PD- 93755
IRLML6402
HEXFET
功率MOSFET
l
l
l
l
l
l
超低导通电阻
P沟道MOSFET
SOT-23封装足迹
薄型（ <1.1毫米）
可用磁带和卷轴
快速开关
D
V
DSS
= -20V
G
S
R
DS （ ON）
= 0.065
描述
国际整流器这些P沟道MOSFET采用
先进的加工技术，以实现极低的导通
每硅片面积的阻力。这样做的好处，结合快速
开关速度和坚固耐用的设备的设计， HEXFET
功率MOSFET是众所周知的，为设计者提供
一个非常有效和可靠的设备电池的使用和
负载管理。
增强型散热垫大的引线框架已被纳入
成标准的SOT-23封装，以产生一个HEXFET功率
MOSFET具有业界最小尺寸。这个包，
被称为MICRO3 ，是非常适合应用在印刷
电路板的空间是十分宝贵的。低调（ <1.1毫米）
的MICRO3使得它能够很容易地融入极薄的应用
环境中，例如便携式电子设备和PCMCIA卡。
热阻和功耗的最佳
可用。
Micro3
绝对最大额定值
参数
V
DS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
E
AS
V
GS
T
J,
T
英镑
漏源电压
连续漏电流， V
GS
@ -4.5V
连续漏电流， V
GS
@ -4.5V
漏电流脉冲
功耗
功耗
线性降额因子
单脉冲雪崩能量？
栅极 - 源极电压
结温和存储温度范围
马克斯。
-20
-3.7
-2.2
-22
1.3
0.8
0.01
11
± 12
-55到+ 150
单位
V
A
W
W / ℃，
mJ
V
°C
热阻
参数
R
θJA
最大结点到环境？
典型值。
75
马克斯。
100
单位
° C / W
www.irf.com
1
8/13/99
IRLML6402
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
分钟。
-20
–––
–––
–––
-0.40
6.0
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
TYP 。 MAX 。单位
条件
––– –––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= -250A
-0.009 --- V / ° C参考到25° C，I
D
= -1mA
0.050 0.065
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -3.7A
0.080 0.135
V
GS
= -2.5V ，我
D
= -3.1A
-0.55 -0.95
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250A
––– –––
S
V
DS
= -10V ，我
D
= -3.7A
––– -1.0
V
DS
= -20V, V
GS
= 0V
A
––– -25
V
DS
= -20V, V
GS
= 0V ，T
J
= 70°C
––– -100
V
GS
= -12V
nA
––– 100
V
GS
= 12V
8.0
12
I
D
= -3.7A
1.2 1.8
NC V
DS
= -10V
2.8 4.2
V
GS
= -5.0V
350 –––
V
DD
= -10V
48 –––
I
D
= -3.7A
ns
588 –––
R
G
= 89
381 –––
R
D
= 2.7
633 –––
V
GS
= 0V
145 –––
pF
V
DS
= -10V
110 –––
= 1.0MHz的
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
29
11
-1.3
A
-22
-1.2
43
17
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
G
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= -1.0A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= -1.0A
的di / dt = -100A / μs的
D
S
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。
表面安装1"方形单层1盎司铜FR4板，
稳定状态。
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
起始物为
J
= 25℃时，L = 1.65mH
R
G
= 25, I
AS
= -3.7A.
