【PD - 96309IRLML0040TRPbFVDSSVGS最大RDS （ ON） MAX(@VG】,IC型号IRLML0040TRPBF,IRLML0040TRPBF PDF资料,IRLML0040TRPBF经销商,ic,电子元器件-51电子网

PD - 96309

IRLML0040TRPbF

V

DSS

V

GS最大

R

DS （ ON） MAX

(@V

GS

= 10V)

40

± 16

56

78

V

m

6

*

HEXFET

功率MOSFET

'

Micro3

TM

(SOT-23)

IRLML0040TRPbF

R

DS （ ON） MAX

(@V

GS

= 4.5V)

应用程序（S ）

负载/系统开关

直流电机驱动

特点和优点

特点

低R

DS （ ON）

(

≤

56m)

工业标准引脚

兼容现有的表面贴装技术

不含铅，无溴，无卤素RoHS标准

MSL1 ，消费者资格

好处

低开关损耗

多厂商兼容性

结果更容易制造

环保

提高可靠性

绝对最大额定值

符号

V

DS

I

D

@ T

A

= 25°C

I

D

@ T

A

= 70°C

I

DM

P

D

@T

A

= 25°C

P

D

@T

A

= 70°C

V

GS

T

J,

T

英镑

参数

漏源电压

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

最大功率耗散

线性降额因子

栅极 - 源极电压

结温和存储温度范围

马克斯。

40

3.6

2.9

15

1.3

0.8

0.01

± 16

-55到+ 150

单位

V

A

W

W / ℃，

V

°C

热阻

符号

R

θJA

R

θJA

参数

结到环境

e

典型值。

–––

马克斯。

100

99

单位

° C / W

结到环境（ t<10s ）

f

订货信息：

查看详细的订购和发货信息，本数据手册的最后一页上。

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笔记

通过

在第10页

1

05/26/10

IRLML0040TRPbF

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

符号

V

（ BR ） DSS

参数

漏极至源极击穿电压

分钟。典型值。马克斯。单位

40

–––

1.0

–––

6.2

–––

0.04

44

62

1.8

–––

1.1

–––

2.6

0.7

1.4

5.1

5.4

6.4

4.3

266

49

29

–––

56

78

2.5

20

250

100

-100

–––

3.9

–––

pF

ns

nC

V

条件

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

V

GS

= 10V ，我

D

= 3.6A

V

GS

= 4.5V ，我

D

V

（ BR ） DSS

/T

J

击穿电压温度。系数

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

I

DSS

I

GSS

R

G

政府飞行服务队

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

内部栅极电阻

正向跨导

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

V / ℃参考至25℃ ，我

D

= 1毫安

m

V

A

nA

S

V

DS

= 10V ，我

D

= 3.6A

I

D

= 3.6A

V

DS

= 20V

V

GS

= 4.5V

V

DD

= 20V

I

D

= 1.0A

R

G

= 6.8

V

GS

= 4.5V

V

GS

= 0V

V

DS

= 25V

= 1.0MHz的

d

= 2.9A

d

V

DS

= V

GS

, I

D

= 25A

V

DS

= 40V, V

GS

= 0V

V

DS

= 40V, V

GS

= 0V ，T

J

= 125°C

V

GS

= 16V

V

GS

= -16V

d

源 - 漏额定值和特性

符号

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

分钟。典型值。马克斯。单位

–––

10

9.3

1.3

A

15

1.2

–––

V

ns

nC

条件

MOSFET符号

展示

整体反转

G

S

D

p-n结二极管。

T

J

= 25 ° C，I

S

= 1.3A ，V

GS

= 0V

T

J

= 25 ° C，V

R

= 32V ，我

F

= 1.3 A

的di / dt = 100A / μs的

d

2

www.irf.com

IRLML0040TRPbF

100

顶部

VGS

10V

7.0V

6.0V

4.5V

4.0V

3.5V

3.0V

2.5V

100

顶部

VGS

10V

7.0V

6.0V

4.5V

4.0V

3.5V

3.0V

2.5V

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

10

1

底部

0.1

2.5V

≤60s

脉冲宽度TJ = 25℃

1

2.5V

0.01

≤

在60μs脉冲宽度

0.1

TJ = 150℃

0.1

1

100

10

100

0.001

0.1

1

10

V DS ，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

100

VDS = 25V

≤60s

脉冲宽度

10

2.0

RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻

（归一化）

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

ID = 3.6A

VGS = 10V

1.5

TJ = 150℃

1

T J = 25°C

1.0

0.1

2.0

3.0

4.0

5.0

0.5

-60 -40 -20 0

20 40 60 80 100 120 140 160

T J ，结温（ ° C）

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

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3

IRLML0040TRPbF

10000

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

ISS = C GS + C GD ，C DS短路

RSS = C GD

OSS = C DS + C GD

14

ID = 3.6A

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

12

10

8

6

4

2

0

C，电容（pF ）

VDS = 32V

VDS = 20V

VDS = 8V

1000

西塞

100

科斯

CRSS

10

1

10

VDS ，漏极至源极电压（ V）

100

0

1

2

3

4

5

6

7

QG ，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

100

在这一领域

限于由R DS （ ON）

10

100sec

10

T J = 150℃

1

T J = 25°C

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

ISD ，反向漏电流（ A）

1

1msec

10msec

0.1

T A = 25°C

VGS = 0V

0.1

0.3

0.5

0.7

0.9

1.1

VSD ，源极到漏极电压（V ）

0.01

0

TJ = 150℃

单脉冲

1

10

100

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4

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IRLML0040TRPbF

4.2

V

DS

3.6

ID ，漏电流（ A）

R

D

V

GS

R

G

V

GS

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

D.U.T.

