PD- 94350
IRLR/U014N
HEXFET
功率MOSFET
逻辑电平栅极驱动
表面贴装（ IRLR024N ）
直铅（ IRLU024N ）
先进的工艺技术
快速开关
全额定雪崩
描述
国际整流器第五代HEXFETs利用先进
加工技术，以实现尽可能低的导通电阻每
硅片面积。这样做的好处，结合快速开关速度和
坚固耐用的设备的设计，HEXFET功率MOSFET是众所周知的，
为设计人员提供了广泛的一个非常有效的装置使用
各种应用程序。
对D- PAK被设计用于使用气相，红外表面安装，或
波峰焊技术。直引线型（ IRFU系列）是
通孔安装的应用程序。功率耗散水平高达1.5瓦特
是可能的典型的表面安装的应用程序。
D- PAK
TO-252AA
I- PAK
TO-251AA
D
V
DSS
= 55V
G
S
R
DS （ ON）
= 0.14
I
D
= 10A
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
马克斯。
10
7.1
40
28
0.2
± 16
35
6.0
2.8
5.0
-55 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
R
θJA
结到外壳
外壳到环境（印刷电路板安装） **
结到环境
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
5.3
50
110
单位
° C / W
**当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。
对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994
www.irf.com
1
5/4/99
IRLR/U014N
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
55
––– –––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- --- 0.056 V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安
––– ––– 0.14
V
GS
= 10V ，我
D
= 6A
––– ––– 0.21
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 5A
1.0
––– –––
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
3.1
––– –––
S
V
DS
= 25V ，我
D
= 6A
––– ––– 25
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V
A
––– ––– 250
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
––– ––– 100
V
GS
= 16V
nA
––– ––– -100
V
GS
= -16V
––– ––– 7.9
I
D
= 6A
––– ––– 1.4
NC V
DS
= 44V
––– ––– 4.4
V
GS
= 5.0V ，见图。 6和13
–––
6.5 –––
V
DD
= 28V
–––
47 –––
I
D
= 6A
ns
–––
12 –––
R
G
= 6.2, V
GS
= 5.0V
–––
23 –––
R
D
= 4.5Ω ，参照图10
铅之间，
–––
4.5
–––
nH
6毫米（0.25英寸）。
G
从包
––– 7.5 –––
而中心的模具接触
––– 265 –––
V
GS
= 0V
–––
80 –––
pF
V
DS
= 25V
–––
38 –––
= 1.0MHz的，见图。五
D
S
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
––– ––– 10
展示
A
G
整体反转
––– –––
40
S
p-n结二极管。
––– ––– 1.3
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 6A ，V
GS
= 0V
––– 37
56
nS
T
J
= 25 ° C，I
F
= 6A
––– 48
71
NC的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
这个被施加用于I -PAK ，L-
S
的D- PAK时之间测量
铅和模具呼叫中心
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图11）
起始物为
J
= 25℃时，L = 1.96mH
R
G
= 25, I
AS
= 6A 。 （参见图12）
I
SD
≤
6.0A ， di / dt的
≤
210A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
175°C
2
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IRLR/U014N
100
VGS
VGS
15V
15V
10V
12V
5.0V
10V
4.5V
7.0V
3.5V
5.0V
3.0V
4.5V
2.7V
2.7V
BOTTOM 2.0V
BOTTOM 2.5V
顶部
顶部
100
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
10
10
VGS
VGS
15V
15V
12V
10V
10V
5.0V
7.0V
4.5V
5.0V
3.5V
4.5V
3.0V
2.7V
2.7V
底部
2.5V
底部
2.0V
顶部
顶部
1
1
2.5V
2.5V
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25
°
C
1
10
100
0.1
0.1
0.1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 175
°
C
1
10
100
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
100
2.5
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
T
J
= 25
°
C
T
J
= 175
°
C
10
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
I
D
= 10A
2.0
1.5
1.0
1
0.5
0.1
2.0
V DS = 50V
20μs的脉冲宽度
4.0
6.0
8.0
10.0
0.0
-60 -40 -20 0
V
GS
= 10V
20 40 60 80 100 120 140 160 180
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
J
，结温（
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
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IRLR/U014N
