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PD- 94897
IRLMS6802PbF
HEXFET
功率MOSFET
l
l
l
l
l
超低导通电阻
P沟道MOSFET
表面贴装
可在磁带卷&
LEAD -FREE
D
D
1
6
A
D
V
DSS
= -20V
R
DS ( ON)
= 0.050
2
5
D
G
3
4
S
描述
从国际整流器这些P沟道MOSFET
利用先进的加工技术,以实现
极低的导通电阻每硅片面积。这样做的好处
为设计者提供了一个非常有效的装置
在电池和负载管理应用程序使用。
该Micro6 封装,其引脚框定制
产生HEXFET
功率MOSFET为R
DS ( ON)
60%
比类似大小的SOT- 23少。这个包是理想的
应用印刷电路板空间受限的
溢价。独特的散热设计和R
DS ( ON)
减少
使近300 %的电流处理增加
相比于SOT-23 。
顶视图
Micro6
绝对最大额定值
参数
V
DS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
E
AS
V
GS
T
J,
T
英镑
漏源电压
连续漏电流, V
GS
@ -4.5V
连续漏电流, V
GS
@ -4.5V
漏电流脉冲
功耗
功耗
线性降额因子
单脉冲雪崩能量?
栅极 - 源极电压
结温和存储温度范围
马克斯。
-20
-5.6
-4.5
-45
2.0
1.3
0.016
31
± 12
-55到+ 150
单位
V
A
W
W / ℃,
mJ
V
°C
热阻
参数
R
θJA
最大结点到环境
马克斯。
62.5
单位
° C / W
www.irf.com
1
1/18/05
IRLMS6802PbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
V
( BR ) DSS
V
( BR ) DSS
/T
J
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
分钟。
-20
–––
–––
–––
-0.60
1.5
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
TYP 。 MAX 。单位
条件
––– –––
V
V
GS
= 0V时,我
D
= -250A
-0.005 --- V / ° C参考到25° C,I
D
= -1mA
––– 0.050
V
GS
= -4.5V ,我
D
= -5.1A
––– 0.100
V
GS
= -2.5V ,我
D
= -3.4A
––– -1.2
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250A
––– –––
S
V
DS
= -10V ,我
D
= -0.80A
––– -1.0
V
DS
= -16V, V
GS
= 0V
A
––– -25
V
DS
= -16V, V
GS
= 0V ,T
J
= 125°C
––– -100
V
GS
= -12V
nA
––– 100
V
GS
= 12V
11
16
I
D
= -4.5A
2.2 3.3
nC
V
DS
= -10V
2.9 4.3
V
GS
= -5.0V
12 –––
V
DD
= -10V
33 –––
I
D
= -1.0A
ns
70 –––
R
G
= 6.0
72 –––
R
D
= 10
1079 –––
V
GS
= 0V
220 –––
pF
V
DS
= -10V
152 –––
= 1.0MHz的
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续源电流
(体二极管)
脉冲源电流
(体二极管)
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
74
45
-2.0
-45
-1.2
110
67
V
ns
nC
A
条件
MOSFET符号
展示
G
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C,I
S
= -1.6A ,V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C,I
F
= -3.0A
的di / dt = -100A / μs的
D
S
注意事项:
重复评价;脉冲宽度有限的
脉冲宽度
400μS ;占空比
2%.
最大。结温。 (参见图11)
表面安装在FR- 4电路板,T
5sec.
起始物为
J
= 25℃时,L = 6.8mH
R
G
= 25, I
AS
= -3.0A 。 (参见图12)
2
www.irf.com
IRLMS6802PbF
100
VGS
顶部
-7.50V
-5.00V
-4.00V
-3.50V
-3.00V
-2.50V
-2.00V
BOTTOM -1.50V
100
-I
D
,漏极 - 源极电流(A )
-I
D
,漏极 - 源极电流(A )
10
10
VGS
-7.50V
-5.00V
-4.00V
-3.50V
-3.00V
-2.50V
-2.00V
BOTTOM -1.50V
顶部
1
1
-1.50V
-1.50V
0.1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25
°
C
1
10
100
0.1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 150
°
C
1
10
100
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
100
2.0
T
J
= 25
°
C
T
J
= 150
°
C
10
R
DS ( ON)
,漏极 - 源极导通电阻
(归一化)
I
D
= -5.6A
-I
D
,漏极 - 源极电流(A )
1.5
1.0
0.5
1
1.0
V DS = -15V
20μs的脉冲宽度
2.0
3.0
4.0
5.0
0.0
-60 -40 -20
V
GS
= -4.5V
0
20
40
60
80 100 120 140 160
-V
GS
,栅 - 源极电压( V)
T
J
,结温(
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
www.irf.com
3
IRLMS6802PbF
1600
-V
GS
,栅 - 源极电压( V)
V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
gs
+ C
GD ,
C
ds
C
RSS
= C
gd
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
15
I
D
=
-4.5A
12
C,电容(pF )
1200
西塞
V
DS
=-10V
9
800
6
400
科斯
CRSS
0
1
10
100
3
0
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
0
4
8
12
16
20
24
Q
G
,总栅极电荷( NC)
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100
1000
-I
SD
,反向漏电流( A)
在这一领域有限
由R
DS ( ON)
10
-I
D
,漏电流( A)
I
100
10us
10
100us
1ms
1
10ms
T
J
= 150
°
C
1
T
J
= 25
°
C
0.1
0.0
V
GS
= 0 V
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
0.1
0.1
T
C
= 25 ° C
T
J
= 150 ° C
单脉冲
1
10
100
-V
SD
,源极到漏极电压(V )
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
www.irf.com
IRLMS6802PbF
6.0
E
AS
,单脉冲雪崩能量(兆焦耳)
80
5.0
-I
D
,漏电流( A)
60
ID
-1.3A
-2.4A
BOTTOM -3.0A
顶部
4.0
3.0
40
2.0
20
1.0
0.0
25
50
T
C
,外壳温度( ° C)
75
100
125
150
0
25
起始物为
J
,结温(
°
C)
50
75
100
125
150
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
图10 。
最大雪崩能量
与漏电流
100
D = 0.50
0.20
10
0.10
0.05
0.02
1
0.01
单脉冲
(热反应)
注意事项:
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJA
+ T
A
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
热响应(Z
thJA
)
P
DM
t
1
t
2
0.1
0.00001
t
1
,矩形脉冲持续时间(秒)
图11 。
最大有效瞬态热阻抗,结到环境
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