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PD - 97631

IRLML2244TRPbF

V

DS

V

GS最大

R

DS （ ON） MAX

(@V

GS

= -4.5V)

-20

± 12

54

95

V

mΩ

S

2

G 1

HEXFET

功率MOSFET

3 D

R

DS （ ON） MAX

(@V

GS

= -2.5V)

Micro3

TM

(SOT-23)

IRLML2244TRPbF

应用程序（S ）

系统/负载开关

特点和优点

特点

低R

DS （ ON）

(

≤

54mΩ)

工业标准引脚

兼容现有的表面贴装技术

不含铅，无溴，无卤素RoHS标准

MSL1 ，消费者资格

好处

低开关损耗

多厂商兼容性

结果更容易制造

环保

提高可靠性

绝对最大额定值

符号

V

DS

I

D

@ T

A

= 25°C

I

D

@ T

A

= 70°C

I

DM

P

D

@T

A

= 25°C

P

D

@T

A

= 70°C

V

GS

T

J,

T

英镑

参数

漏源电压

连续漏电流， V

GS

@ -4.5V

连续漏电流， V

GS

@ -4.5V

漏电流脉冲

最大功率耗散

线性降额因子

栅极 - 源极电压

结温和存储温度范围

马克斯。

-20

-4.3

-3.4

-18

1.3

0.8

0.01

± 12

-55到+ 150

单位

V

A

W

W / ℃，

V

°C

热阻

符号

R

θJA

R

θJA

参数

结到环境

e

典型值。

–––

马克斯。

100

99

单位

° C / W

结到环境（ t<10s ）

f

订货信息：

查看详细的订购和发货信息，本数据手册的最后一页上。

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笔记

通过

在第10页

1

1/24/11

IRLML2244TRPbF

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

符号

V

（ BR ） DSS

参数

漏极至源极击穿电压

分钟。典型值。马克斯。单位

-20

–––

-0.4

–––

6.5

–––

0.01

42

71

–––

8.9

–––

6.9

1.0

2.9

7.0

12

34

25

570

160

110

–––

54

95

-1.1

1

150

-100

100

–––

pF

ns

nC

V

条件

V

GS

= 0V时，我

D

= -250μA

V

GS

= -4.5V ，我

D

= -4.3A

V

GS

= -2.5V ，我

D

V

DS

= V

GS

, I

D

= -10μA

V

DS

=-16V, V

GS

= 0V

V

DS

= -16V, V

GS

= 0V ，T

J

= 125°C

V

GS

= 12V

V

GS

= -12V

V

DS

= -10V ，我

D

=-4.3A

I

D

= -4.3A

V

DS

=-10V

V

DD

V

GS

= -4.5V

I

D

= -1A

R

G

= 6.8Ω

V

GS

= -4.5V

V

GS

= 0V

V

DS

= -16V

= 1.0kHz

ΔV

（ BR ） DSS

/ΔT

J

击穿电压温度。系数

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

I

DSS

I

GSS

R

G

政府飞行服务队

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

内部栅极电阻

正向跨导

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

V / ℃参考至25℃ ，我

D

= -1mA

mΩ

V

μA

nA

Ω

S

d

= -3.4A

d

=-10V

d

源 - 漏额定值和特性

符号

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

分钟。典型值。马克斯。单位

–––

21

9.0

-1.3

A

-18

-1.2

32

14

V

ns

nC

条件

MOSFET符号

展示

整体反转

p-n结二极管。

G

S

D

T

J

= 25 ° C，I

S

= -4.3A ，V

GS

= 0V

T

J

= 25 ° C，V

R

= -16V ，我

F

=-4.3A

的di / dt = 100A / μs的

d

2

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IRLML2244TRPbF

100

顶部

VGS

-10V

-4.5V

-3.0V

-2.5V

-2.3V

-2.0V

-1.8V

-1.5V

100

顶部

VGS

-10V

-4.5V

-3.0V

-2.5V

-2.3V

-2.0V

-1.8V

-1.5V

-ID ，漏极 - 源极电流（A ）

10

底部

10

底部

1

-1.5V

≤60μs

脉冲宽度

TJ = 25°C

0.1

1

10

100

-V DS ，漏极至源极电压（ V）

1

-1.5V

0.1

1

≤60μs

脉冲宽度

TJ = 150℃

10

100

-V DS ，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

100

RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻

（归一化）

1.3

ID = -4.3A

VGS = -4.5V

-I D，漏极 - 源极电流（A ）

10

T J = 150℃

T J = 25°C

1

1.1

0.1

1.0

1.5

VDS = -15V

≤60μs

脉冲宽度

2.0

2.5

3.0

0.9

-60 -40 -20 0

20 40 60 80 100 120 140 160

T J ，结温（ ° C）

-V GS ，栅 - 源极电压（ V）

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

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3

IRLML2244TRPbF

10000

VGS = 0V，

F = 1千赫

ISS = C GS + C GD ，C DS短路

RSS = C GD

OSS = C DS + C GD

14

ID = -4.3A

-V GS ，栅 - 源极电压（ V）

12

10

8

6

4

2

0

C，电容（pF ）

1000

VDS = -16V

VDS = -10V

西塞

科斯

CRSS

100

10

1

10

-VDS ，漏极至源极电压（ V）

100

0

4

8

12

16

20

QG ，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