**对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994 。
2
www.irf.com
PD - 91257D
HEXFET
功率MOSFET
l
l
l
l
l
l
l
IRLML2402
V
DSS
= 20V
第五代技术
超低导通电阻
N沟道MOSFET
SOT-23封装足迹
薄型（ <1.1毫米）
可用磁带和卷轴
快速开关
D
G
S
R
DS （ ON）
= 0.25
描述
国际整流器第五代HEXFETs
利用先进的加工技术，以实现
极低的导通电阻每硅片面积。这样做的好处，
结合快速开关速度和加固
设备的设计，HEXFET功率MOSFET是很好
众所周知，为设计者提供了一个非常有效的
和可靠的装置，用于在各种各样的应用中使用。
定制的引线框架已被纳入
标准SOT-23封装，以产生一个HEXFET功率
MOSFET具有业界最小尺寸。这
包，被称为MICRO3 ，是理想的应用
其中，印刷电路板空间非常珍贵。低
在MICRO3的个人资料（ <1.1毫米），使其能够方便地安装到
如便携式极薄的应用环境
电子和PCMCIA卡。
Micro3
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
V
GS
dv / dt的
T
J,
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 4.5V
连续漏电流， V
GS
@ 4.5V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
峰值二极管恢复的dv / dt
结温和存储温度范围
马克斯。
1.2
0.95
7.4
540
4.3
± 12
5.0
-55到+ 150
单位
A
mW
毫瓦/°C的
V
V / ns的
°C
热阻
R
θJA
最大结点到环境
参数
典型值。
马克斯。
230
单位
° C / W
01/15/03
PD - 91257D
HEXFET
功率MOSFET
l
l
l
l
l
l
l
IRLML2402
V
DSS
= 20V
第五代技术
超低导通电阻
N沟道MOSFET
SOT-23封装足迹
薄型（ <1.1毫米）
可用磁带和卷轴
快速开关
D
G
S
R
DS （ ON）
= 0.25
描述
国际整流器第五代HEXFETs
利用先进的加工技术，以实现
极低的导通电阻每硅片面积。这样做的好处，
结合快速开关速度和加固
设备的设计，HEXFET功率MOSFET是很好
众所周知，为设计者提供了一个非常有效的
和可靠的装置，用于在各种各样的应用中使用。
定制的引线框架已被纳入
标准SOT-23封装，以产生一个HEXFET功率
MOSFET具有业界最小尺寸。这
包，被称为MICRO3 ，是理想的应用
其中，印刷电路板空间非常珍贵。低
在MICRO3的个人资料（ <1.1毫米），使其能够方便地安装到
如便携式极薄的应用环境
电子和PCMCIA卡。
Micro3
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
V
GS
dv / dt的
T
J,
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 4.5V
连续漏电流， V
GS
@ 4.5V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
峰值二极管恢复的dv / dt
结温和存储温度范围
马克斯。
1.2
0.95
7.4
540
4.3
± 12
5.0
-55到+ 150
单位
A
mW
毫瓦/°C的
V
V / ns的
°C
热阻
R
θJA
最大结点到环境
参数
典型值。
马克斯。
230
单位
° C / W
01/15/03
PD- 93755
IRLML6402
HEXFET
功率MOSFET
l
l
l
l
l
l
超低导通电阻
P沟道MOSFET
SOT-23封装足迹
薄型（ <1.1毫米）
可用磁带和卷轴
快速开关
D
V
DSS
= -20V
G
S
R
DS （ ON）
= 0.065
描述
国际整流器这些P沟道MOSFET采用
先进的加工技术，以实现极低的导通
每硅片面积的阻力。这样做的好处，结合快速
开关速度和坚固耐用的设备的设计， HEXFET
功率MOSFET是众所周知的，为设计者提供
一个非常有效和可靠的设备电池的使用和
负载管理。
增强型散热垫大的引线框架已被纳入
成标准的SOT-23封装，以产生一个HEXFET功率
MOSFET具有业界最小尺寸。这个包，
被称为MICRO3 ，是非常适合应用在印刷
电路板的空间是十分宝贵的。低调（ <1.1毫米）
的MICRO3使得它能够很容易地融入极薄的应用
环境中，例如便携式电子设备和PCMCIA卡。
热阻和功耗的最佳
可用。
Micro3
绝对最大额定值
参数
V
DS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
E
AS
V
GS
T
J,
T
英镑
漏源电压
连续漏电流， V
GS
@ -4.5V
连续漏电流， V
GS
@ -4.5V
漏电流脉冲
功耗
功耗
线性降额因子
单脉冲雪崩能量？
栅极 - 源极电压
结温和存储温度范围
马克斯。
-20
-3.7
-2.2
-22
1.3
0.8
0.01
11
± 12
-55到+ 150
单位
V
A
W
W / ℃，
mJ
V
°C
热阻
参数
R
θJA
最大结点到环境？
典型值。
75
马克斯。
100
单位
° C / W
www.irf.com
1
8/13/99
IRLML6402
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
分钟。
-20
–––
–––
–––
-0.40
6.0
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
TYP 。 MAX 。单位
条件
––– –––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= -250A
-0.009 --- V / ° C参考到25° C，I
D
= -1mA
0.050 0.065
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -3.7A
0.080 0.135
V
GS
= -2.5V ，我
D
= -3.1A
-0.55 -0.95
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250A
––– –––
S
V
DS
= -10V ，我
D
= -3.7A
––– -1.0
V
DS
= -20V, V
GS
= 0V
A
––– -25
V
DS
= -20V, V
GS
= 0V ，T
J
= 70°C
––– -100
V
GS
= -12V
nA
––– 100
V
GS
= 12V
8.0
12
I
D
= -3.7A
1.2 1.8
NC V
DS
= -10V
2.8 4.2
V
GS
= -5.0V
350 –––
V
DD
= -10V
48 –––
I
D
= -3.7A
ns
588 –––
R
G
= 89
381 –––
R
D
= 2.7
633 –––
V
GS
= 0V
145 –––
pF
V
DS
= -10V
110 –––
= 1.0MHz的
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
29
11
-1.3
A
-22
-1.2
43
17
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
G
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= -1.0A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= -1.0A
的di / dt = -100A / μs的
D
S
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。
表面安装1"方形单层1盎司铜FR4板，
稳定状态。
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
起始物为
J
= 25℃时，L = 1.65mH
R
G
= 25, I
AS
= -3.7A.