+

3

2.4

1.8

1.2

0.6

0

25

50

75

100

125

150

T A ，环境温度（ ° C）

-

V

DD

图10A 。

开关时间测试电路

V

DS

90%

图9 。

最大漏极电流比。

环境温度

10%

V

GS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

图10B 。

开关时间波形

1000

热响应（Z thJA ）° C / W

100

10

1

0.1

0.01

0.001

1E-006

D = 0.50

0.20

0.10

0.05

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

1E-005

0.0001

0.001

0.01

0.1

注意事项：

1.占空比D = T1 / T2

2.峰值TJ = P DM X Zthja + T A

1

10

100

T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

典型的有效瞬态热阻抗，结到环境

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5

产品speci fi cation

IRLML0040TRPbF

V

DSS

V

GS最大

R

DS （ ON） MAX

(@V

GS

= 10V)

40

± 16

56

78

V

m

Ω

m

Ω

S

2

G 1

HEXFET

功率MOSFET

3 D

R

DS （ ON） MAX

(@V

GS

= 4.5V)

Micro3

TM

(SOT-23)

IRLML0040TRPbF

应用程序（S ）

负载/系统开关

直流电机驱动

特点和优点

特点

低R

DS （ ON）

(

≤

56mΩ)

工业标准引脚

兼容现有的表面贴装技术

不含铅，无溴，无卤素RoHS标准

MSL1 ，消费者资格

好处

低开关损耗

多厂商兼容性

结果更容易制造

环保

提高可靠性

绝对最大额定值

符号

V

DS

I

D

@ T

A

= 25°C

I

D

@ T

A

= 70°C

I

DM

P

D

@T

A

= 25°C

P

D

@T

A

= 70°C

V

GS

T

J,

T

英镑

参数

漏源电压

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

最大功率耗散

线性降额因子

栅极 - 源极电压

结温和存储温度范围

马克斯。

40

3.6

2.9

15

1.3

0.8

0.01

± 16

-55到+ 150

单位

V

A

W

W / ℃，

V

°C

热阻

符号

R

θJA

R

θJA

参数

结到环境

e

典型值。

–––

马克斯。

100

99

单位

° C / W

结到环境（ t<10s ）

f

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sales@twtysemi.com

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产品speci fi cation

IRLML0040TRPbF

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

符号

V

（ BR ） DSS

参数

漏极至源极击穿电压

分钟。典型值。马克斯。单位

40

–––

1.0

–––

6.2

–––

0.04

44

62

1.8

–––

1.1

–––

2.6

0.7

1.4

5.1

5.4

6.4

4.3

266

49

29

–––

56

78

2.5

20

250

100

-100

–––

3.9

–––

pF

ns

nC

V

条件

V

GS

= 0V时，我

D

= 250μA

V

GS

= 10V ，我

D

= 3.6A

V

GS

= 4.5V ，我

D

ΔV

（ BR ） DSS

/ΔT

J

击穿电压温度。系数

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

I

DSS

I

GSS

R

G

政府飞行服务队

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

内部栅极电阻

正向跨导

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

V / ℃参考至25℃ ，我

D

= 1毫安

mΩ

V

μA

nA

Ω

S

V

DS

= 10V ，我

D

= 3.6A

I

D

= 3.6A

V

DS

= 20V

V

GS

= 4.5V

V

DD

= 20V

I

D

= 1.0A

R

G

= 6.8

Ω

V

GS

= 4.5V

V

GS

= 0V

V

DS

= 25V

= 1.0MHz的

d

= 2.9A

d

V

DS

= V

GS

, I

D

= 25μA

V

DS

= 40V, V

GS

= 0V

V

DS

= 40V, V

GS

= 0V ，T

J

= 125°C

V

GS

= 16V

V

GS

= -16V

d

源 - 漏额定值和特性

符号

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

分钟。典型值。马克斯。单位

–––

10

9.3

1.3

A

15

1.2

–––

V

ns

nC

条件

MOSFET符号

展示

整体反转

G

S

D

p-n结二极管。

T

J

= 25 ° C，I

S

= 1.3A ，V

GS

= 0V

T

J

= 25 ° C，V

R

= 32V ，我

F

= 1.3 A

的di / dt = 100A / μs的

d

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

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