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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第653页 > IRLM220A
先进的功率MOSFET
特点
½
雪崩坚固的技术
½
坚固的门栅氧化层技术
½
较低的输入电容
½
改进的栅极电荷
½
扩展安全工作区
½
低漏电流： 10
A
（最大值） @ V
DS
= 200V
½
低
DS （ ON）
: 0.609
（典型值）。
IRLM220A
BV
DSS
= 200 V
R
DS （ ON）
= 0.8
I
D
= 1.13 A
SOT-223
2
1
3
1.门2.排水3.源
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
特征
漏极至源极电压
连续漏电流（T
A
=25°C)
连续漏电流（T
A
=70°C)
漏电流脉冲
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
总功率耗散（T
A
=25°C) *
线性降额因子*
工作结
存储温度范围
最大的铅温度。焊锡
目的， 1/8“案件从5秒
(2)
(1)
(1)
(3)
(1)
价值
200
1.13
0.9
9
±20
29
1.13
0.2
5
2
0.016
- 55 + 150
°C
300
单位
V
A
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
W
W / ℃，
热阻
符号
R
θJA
特征
结到环境*
典型值。
--
马克斯。
62.5
单位
° C / W
*
当安装在推荐的最小焊盘尺寸（ PCB安装） 。
REV 。一
N沟道
功率MOSFET
IRLM220A
特征
--
分钟。典型值。马克斯。单位
200
--
1.0
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
0.18
--
--
--
--
--
--
2.8
330
55
8
6
24
6
6
10.3
2.0
4.4
0.8
--
430
70
30
25
20
60
20
15
--
--
nC
ns
pF
--
2.0
100
-100
10
100
A
S
V
V
nA
测试条件
V
GS
=0V,I
D
=250A
参见图7
V
DS
=5V,I
D
=250A
V
GS
=20V
V
GS
=--20V
V
DS
=200V
V
DS
=160V,T
C
=125°C
V
GS
=5V,I
D
=0.57A
V
DS
=40V,I
D
=0.57A
(4)
(4)
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有规定编）
符号
BV
DSS
ΔBV / ΔT
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
漏源击穿电压
击穿电压温度。 COEFF 。
栅极阈值电压
门源泄漏，正向
门源漏，反
漏极至源极漏电流
静态漏源
导通状态电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ “米勒” ）费
V / ° C I
D
=250A
V
GS
=0V,V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
参见图5
V
DD
=100V,I
D
=5A,
R
G
=9
见图13
V
DS
=160V,V
GS
=5V,
I
D
=5A
参见图6 &图12
(4)(5)
(4)(5)
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
特征
连续源电流
脉冲源电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
(1)
(4)
分钟。典型值。马克斯。单位
--
--
--
--
--
--
--
--
140
0.59
1.13
9
1.5
--
--
A
V
ns
C
测试条件
积分反向PN二极管
在MOSFET
T
J
=25°C,I
S
=1.13A,V
GS
=0V
T
J
=25°C,I
F
=5A
di
F
/dt=100A/s
(4)
注意事项;
①
重复评价：脉冲宽度由最大结温的限制
②
L = 35mH ，我
AS
= 1.13A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 27Ω ，起始物为
J
=25°C
③
I
SD
≤
如图5A所示， di / dt的
≤
180A / μs的，V
DD
≤
BV
DSS
，起始物为
J
=25°C
④
脉冲测试：脉冲宽度= 250μs，其占空比
≤
2%
⑤
基本上是独立工作温度
N沟道
功率MOSFET
看图1，输出特性
V
GS
IRLM220A
如图2传输特性
1
1
0
1
1
0
I
D
，漏电流[ A]
1
0
0
I
D
，漏电流[ A]
7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
4.5 V
4.0 V
3.5 V
底部： 3.0 V
上图：
1 0
o
C
5
1
0
0
2
o
C
5
- 5
o
C
5
1
-1
0
@Nts ：
oe
1 2 0
S·P升（E T） s
. 5
美国东部
2 T = 2
o
C
.
5
C
@Nts ：
oe
1 V =0V
.
GS
2 V =4 V
.
DS
0
3 2 0
S·P升（E T） s
. 5
美国东部
4
6
8
1
0
1
-1
0
1
0
0
1
1
0
1
-1
0
0
2
V
DS
，漏源电压[V]
V
GS
，栅源电压[V]
图3.导通电阻与漏电流
20
.
图4.源极 - 漏极二极管正向电压
I
DR
，反向漏电流[ A]
1
1
0
R
DS （ ON）
, [
]
漏源导通电阻
15
.
