PD- 93755
IRLML6402
HEXFET
功率MOSFET
l
l
l
l
l
l
超低导通电阻
P沟道MOSFET
SOT-23封装足迹
薄型（ <1.1毫米）
可用磁带和卷轴
快速开关
D
V
DSS
= -20V
G
S
R
DS （ ON）
= 0.065
描述
国际整流器这些P沟道MOSFET采用
先进的加工技术，以实现极低的导通
每硅片面积的阻力。这样做的好处，结合快速
开关速度和坚固耐用的设备的设计， HEXFET
功率MOSFET是众所周知的，为设计者提供
一个非常有效和可靠的设备电池的使用和
负载管理。
增强型散热垫大的引线框架已被纳入
成标准的SOT-23封装，以产生一个HEXFET功率
MOSFET具有业界最小尺寸。这个包，
被称为MICRO3 ，是非常适合应用在印刷
电路板的空间是十分宝贵的。低调（ <1.1毫米）
的MICRO3使得它能够很容易地融入极薄的应用
环境中，例如便携式电子设备和PCMCIA卡。
热阻和功耗的最佳
可用。
Micro3
绝对最大额定值
参数
V
DS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
E
AS
V
GS
T
J,
T
英镑
漏源电压
连续漏电流， V
GS
@ -4.5V
连续漏电流， V
GS
@ -4.5V
漏电流脉冲
功耗
功耗
线性降额因子
单脉冲雪崩能量？
栅极 - 源极电压
结温和存储温度范围
马克斯。
-20
-3.7
-2.2
-22
1.3
0.8
0.01
11
± 12
-55到+ 150
单位
V
A
W
W / ℃，
mJ
V
°C
热阻
参数
R
θJA
最大结点到环境？
典型值。
75
马克斯。
100
单位
° C / W
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1
8/13/99
IRLML6402
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
分钟。
-20
–––
–––
–––
-0.40
6.0
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
TYP 。 MAX 。单位
条件
––– –––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= -250A
-0.009 --- V / ° C参考到25° C，I
D
= -1mA
0.050 0.065
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -3.7A
0.080 0.135
V
GS
= -2.5V ，我
D
= -3.1A
-0.55 -0.95
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250A
––– –––
S
V
DS
= -10V ，我
D
= -3.7A
––– -1.0
V
DS
= -20V, V
GS
= 0V
A
––– -25
V
DS
= -20V, V
GS
= 0V ，T
J
= 70°C
––– -100
V
GS
= -12V
nA
––– 100
V
GS
= 12V
8.0
12
I
D
= -3.7A
1.2 1.8
NC V
DS
= -10V
2.8 4.2
V
GS
= -5.0V
350 –––
V
DD
= -10V
48 –––
I
D
= -3.7A
ns
588 –––
R
G
= 89
381 –––
R
D
= 2.7
633 –––
V
GS
= 0V
145 –––
pF
V
DS
= -10V
110 –––
= 1.0MHz的
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
29
11
-1.3
A
-22
-1.2
43
17
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
G
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= -1.0A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= -1.0A
的di / dt = -100A / μs的
D
S
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。
表面安装1"方形单层1盎司铜FR4板，
稳定状态。
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
起始物为
J
= 25℃时，L = 1.65mH
R
G
= 25, I
AS
= -3.7A.
**对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994 。
2
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