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PD - 97448
IRLML2060TRPbF
HEXFET
功率MOSFET
V
DS
V
GS最大
R
DS （ ON） MAX
(@V
GS
= 10V)
60
± 16
480
640
V
V
m
m
6 
* 
 '
Micro3
TM
(SOT-23)
IRLML2060TRPbF
R
DS （ ON） MAX
(@V
GS
= 4.5V)
应用程序（S ）
负载/系统开关
特点和优点
特点
工业标准引脚
兼容现有的表面贴装技术
不含铅，无溴，无卤素RoHS标准
MSL1
好处
多厂商兼容性
结果更容易制造
环保
提高可靠性
绝对最大额定值
符号
V
DS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
V
GS
T
J,
T
英镑
参数
漏源电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
最大功率耗散
最大功率耗散
线性降额因子
栅极 - 源极电压
结温和存储温度范围
马克斯。
60
1.2
0.93
4.8
1.25
0.80
0.01
± 16
-55到+ 150
单位
V
A
W
W / ℃，
V
°C
热阻
符号
R
θJA
R
θJA
参数
结到环境
e
典型值。
–––
–––
马克斯。
100
99
单位
° C / W
结到环境（ t<10s ）
f
订货信息：
查看详细的订购和发货信息，本数据手册的最后一页上。
笔记
通过
在第10页
www.irf.com
1
02/08/10
IRLML2060TRPbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
V
（ BR ） DSS
参数
漏极至源极击穿电压
分钟。典型值。马克斯。单位
60
–––
–––
–––
1.0
–––
–––
–––
–––
–––
1.6
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.06
356
475
–––
–––
–––
–––
–––
7.5
–––
0.67
0.18
0.40
4.9
3.8
3.7
2.8
64
13
6.6
–––
–––
480
640
2.5
20
150
100
-100
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
ns
nC
V
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 1.2A
V
GS
= 4.5V ，我
D
V
（ BR ） DSS
/T
J
击穿电压温度。系数
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
R
G
政府飞行服务队
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
内部栅极电阻
正向跨导
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
V / ℃参考至25℃ ，我
D
= 5.0毫安
m
V
A
nA
S
V
DS
= 25V ，我
D
= 1.2A
I
D
= 1.2A
V
DS
= 30V
V
DD
V
GS
= 4.5V
I
D
= 1.2A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 25A
V
DS
= 60V, V
GS
= 0V
d
= 0.96A
d
V
DS
= 60V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
GS
= 16V
V
GS
= -16V
d
= 30V
d
R
G
= 6.8
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz的
源 - 漏额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
14
8.3
1.2
A
4.8
1.2
21
12
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 1.2A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，V
R
= 30V ，我
F
=1.3A
的di / dt = 100A / μs的
d
d
2
www.irf.com
IRLML2060TRPbF
10
顶部
VGS
10V
8.0V
4.5V
4.0V
3.8V
3.5V
3.3V
3.0V
10
顶部
VGS
10V
8.0V
4.5V
4.0V
3.8V
3.5V
3.3V
3.0V
1
底部
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
1
底部
3.0V
0.1
0.1
3.0V
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 25°C
0.01
0.1
1
10
100
1000
V DS ，漏极至源极电压（ V）
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 150℃
0.01
0.1
1
10
100
1000
V DS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
10
2.5
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
（归一化）
ID = 1.2A
2.0
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
VGS = 10V
1
T J = 150℃
1.5
T J = 25°C
VDS = 25V
≤60s
脉冲宽度
2
3
4
5
6
1.0
0.1
0.5
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
T J ，结温（ ° C）
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
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3
IRLML2060TRPbF
1000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
西塞= C GS + Cgd的，C DS短路
CRSS = C GD
COSS =硫化镉+ Cgd的
14.0
ID = 1.2A
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
12.0
10.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0.0
C，电容（pF ）
VDS = 48V
VDS = 30V
VDS = 12V
100
西塞
科斯
10
CRSS
1
1
10
VDS ，漏极至源极电压（ V）
100
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
QG ，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
10
100
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ISD ，反向漏电流（ A）
10
在这一领域
限于由R DS （ ON）
1毫秒100微秒
T J = 150℃
1
T J = 25°C
1
10msec
0.1
T A = 25°C
VGS = 0V
0.1
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
VSD ，源极到漏极电压（V ）
0.01
0
TJ = 150℃
单脉冲
1
10
100
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
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IRLML2060TRPbF
1.2
V
DS
1.0
ID ，漏电流（ A）
R
D
V
GS
R
G
V
GS
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
D.U.T.
+
0.8
0.6
0.4
0.2
V
DS
-
V
DD
图10A 。
开关时间测试电路
0.0
25
50
75
100
125
150
T A ，环境温度（ ° C）
90%
图9 。
最大漏极电流比。
环境温度
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图10B 。
开关时间波形
1000
热响应（Z thJA ）° C / W
100
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
10
1
0.1
单脉冲
（热反应）
注意事项：
1.占空比D = T1 / T2
2.峰值TJ = P DM X Zthja +钽
0.001
0.01
0.1
1
10
0.01
1E-006
1E-005
0.0001
T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
典型的有效瞬态热阻抗，结到环境
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5
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