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PD - _____

初步

IRLP2505

V

DSS

= 55V

R

DS （ ON）

= 0.008

I

D

= 90A

HEXFET

功率MOSFET

逻辑电平栅极驱动

先进的工艺技术

超低导通电阻

动态的dv / dt额定值

175 ° C工作温度

快速开关

全额定雪崩

描述

国际整流器第五代HEXFETs

利用先进的加工技术，实现了

尽可能低的导通电阻每硅片面积。这样做的好处，

结合快速开关速度和加固

设备的设计，HEXFET功率MOSFET是很好

众所周知，为设计者提供了一个非常有效的

装置，用于在各种各样的应用中使用。

在TO- 247封装的首选商业工业

应用更高的功率水平排除使用

的TO-220的设备。该TO- 247类似，但优于

早期的隔离安装的TO- 218封装，因为

洞。

绝对最大额定值

参数

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

DM

P

D

@T

C

= 25°C

V

GS

E

AS

I

AR

E

AR

dv / dt的

T

J

T

英镑

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

安装扭矩， 6-32或M3螺丝。

马克斯。

90

64

360

150

1.0

±20

500

54

15

2.9

-55 + 175

300 （ 1.6毫米从案例）

10磅在（ 1.1N m）的

单位

A

W

W / ℃，

V

mJ

A

mJ

V / ns的

°C

热阻

参数

R

θ

JC

R

θ

CS

R

θ

JA

结到外壳

案件到水槽，平面，脂表面

结到环境

分钟。

––––

––––

––––

典型值。

––––

0.24

––––

马克斯。

1.0

––––

40

单位

° C / W

8/4/95

IRLP2505

电气特性@ T = 25°C （除非另有说明）

J

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSS

/

T

J

参数

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

内部排水电感

内部源极电感

输入电容

输出电容

反向传输电容

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

L

D

L

S

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

分钟。

55

–––

–––

–––

–––

1.0

59

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

MAX 。单位

条件

–––

V

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

--- V / ° C参考到25° C，I

D

= 1毫安

0.008

V

GS

= 10V ，我

D

= 54A

0.010

V

GS

= 5.0V ，我

D

= 54A

0.013

V

GS

= 4.0V ，我

D

= 45A

2.0

V

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

–––

S

V

DS

= 25V ，我

D

= 54A

25

V

DS

= 55V, V

GS

= 0V

A

250

V

DS

= 44V, V

GS

= 0V ，T

J

= 150°C

100

V

GS

= 20V

nA

-100

V

GS

= -20V

130

I

D

= 54A

25

NC V

DS

= 44V

67

V

GS

= 5.0V ，见图。 6和13

–––

V

DD

= 28V

–––

I

D

= 54A

ns

–––

R

G

= 1.3, V

GS

= 5.0V

–––

R

D

= 0.50Ω ，参照图10

铅之间，

––– 5.0 –––

6毫米（0.25英寸）。

nH

从包

––– 13 –––

而中心的模具接触

––– 5000 –––

V

GS

= 0V

––– 1100 –––

pF

V

DS

= 25V

––– 390 –––

= 1.0MHz的，见图。五

典型值。

–––

0.035

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

12

160

43

84

源极 - 漏极额定值和特性

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

注意事项：

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向RecoveryCharge

分钟。典型值。马克斯。单位

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

140

650

90

A

360

1.3

210

970

V

ns

nC

条件

MOSFET符号

展示

整体反转

p-n结二极管。

T

J

= 25 ° C，I

S

= 54A ，V

GS

= 0V

T

J

= 25 ° C，I

F

= 54A

的di / dt = 100A / μs的

重复评价;脉冲宽度有限的

最大。结温。（参见图11）

V

DD

= 25V ，起始物为

J

= 25℃时，L = 240μH

R

G

= 25, I

AS

= 54A 。（参见图12）

I

SD

≤

54A ， di / dt的

≤

130A / μs的，V

DD

≤

V

（ BR ） DSS

,

T

J

≤

175°C

脉冲宽度

≤

300μS ;占空比

≤

2%.

基于最大允许Caculated连续电流

结温;对于推荐的电流处理的

包参考设计提示＃ 93-4

IRLP2505

1000

VGS

15V

12V

10V

8.0V

6.0V

4.0V

3.0V

BOTTOM 2.5V

顶部

1000

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

100

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

VGS

15V

12V

10V

8.0V

6.0V

4.0V

3.0V

BOTTOM 2.5V

顶部

100

2.5V

10

10

2.5V

20μs的脉冲宽度

T

J

= 25°C

1

10

1

0.1

A

100

1

0.1

20μs的脉冲宽度

T

J

= 175°C

1

10

A

100

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性，

T

J

= 25

o

C

图2 。

典型的输出特性，

T

J

= 175

o

C

1000

3.0

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

I

D

= 90A

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

T

J

= 25°C

100

2.5

T

J

= 175°C

2.0

1.5

10

1.0

0.5

1

2.5

3.5

4.5

V

DS

= 25V

20μs的脉冲宽度

5.5

6.5

7.5

A

0.0

-60 -40 -20

0

20

40

60

V

GS

= 10V

80 100 120 140 160 180

A

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

T

J

，结温（ ° C）

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

IRLP2505

10000

8000

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

V

GS

= 0V,

F = 1MHz的

C

国际空间站

= C

gs

+ C

gd

, C

ds

短

C

RSS

= C

gd

C

OSS

= C

ds

+ C

gd

15

I

D

= 54A

V

DS

= 44V

V

DS

= 28V

12

C，电容（pF ）

C

国际空间站

6000

9

4000

C

OSS

6

2000

C

RSS

A

1

10

100

3

0

0

0

40

80

测试电路

见图13

120

160

A

200

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000

1000

I

SD

，反向漏电流（ A）

在这一领域有限

由R

DS （ ON）

10s

I

D

，漏电流（ A）

100

100s

100

T

J

= 175°C

T

J

= 25°C

1ms

10

10ms

10

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

V

GS

= 0V

2.4

A

1

1

T

C

= 25°C

T

J

= 175°C

单脉冲

10

A

100

2.8

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

IRLP2505

V

DS

90

R

D

不限按包

80

70

60

50

40

30

20

10

0

25

50

75

100

125

150

V

GS

R

G

D.U.T.

V

DD

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

5.0V

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

图10A 。

开关时间测试电路

A

175

T

C

，外壳温度（ ° C）

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

10

图10B 。

开关时间波形

热响应（Z

thJC

)

1

D = 0.50

0.20

0.1

0.10

0.05

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

0.0001

0.001

0.01

OTES ：

1 。 ü TY前言器D =吨

P

D M

t

1

t

2

1

/ t

2

0.01

0.00001

2. P EA 牛逼

J

= P

D M

X Z

日J·C

+ T C

A

10

0.1

1

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

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