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PD - 97157
IRLML0100TRPbF
V
DS
V
GS最大
R
DS （ ON） MAX
(@V
GS
= 10V)
HEXFET
功率MOSFET
100
± 16
220
235
V
V
m
m
G 1
3 D
S
2
:
:
R
DS （ ON） MAX
(@V
GS
= 4.5V)
Micro3
TM
(SOT-23)
IRLML0100TRPbF
应用程序（S ）
负载/系统开关
特点和优点
特点
工业标准引脚
兼容现有的表面贴装技术
不含铅，无溴，无卤素RoHS标准
MSL1
结果
好处
多厂商兼容性
容易制造
环保
提高可靠性
绝对最大额定值
符号
V
DS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
V
GS
T
J,
T
英镑
参数
漏源电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
最大功率耗散
最大功率耗散
线性降额因子
栅极 - 源极电压
结温和存储温度范围
马克斯。
100
1.6
1.3
7.0
1.3
0.8
0.01
± 16
-55到+ 150
单位
V
A
W
W / ℃，
V
°C
热阻
符号
R
θJA
R
θJA
参数
结到环境
e
典型值。
–––
–––
马克斯。
100
99
单位
° C / W
结到环境（ t<10s ）
f
订货信息：
查看详细的订购和发货信息，本数据手册的最后一页上。
笔记
通过
在第10页
www.irf.com
1
11/24/09
IRLML0100TRPbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
V
（ BR ） DSS
参数
漏极至源极击穿电压
分钟。典型值。马克斯。单位
100
–––
–––
–––
1.0
–––
–––
–––
–––
–––
5.7
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.10
190
178
–––
–––
–––
–––
–––
1.3
–––
2.5
0.5
1.2
2.2
2.1
9.0
3.6
290
27
13
–––
–––
235
220
2.5
20
250
100
-100
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
ns
nC
Ω
S
nA
V
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 1.3A
V
GS
= 10V ，我
D
V
DS
= V
GS
, I
D
= 25A
V
DS
=100V, V
GS
= 0V
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
GS
= 16V
V
GS
= -16V
V
DS
= 50V ，我
D
= 1.6A
I
D
= 1.6A
V
DS
=50V
V
DD
V
GS
= 4.5V
I
D
= 1.0A
R
G
= 6.8Ω
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz的
ΔV
（ BR ） DSS
/ΔT
J
击穿电压温度。系数
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
R
G
政府飞行服务队
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
内部栅极电阻
正向跨导
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
V / ℃参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
mΩ
V
A
d
= 1.6A
d
d
=50V
d
源 - 漏额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
20
13
1.1
A
7.0
1.3
30
20
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 1.1A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，V
R
= 50V ，我
F
=1.1A
的di / dt = 100A / μs的
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
d
d
2
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IRLML0100TRPbF
100
≤60s
脉冲宽度
TJ = 25°C
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
顶部
VGS
10.0V
4.50V
3.50V
3.30V
3.25V
2.50V
2.35V
2.25V
100
≤60s
脉冲宽度
TJ = 150℃
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
顶部
VGS
10.0V
4.50V
3.50V
3.30V
3.25V
2.50V
2.35V
2.25V
10
底部
10
底部
1
1
2.25V
0.1
2.25V
0.01
0.1
1
10
100
VDS ，漏极至源极电压（ V）
0.1
0.1
1
10
100
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
10
2.5
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
（归一化）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ID = 1.6A
VGS = 10V
2.0
1
TJ = 150℃
1.5
0.1
TJ = 25°C
1.0
VDS = 50V
≤60s
脉冲宽度
0.01
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
0.5
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
TJ ，结温（ ° C）
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
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3
IRLML0100TRPbF
10000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
西塞=的Cgs + Cgd的，光盘短路
CRSS = Cgd的
COSS =硫化镉+ Cgd的
16
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
ID = 1.6A
12
1000
C，电容（pF ）
VDS = 80V
VDS = 50V
VDS = 20V
西塞
100
8
科斯
CRSS
10
4
0
1
1
10
VDS ，漏极至源极电压（ V）
100
0
1
2
3
4
5
6
7
QG总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100
100
10
TJ = 150℃
1
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
在这一领域
限于由R DS （ ON）
10
100sec
1
1msec
ISD ，反向漏电流（ A）
0.1
TJ = 25°C
VGS = 0V
0.01
0.4
0.6
0.8
1.0
VSD ，源极到漏极电压（V ）
0.1
TA = 25°C
TJ = 150℃
单脉冲
0.01
0.1
1
10
100
VDS ，漏极至源极电压（ V）
10msec
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
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IRLML0100TRPbF
2.0
V
DS
V
GS
ID ，漏电流（ A）
1.5
R
D
R
G
V
GS
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
D.U.T.
+
-
V
DD
1.0
0.5
图10A 。
开关时间测试电路
V
DS
0.0
25
50
75
100
125
150
90%
TA ，环境温度（ ° C）
图9 。
最大漏极电流比。
环境温度
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图10B 。
开关时间波形
1000
热响应（ ZthJA ）
100
D = 0.50
0.20
10
0.10
0.05
0.02
0.01
1
0.1
单脉冲
（热反应）
0.01
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
注意事项：
1.占空比D = T1 / T2
2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝
0.1
1
10
T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
典型的有效瞬态热阻抗，结到环境
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IDT74FCT646ATPGB
IRFF131R
IXTT90P10P
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