**对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994 。
2
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SMD型
MOSFET
产品speci fi cation
IRLML2402
SOT-23
单位：mm
■
特点
●
超低导通电阻
+0.1
2.4
-0.1
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
●
快速切换。
1
2
+0.1
1.3
-0.1
●
N沟道MOSFET
0.95
+0.1
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
D
0.97
1.Base
+0.1
-0.1
G
+0.1
0.38
-0.1
1.Gate
0-0.1
2.Emitter
2.Soruce
3.Drain
3.collector
S
■
绝对最大额定值TA = 25 ℃
参数
漏源电压
栅极 - 源极电压
连续漏CURENT ， @ V
GS =
4.5V,T
A
=25℃
连续漏CURENT ， @ V
GS =
4.5V,T
A
=70℃
漏电流脉冲* 1
功耗
@ T
A
=25℃
I
DM
P
D
R
θJA
T
J
,T
英镑
符号
V
DS
V
GS
I
D
等级
20
±12
1.2
0.95
7.4
540
230
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
mW
℃/W
℃
热阻， Junction-到环境
结温和存储温度范围
* 1.Reptitive评价：脉冲宽度有限的max.junction温度。
*2.I
SD
≤
0.93A,d
i
/d
t
≤
90A/μs,V
DD
≤V
（ BR ） DSS
,T
J
≤150℃
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 2
SMD型
MOSFET
产品speci fi cation
IRLML2402
■
电气特性TA = 25 ℃
参数
漏源击穿电压
栅极 - 源极漏电流
栅源leadage
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
反向恢复时间
反向恢复电荷
连续源电流
脉冲电流源* 1
二极管的正向电压
* 2脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%
符号
V
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
I
S
I
SM
V
SD
T
J
=25℃, I
F
= 0.93 A,
的di / dt = 100 A / μs的* 2
MOSFET symbo
升展示
整体反转
P-N结二极管
D
测试Conditons
I
D
= 250
μA,
V
GS
= 0V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0V ，T
J
=125℃
V
GS
=±12V,V
DS
=0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μA
I
D
= 0.93A ，V
GS
= 4.5V
I
D
= 0.47A ，V
GS
=2.7V
V
DS
= 10 V，I
D
= 0.47 A
V
DS
= 15V,
V
GS
= 0 V,
F = 1MHz的
民
20
典型值
最大
单位
V
1
25
±100
0.70
0.25
0.35
1.3
110
51
25
2.6
3.9
0.62
1.7
μA
nA
V
Ω
S
pF
V
DS
=16V ,V
GS
= 4.5 V，I
D
= 0.93 A
0.41
1.1
nC
V
DD
= 10 V ， MI
D
= 0.93A,
R
D
= 11Ω,R
G
= 6.2Ω
2.5
9.5
9.7
4.8
25
16
38
24
0.54
A
G
ns
ns
nC
7.4
S
T
J
=25℃,V
GS
= 0 V，I
S
= 0.93 A *2
1.2
V
* 1重复评价;脉冲宽度有限的max.junction温度。
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
2 2
QQ：2881677436 复制