V =5V
GS
10
.
1
0
0
05
.
V =1 V
0
GS
@ N T： T = 2
o
C
oe
J
5
00
.
0
3
6
9
1
2
1
5
1
8
1 0
o
C
5
2
o
C
5
1
-1
0
04
.
06
.
08
.
10
.
12
.
@Nts ：
oe
1 V =0V
.
GS
美国东部
2 2 0
S·P升（E T） s
. 5
14
.
16
.
18
.
I
D
，漏电流[ A]
V
SD
，源极 - 漏极电压[ V]
图5.电容与漏源电压
50
0
C = C + C（ C = SOTD ）
ISS GS GD
ds
H·R ê
C =C +C
OSS DS GD
C =C
RSS GD
6
图6.栅极电荷与栅源电压
40
0
C
国际空间站
V =4 V
0
DS
V
GS
，栅源电压[V]
电容[ pF的]
V =10V
0
DS
V =10V
6
DS
4
30
0
20
0
C
OSS
@Nts ：
oe
1 V =0V
.
GS
2 F = 1MZ
.
H
2
10
0
C
RSS
@Nts ： I = 5A
oe
D
0
0
2
4
6
8
1
0
1
2
0
0
1
0
1
1
0
V
DS
，漏源电压[V]
Q
G
，总栅极电荷[ NC ]
IRLM220A
图7.击穿电压与温度的关系
12
.
25
.
N沟道
功率MOSFET
图8.导通电阻与温度的关系
漏源击穿电压
R
DS （ ON）
（归一化）
漏源导通电阻
20
.
BV
DSS
（归一化）
11
.
15
.
10
.
10
.
@Nts ：
oe
1 V =5V
.
GS
2 I = 25A
.
D
.
-0
5
-5
2
0
2
5
5
0
7
5
10
0
o
09
.
@Nts ：
oe
1 V =0V
.
GS
D
05
.
2 I = 2 0
A
.
5
08
.
-5
7
-0
5
-5
2
0
2
5
5
0
7
5
10
0
o
15
2
10
5
15
7
00
.
-5
7
15
2
10
5
15
7
T
J
，结温[C]
T
J
，结温[C]
1
2
0
图9.最大。安全工作区
Oeaini钛阂
prto HS RA
我L M T d设定B R
DS （ ON）
s IIE
图10.最大。漏极电流与环境温度
15
.
I
D
，漏电流[ A]
1
0
0
1 0
s
0
1m
s
1 m
0 s
D
C
@Nts ：
oe
1 T = 2
o
C
.
C
5
2 T = 1 0
o
C
.
J
5
3 SNL PLE
。 IGE美国
I
D
，漏电流[ A]
1
1
0
10
.
1
-1
0
05
.
1
-2
0
1
-3 -1
0
1
0
1
0
0
1
1
0
1
2
0
00
.
2
5
5
0
7
5
10
0
15
2
10
5
V
DS
，漏源电压[V]
T
A
，环境温度[
o
C]
热响应
10
2
图11.热响应
D=0.5
10
1
0.2
0.1
0.05
0.02
@注意事项：
1. Z
J A
(t)=62.5
θ
o
C / W最大。
2.占空比，D = T
1
/t
2
10
0
0.01
单脉冲
3. T
J·M
-T
A
=P
D M
*Z
P
DM
t
1
t
2
θ
JA
(t)
Z（ T）
θ
JA
10
- 1 - 5
10
10
- 4
10
- 3
10
- 2
10
- 1
10
0
10
1
10
2
10
3
t
1
，方波脉冲持续时间
[秒]
N沟道
功率MOSFET
图12.栅极电荷测试电路波形&
IRLM220A
- 电流
REGULATOR
50K
12V
200nF
300nF
同一类型
作为DUT
V
GS
Q
g
5V
V
DS
V
GS
DUT
3mA
Q
gs
Q
gd
R
1
电流取样（我
G
)
电阻器
R
2
电流取样（我
D
)
电阻器
收费
图13.电阻开关测试电路波形&
R
L
V
OUT
V
in
R
G
DUT
V
in
5V
t
D（上）
t
on
t
r
t
D（关闭）
t
关闭
t
f
10%
V
OUT
V
DD
（ 0.5额定V
DS
)
90%
图14.非钳位感应开关测试电路波形&
L
L
V
DS
异吨
p
获得
所需的峰值I
D
BV
DSS
1
E
AS
= ---- L
L
I
AS2
--------------------
2
BV
DSS
-- V
DD
BV
DSS
I
AS
C
V
DD
V
DD
t
p
I
D
R
G
DUT
5V
t
p
I
D
(t)
V
DS
(t)
时间
先进的功率MOSFET
特点
½
雪崩坚固的技术
½
坚固的门栅氧化层技术
½
较低的输入电容
½
改进的栅极电荷
½
扩展安全工作区
½
低漏电流： 10
A
（最大值） @ V
DS
= 200V
½
低
DS （ ON）
: 0.609
（典型值）。
IRLM220A
BV
DSS
= 200 V
R
DS （ ON）
= 0.8
I
D
= 1.13 A
SOT-223
2
1
3
1.门2.排水3.源
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
