【PD - 95762IRLMS1503PbFHEXFET功率MOSFETlllll第五代技术Micr】,IC型号IRLMS1503_05,IRLMS1503_05 PDF资料,IRLMS1503_05经销商,ic,电子元器件-51电子网

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PD - 95762

IRLMS1503PbF

HEXFET

功率MOSFET

l

l

l

l

l

第五代技术

Micro6封装形式

超低

R

DS （ ON）

N沟道MOSFET

LEAD -FREE

D

D

G

1

6

A

D

D

S

V

DSS

= 30V

2

5

3

4

描述

第五代HEXFET

从功率MOSFET

国际整流器利用先进的加工

技术，以实现极低的导通电阻

每硅片面积。这样做的好处，结合快速

开关速度和坚固耐用的设备的设计，

HEXFET

功率MOSFET是众所周知的，

为设计者提供了一个非常有效和

可靠的装置，用于在各种各样的应用中使用。

该Micro6 封装，其引脚框定制

产生HEXFET

功率MOSFET为R

DS （ ON）

60 ％不到同样大小的SOT- 23 。这个包是

其中，印刷电路板空间应用的理想选择

是十分宝贵的。它独特的散热设计和R

DS （ ON）

减少使一个电流处理增加

近300 ％相比， SOT -23 。

R

DS （ ON）

= 0.10

顶视图

Micro6

绝对最大额定值

参数

I

D

@ T

A

= 25°C

I

D

@ T

A

= 70°C

I

DM

P

D

@T

A

= 25°C

V

GS

dv / dt的

T

J,

T

英镑

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

峰值二极管恢复的dv / dt

结温和存储温度范围

马克斯。

3.2

2.6

18

1.7

13

± 20

5.0

-55到+ 150

单位

A

W

毫瓦/°C的

V

V / ns的

°C

热电阻额定值

R

θJA

最大结点到环境

参数

分钟。

典型值。

最大

75

单位

° C / W

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1

1/14/05

IRLMS1503PbF

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

V

（ BR ） DSS

漏极至源极击穿电压

V

（ BR ） DSS

/T

J

击穿电压温度。系数

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

分钟。

30

1.0

1.1

典型值。

0.037

6.4

1.1

1.9

4.6

4.4

10

2.0

210

90

32

MAX 。单位

条件

V

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

--- V / ° C参考到25° C，I

D

= 1毫安

0.100

V

GS

= 10V ，我

D

= 2.2A

0.20

V

GS

= 4.5V ，我

D

= 1.1A

V

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

S

V

DS

= 10V ，我

D

= 1.1A

1.0

V

DS

= 24V, V

GS

= 0V

A

25

V

DS

= 24V, V

GS

= 0V ，T

J

= 125°C

-100

V

GS

= -20V

nA

100

V

GS

= 20V

9.6

I

D

= 2.2A

1.7

NC V

DS

= 24V

2.8

V

GS

= 10V ，参照图6,9

V

DD

= 15V

I

D

= 2.2A

ns

R

G

= 6.0

R

D

= 6.7Ω ，参照图10

V

GS

= 0V

pF

V

DS

= 25V

= 1.0MHz的，见图。五

源极 - 漏极额定值和特性

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向RecoveryCharge

分钟。典型值。马克斯。单位

36

39

1.7

18

1.2

54

58

V

ns

nC

A

条件

MOSFET符号

展示

G

整体反转

p-n结二极管。

T

J

= 25 ° C，I

S

= 2.2A ，V

GS

= 0V

T

J

= 25 ° C，I

F

= 2.2A

的di / dt = 100A / μs的

D

S

注意事项：

重复评价;脉冲宽度有限的

最大。结温。（参见图11）

T

J

≤

150°C

脉冲宽度

≤

300μS ;占空比

≤

2%.

表面安装在FR- 4电路板，T

≤

5sec.

I

SD

≤

2.2A ， di / dt的

≤

150A / μs的，V

DD

≤

V

（ BR ） DSS

,

2

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IRLMS1503PbF

100

VGS

15V

10V

7.0V

5.5V

4.5V

4.0V

3.5V

BOTTOM 3.0V

顶部

100

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

VGS

15V

10V

7.0V

5.5V

4.5V

4.0V

3.5V

BOTTOM3.0V

顶部

10

10

1

1

3.0V

3.0V

20μs的脉冲宽度

T

J

= 25

°

C

1

10

0.1

0.1

0.1

0.1

20μs的脉冲宽度

T

J

= 150

°

C

1

10

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

100

2.0

T

J

= 25

°

C

10

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

I

D

= 2.2A

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

1.5

T

J

= 150

°

C

1.0

1

0.5

0.1

3.0

V DS = 10V

20μs的脉冲宽度

4.0

5.0

6.0

7.0

8.0

0.0

-60 -40 -20

V

GS

= 10V

0

20 40 60

80 100 120 140 160

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

T

J

，结温（

°

C)

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

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3

IRLMS1503PbF

350

300

20

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

V

GS

= 0V,

F = 1MHz的

C

国际空间站

= C

gs

+ C

GD ，

C

ds

短

C

RSS

= C

gd

C

OSS

= C

ds

+ C

gd

I

D

= 2.2A

V

DS

= 24V

V

DS

= 15V

16

C，电容（pF ）

250

200

150

100

50

0

1

西塞

12

科斯

8

4

CRSS

0

测试电路

参见图9

0

2

4

6

8

10

10

100

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

100

100

I

SD

，反向漏电流（ A）

在这一领域有限

由R

DS （ ON）

10

I

D

，漏电流（ A）

10us

10

100us

T

J

= 150

°

C

T

J

= 25

°

C

1

1ms

1

10ms

0.1

0.4

V

GS

= 0 V

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

0.1

1

T

C

= 25° C

T

J

= 150° C

单脉冲

10

100

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4

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IRLMS1503PbF

Q

G

V

DS

V

GS

R

G

10V

R

D

10V

Q

GS

V

G

Q

GD

D.U.T.

+

-

V

DD

收费

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

图9A 。

基本栅极电荷波形

电流调节器

同类型D.U.T.

图10A 。

开关时间测试电路

V

DS

50K

12V

.2F

.3F

90%

D.U.T.

V

GS

3mA

+

V

-

DS

10%

V

GS

t

D（上）

I

G

I

D

t

r

t

D（关闭）

t

f

电流采样电阻器

图9b所示。

栅极电荷测试电路

100

D = 0.50

0.20

10

0.10

0.05

0.02

1

0.01

图10B 。

开关时间波形

热响应（Z

thJA

)

P

DM

t

1

单脉冲

（热反应）

注意事项：

1.负载因数D = T

1

/ t

2

2.峰值牛逼

J

= P

DM

X Z

thJA

+ T

A

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

10

100

t

2

0.1

0.00001

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结到环境

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5

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