100

在这一领域

限于由R DS （ ON）

10

100μsec

-I SD ，反向漏电流（ A）

10

T J = 150℃

-I D，漏极 - 源极电流（A ）

1

1msec

1

T J = 25°C

0.1

T A = 25°C

10msec

VGS = 0V

0.1

0.3

0.5

0.7

0.9

1.1

-VSD ，源极到漏极电压（V ）

TJ = 150℃

单脉冲

0

1

10

100

0.01

-VDS ，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4

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IRLML2244TRPbF

V

DS

5

R

D

V

GS

4

-ID ，漏极电流（ A）

D.U.T.

3

-V

GS

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

2

图10A 。

开关时间测试电路

1

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

0

25

50

75

100

125

150

T A ，环境温度（ ° C）

V

GS

10%

图9 。

最大漏极电流比。

环境温度

90%

V

DS

图10B 。

开关时间波形

1000

热响应（Z thJA ）° C / W

100

10

1

0.1

0.01

D = 0.50

0.20

0.10

0.05

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

注意事项：

1.占空比D = T1 / T2

2.峰值TJ = P DM X Zthja +钽

0.001

0.01

0.1

1

10

100

0.001

1E-006

1E-005

0.0001

T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

典型的有效瞬态热阻抗，结到环境

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+

-

R

G

V

DD

5

产品speci fi cation

IRLML2244TRPbF

V

DS

V

GS最大

R

DS （ ON） MAX

(@V

GS

= -4.5V)

-20

± 12

54

95

V

mΩ

S

2

G 1

HEXFET

功率MOSFET

3 D

R

DS （ ON） MAX

(@V

GS

= -2.5V)

Micro3

TM

(SOT-23)

IRLML2244TRPbF

应用程序（S ）

系统/负载开关

特点和优点

特点

低R

DS （ ON）

(

≤

54mΩ)

工业标准引脚

兼容现有的表面贴装技术

不含铅，无溴，无卤素RoHS标准

MSL1 ，消费者资格

好处

低开关损耗

多厂商兼容性

结果更容易制造

环保

提高可靠性

绝对最大额定值

符号

V

DS

I

D

@ T

A

= 25°C

I

D

@ T

A

= 70°C

I

DM

P

D

@T

A

= 25°C

P

D

@T

A

= 70°C

V

GS

T

J,

T

英镑

参数

漏源电压

连续漏电流， V

GS

@ -4.5V

连续漏电流， V

GS

@ -4.5V

漏电流脉冲

最大功率耗散

线性降额因子

栅极 - 源极电压

结温和存储温度范围

马克斯。

-20

-4.3

-3.4

-18

1.3

0.8

0.01

± 12

-55到+ 150

单位

V

A

W

W / ℃，

V

°C

热阻

符号

R

θJA

R

θJA

参数

结到环境

e

典型值。

–––

马克斯。

100

99

单位

° C / W

结到环境（ t<10s ）

f

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sales@twtysemi.com

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产品speci fi cation

IRLML2244TRPbF

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

符号

V

（ BR ） DSS

参数

漏极至源极击穿电压

分钟。典型值。马克斯。单位

-20

–––

-0.4

–––

6.5

–––

0.01

42

71

–––

8.9

–––

6.9

1.0

2.9

7.0

12

34

25

570

160

110

–––

54

95

-1.1

1

150

-100

100

–––

pF

ns

nC

V

条件

V

GS

= 0V时，我

D

= -250μA

V

GS

= -4.5V ，我

D

= -4.3A

V

GS

= -2.5V ，我

D

V

DS

= V

GS

, I

D

= -10μA

V

DS

=-16V, V

GS

= 0V

V

DS

= -16V, V

GS

= 0V ，T

J

= 125°C

V

GS

= 12V

V

GS

= -12V

V

DS

= -10V ，我

D

=-4.3A

I

D

= -4.3A

V

DS

=-10V

V

DD

V

GS

= -4.5V

I

D

= -1A

R

G

= 6.8Ω

V

GS

= -4.5V

V

GS

= 0V

V

DS

= -16V

= 1.0kHz

ΔV

（ BR ） DSS

/ΔT

J

击穿电压温度。系数

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

I

DSS

I

GSS

R

G

政府飞行服务队

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

内部栅极电阻

正向跨导

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

V / ℃参考至25℃ ，我

D

= -1mA

mΩ

V

μA

nA

Ω

S

d

= -3.4A

d

=-10V

d

源 - 漏额定值和特性

符号

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

分钟。典型值。马克斯。单位

–––

21

9.0

-1.3

A

-18

-1.2

32

14

V

ns

nC

条件

MOSFET符号

展示

整体反转

p-n结二极管。

G

S

D

T

J

= 25 ° C，I

S

= -4.3A ，V

GS

= 0V

T

J

= 25 ° C，V

R

= -16V ，我

F

=-4.3A

的di / dt = 100A / μs的

d

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

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