
––– 480 –––
V
GS
= 0V
––– 130 –––
pF
V
DS
= 25V
–––
61 –––
= 1.0MHz的，见图。 5 ？
D
S
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
––– ––– 17
展示
A
G
整体反转
––– –––
72
S
p-n结二极管。
––– ––– 1.3
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 11A ，V
GS
= 0V
––– 60
90
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= 11A
––– 130 200
nC
的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图11）
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
这个被施加用于I -PAK ，L-
S
的D- PAK时之间测量
铅和模具呼叫中心
V
DD
= 25V ，起始物为
J
= 25℃时，L = 790μH
R
G
= 25, I
AS
= 11A 。 （参见图12）
I
SD
≤
如图11A所示， di / dt的
≤
290A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
175°C
使用IRLZ24N数据和试验条件。
2
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IRLR/U024N
100
VGS
15V
12V
10V
8.0V
6.0V
4.0V
3.0V
BOTTOM 2.5V
顶部
100
10
I
D
，D雨来-S环境允许光凭目前 （A ）
I
D
，D RA在-to -S OU RCE ú rrent （A ）
VGS
15V
12V
10V
8.0V
6.0V
4.0V
3.0V
BOTTOM 2.5V
顶部
10
2 .5V
1
1
2.5 V
20μ S·P ü L南东西ID牛逼
T
J
= 2 5°C
0.1
1
10
0.1
A
0.1
0.1
1
2 0μ S·P ü LS东西ID牛逼
T
J
= 1 75 °C
10
100
A
100
V
S
，D雨来-S环境允许的V oltage （ V）
V
S
，D雨来-S环境允许的V oltage （ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
100
3.0
T
J
= 2 5 °C
R
S（上）
，D雨-to -S OU RC ê n个R ES是棕褐色权证
（N ORM A利兹版）
I
D
=
17
A
18
A
I
D
，D大雨到那么urce urren T（A ）
2.5
T
J
= 1 7 5 °C
10
2.0
1.5
1
1.0
0.5
0.1
2
3
4
5
6
V
DS
= 1 5V
2 0μ S·P ü L南东西TH ID
7
8
9
10
A
0.0
-60
-40 -20
0
20
40
60
80
V
的s
= 1 0V
100 120 140 160 180
A
V
的s
，G吃了对-SO urce Voltag E（ V）
T
J
，J UNC化牛逼EM perature （ ° C）
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
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3
IRLR/U024N
800
V
的s
，G吃了对-S环境允许的V oltage （ V）
C，电容（pF ）
600
C
国际空间站
V
GS
C
为s
C
RS s
C
SS
=
=
=
=
0V ,
F = 1M ^ h
C
的s
+ C
克
, C
S
中文 T E
C
gd
C
S
+ C
gd
15
I
D
= 11 A
V
S
= 4 4V
V
S
= 2 8V
12
9
400
C
OSS
6
200
C
RSS
3
0
1
10
100
A
0
0
4
8
FO 释T C IRC UIT
性S E ê图ú 1 3
12
16
20
A
V
S
，D雨来-S ourc é V oltage （ V）
Q
G
，T otal摹吃哈耶（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100
1000
I
S.D。
，R EV商E D雨 urre NT （A ）
P·E·R AT ION IN TH为AR E A LIM ITE
B Y形
S（上）
I
D
，D雨光凭目前 （A ）
T
J
= 1 75 °C
T
J
= 25°C
10
100
1 0 s
10
1 00 s
1
0.4
0.8
1.2
1.6
V
的s
= 0V
A
1
1
T
C
= 25°C
T
J
= 175°C
S英格尔P ulse
10
1米s
1 0米s
A
100
2.0
V
S.D。
，S环境允许的模 - 数雨V oltage （Ⅴ）
V
S
，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
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IRLR/U024N
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V
DS
V
GS
R
D
D.U.T.
+
I
D
，漏电流（ A）
15
R
G
-
V
DD
5V
10
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
图10A 。
开关时间测试电路
5
V
DS
90%
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度（ ° C）
10%
V
GS
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图10B 。
开关时间波形
10
千卡人反应的影响（Z
THJ
)
D = 0 .5 0
1
0 .2 0
0 .1 0
0 .0 5
0 .0 2
0 .0 1
0.1
P
D M
S IN摹L E P ü L性S E
（T ^ h é R M一L R （E S） P 2 O北南E）
OTE S：
1 。 ü TY FAC器D =吨
t
1
t2
1
/ t
2
0.01
0.00001
2. P·E A K牛逼
J
= P
D M
X Z
日JC
+ T C
A
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
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，R ê CTAN克乌拉; R P ulse ü比n （秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
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