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PD - 95224

IRLMS6702PbF

HEXFET

功率MOSFET

第五代技术

Micro6封装形式

超低

DS （ ON）

P沟道MOSFET

LEAD -FREE

DSS

= -20V

描述

第五代HEXFET

从功率MOSFET

国际整流器利用先进的加工

技术，以实现极低的导通电阻

每硅片面积。这样做的好处，结合快速

开关速度和坚固耐用的设备的设计，

HEXFET

功率MOSFET是众所周知的，

为设计者提供了一个非常有效和

可靠的装置，用于在各种各样的应用中使用。

该Micro6 封装，其引脚框定制

产生HEXFET

功率MOSFET为R

DS （ ON）

60 ％不到同样大小的SOT- 23 。这个包是

其中，印刷电路板空间应用的理想选择

是十分宝贵的。它独特的散热设计和R

DS （ ON）

减少使一个电流处理增加

近300 ％相比， SOT -23 。

DS （ ON）

= 0.20

顶视图

Micro6

绝对最大额定值

参数

@ T

= 25°C

@ T

= 70°C

= 25°C

dv / dt的

英镑

连续漏电流， V

@ -4.5V

连续漏电流， V

@ -4.5V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

峰值二极管恢复的dv / dt

结温和存储温度范围

马克斯。

-2.4

-1.9

-13

1.7

± 12

5.0

-55到+ 150

单位

毫瓦/°C的

V / ns的

°C

热电阻额定值

θJA

最大结点到环境

参数

分钟。

典型值。

最大

单位

° C / W

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1/14/05

IRLMS6702PbF

电气特性@ T

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

（ BR ） DSS

漏极至源极击穿电压

（ BR ） DSS

击穿电压温度。系数

DS （ ON）

GS （ TH）

DSS

GSS

D（上）

D（关闭）

国际空间站

OSS

RSS

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

分钟。

-20

-0.70

1.5

TYP 。 MAX 。单位

条件

= 0V时，我

= -250A

-0.005 --- V / ° C参考到25° C，I

= -1mA

0.200

= -4.5V ，我

= -1.6A

0.375

= -2.7V ，我

= -0.80A

= V

, I

= -250A

= -10V ，我

= -0.80A

-1.0

= -16V, V

= 0V

-25

= -16V, V

= 0V ，T

= 125°C

-100

= -12V

100

= 12V

5.8 8.8

= -1.6A

1.8 2.6

NC V

= -16V

2.1 3.1

= -4.5V ，参照图6,9

= -10V

= -1.6A

= 6.0

= 6.1Ω ，参照图10

210

= 0V

130

= -15V

= 1.0MHz的，见图。五

源极 - 漏极额定值和特性

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向RecoveryCharge

分钟。典型值。马克斯。单位

-1.7

-13

-1.2

条件

MOSFET符号

展示

整体反转

p-n结二极管。

= 25 ° C，I

= -1.6A ，V

= 0V

= 25 ° C，I

= -1.6A

的di / dt = -100A / μs的

注意事项：

重复评价;脉冲宽度有限的

最大。结温。（参见图11）

脉冲宽度

≤

300μS ;占空比

≤

2%.

表面安装在FR- 4电路板，T

≤

5sec.

≤

-1.6A ， di / dt的

≤

-100A / μs的，V

≤

（ BR ） DSS

≤

150°C

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IRLMS6702PbF

100

VGS

顶部

- 7.5V

- 5.0V

- 4.0V

- 3.5V

- 3.0V

- 2.5V

- 2.0V

BOTTOM -1.75V

100

-I D，漏极 - 源极电流（A ）

-ID ，漏极 - 源极电流（A ）

VGS

- 7.5V

- 5.0V

- 4.0V

- 3.5V

- 3.0V

- 2.5V

- 2.0V

BOTTOM -1.75V

顶部

-1.75V

0.1

20μs的脉冲宽度

= 25°C

0.1

20μs的脉冲宽度

= 150°C

-VDS ，漏极至源极电压（ V）

-V ，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

100

2.0

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

= -1.6A

-I

，漏极 - 源极电流（A ）

1.5

= 25°C

= 150°C

1.0

0.5

0.1

1.5

2.0

2.5

3.0

= -10V

20μs的脉冲宽度

3.5

4.0

4.5

5.0

0.0

-60

-40

-20

= -4.5V

100 120 140 160

-V

，栅 - 源极电压（ V）

，结温（ ° C）

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

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400

-V

，栅 - 源极电压（ V）

= 0V,

F = 1MHz的

国际空间站

= C

+ C

, C

短

RSS

= C

OSS

= C

+ C

= -1.6A

= -16V

C，电容（pF ）

300

国际空间站

OSS

200

RSS

100

测试电路

参见图9

-V

，漏极至源极电压（ V）

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

100

-I

，反向漏电流（ A）

在这一领域有限

由R

DS （ ON）

-I

，漏电流（ A）

100s

= 150°C

= 25°C

1ms

10ms

0.1

0.4

0.6

0.8

1.0

= 0V

1.2

0.1

= 25°C

= 150°C

单脉冲

1.4

100

-V

，源极到漏极电压（V ）

-V

，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

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-4.5V

D.U.T.

-4.5V

脉冲宽度

≤ 1

占空比

≤ 0.1 %

收费

图9A 。

基本栅极电荷波形

电流调节器

同类型D.U.T.

图10A 。

开关时间测试电路

D（上）

D（关闭）

50K

12V

.2F

.3F

10%

D.U.T.

-3mA

90%

电流采样电阻器

图9b所示。

栅极电荷测试电路

100

D = 0.50

图10B 。

开关时间波形

热响应（Z

thJA

)

0.20

0.10

0.05

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

注意事项：

1.负载因数D = T

/ t

2.峰值牛逼

= P

X Z

thJA

+ T

0.0001

0.001

0.01

0.1

100

0.1

0.00001

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结到环境

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