HEXFET
功率MOSFET
逻辑电平栅极驱动
表面贴装（ IRLR024N ）
直铅（ IRLU024N ）
先进的工艺技术
快速开关
全额定雪崩
描述
国际整流器第五代HEXFETs利用先进
加工技术，以实现尽可能低的导通电阻每
硅片面积。这样做的好处，结合快速开关速度和
坚固耐用的设备的设计，HEXFET功率MOSFET是众所周知的，
为设计人员提供了广泛的一个非常有效的装置使用
各种应用程序。
对D- PAK被设计用于使用气相，红外表面安装，或
波峰焊技术。直引线型（ IRFU系列）是
通孔安装的应用程序。功率耗散水平高达1.5瓦特
是可能的典型的表面安装的应用程序。
D- PAK
TO-252AA
I- PAK
TO-251AA
D
V
DSS
= 55V
G
S
R
DS （ ON）
= 0.14
I
D
= 10A
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
马克斯。
10
7.1
40
28
0.2
± 16
35
6.0
2.8
5.0
-55 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
R
θJA
结到外壳
外壳到环境（印刷电路板安装） **
结到环境
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
5.3
50
110
单位
° C / W
**当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。
对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994
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IRLR/U014N
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
55
––– –––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- --- 0.056 V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安
––– ––– 0.14
V
GS
= 10V ，我
D
= 6A
––– ––– 0.21
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 5A
1.0
––– –––
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
3.1
––– –––
S
V
DS
= 25V ，我
D
= 6A
––– ––– 25
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V
A
––– ––– 250
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
––– ––– 100
V
GS
= 16V
nA
––– ––– -100
V
GS
= -16V
––– ––– 7.9
I
D
= 6A
––– ––– 1.4
NC V
DS
= 44V
––– ––– 4.4
V
GS
= 5.0V ，见图。 6和13
–––
6.5 –––
V
DD
= 28V
–––
47 –––
I
D
= 6A
ns
–––
12 –––
R
G
= 6.2, V
GS
= 5.0V
–––
23 –––
R
D
= 4.5Ω ，参照图10
铅之间，
–––
4.5
–––
nH
6毫米（0.25英寸）。
G
从包
––– 7.5 –––
而中心的模具接触
––– 265 –––
V
GS
= 0V
–––
80 –––
pF
V
DS
= 25V
–––
38 –––
= 1.0MHz的，见图。五
D
S
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
––– ––– 10
展示
A
G
整体反转
––– –––
40
S
p-n结二极管。
––– ––– 1.3
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 6A ，V
GS
= 0V
––– 37
56
nS
T
J
= 25 ° C，I
F
= 6A
––– 48
71
NC的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
这个被施加用于I -PAK ，L-
S
的D- PAK时之间测量
铅和模具呼叫中心
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图11）
起始物为
J
= 25℃时，L = 1.96mH
R
G
= 25, I
AS
= 6A 。 （参见图12）
I
SD
≤
6.0A ， di / dt的
≤
210A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
175°C
2
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IRLR/U014N
100
VGS
VGS
15V
15V
10V
12V
5.0V
10V
4.5V
7.0V
3.5V
5.0V
3.0V
4.5V
2.7V
2.7V
BOTTOM 2.0V
BOTTOM 2.5V
顶部
顶部
100
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
10
10
VGS
VGS
15V
15V
12V
10V
10V
5.0V
7.0V
4.5V
5.0V
3.5V
4.5V
3.0V
2.7V
2.7V
底部
2.5V
底部
2.0V
顶部
顶部
1
1
2.5V
2.5V
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25
°
C
1
10
100
0.1
0.1
0.1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 175
°
C
1
10
100
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
100
2.5
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
T
J
= 25
°
C
T
J
= 175
°
C
10
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
I
D
= 10A
2.0
1.5
1.0
1
0.5
0.1
2.0
V DS = 50V
20μs的脉冲宽度
4.0
6.0
8.0
10.0
0.0
-60 -40 -20 0
V
GS
= 10V
20 40 60 80 100 120 140 160 180
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
J
，结温（
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
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