特征
漏极至源极电压
连续漏电流（T
A
=25°C)
连续漏电流（T
A
=70°C)
漏电流脉冲
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
总功率耗散（T
A
=25°C) *
线性降额因子*
工作结
存储温度范围
最大的铅温度。焊锡
目的， 1/8“案件从5秒
(2)
(1)
(1)
(3)
(1)
价值
200
1.13
0.9
9
±20
29
1.13
0.2
5
2
0.016
- 55 + 150
°C
300
单位
V
A
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
W
W / ℃，
热阻
符号
R
θJA
特征
结到环境*
典型值。
--
马克斯。
62.5
单位
° C / W
*
当安装在推荐的最小焊盘尺寸（ PCB安装） 。
REV 。一
N沟道
功率MOSFET
IRLM220A
特征
--
分钟。典型值。马克斯。单位
200
--
1.0
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
0.18
--
--
--
--
--
--
2.8
330
55
8
6
24
6
6
10.3
2.0
4.4
0.8
--
430
70
30
25
20
60
20
15
--
--
nC
ns
pF
--
2.0
100
-100
10
100
A
S
V
V
nA
测试条件
V
GS
=0V,I
D
=250A
参见图7
V
DS
=5V,I
D
=250A
V
GS
=20V
V
GS
=--20V
V
DS
=200V
V
DS
=160V,T
C
=125°C
V
GS
=5V,I
D
=0.57A
V
DS
=40V,I
D
=0.57A
(4)
(4)
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有规定编）
符号
BV
DSS
ΔBV / ΔT
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
漏源击穿电压
击穿电压温度。 COEFF 。
栅极阈值电压
门源泄漏，正向
门源漏，反
漏极至源极漏电流
静态漏源
导通状态电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ “米勒” ）费
V / ° C I
D
=250A
V
GS
=0V,V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
参见图5
V
DD
=100V,I
D
=5A,
R
G
=9
见图13
V
DS
=160V,V
GS
=5V,
I
D
=5A
参见图6 &图12
(4)(5)
(4)(5)
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
特征
连续源电流
脉冲源电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
(1)
(4)
分钟。典型值。马克斯。单位
--
--
--
--
--
--
--
--
140
0.59
1.13
9
1.5
--
--
A
V
ns
C
测试条件
积分反向PN二极管
在MOSFET
T
J
=25°C,I
S
=1.13A,V
GS
=0V
T
J
=25°C,I
F
=5A
di
F
/dt=100A/s
(4)
注意事项;
①
重复评价：脉冲宽度由最大结温的限制
②
L = 35mH ，我
AS
= 1.13A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 27Ω ，起始物为
J
=25°C
③
I
SD
≤
如图5A所示， di / dt的
≤
180A / μs的，V
DD
≤
BV
DSS
，起始物为
J
=25°C
④
脉冲测试：脉冲宽度= 250μs，其占空比
≤
2%
⑤
基本上是独立工作温度
N沟道
功率MOSFET
看图1，输出特性
V
GS
IRLM220A
如图2传输特性
1
1
0
1
1
0
I
D
，漏电流[ A]
1
0
0
I
D
，漏电流[ A]
7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
4.5 V
4.0 V
3.5 V
底部： 3.0 V
上图：
1 0
o
C
5
1
0
0
2
o
C
5
- 5
o
C
5
1
-1
0
@Nts ：
oe
1 2 0
S·P升（E T） s
. 5
美国东部
2 T = 2
o
C
.
5
C
@Nts ：
oe
1 V =0V
.
GS
2 V =4 V
.
DS
0
3 2 0
S·P升（E T） s
. 5
美国东部
4
6
8
1
0
1
-1
0
1
0
0
1
1
0
1
-1
0
0
2
V
DS
，漏源电压[V]
V
GS
，栅源电压[V]
图3.导通电阻与漏电流
20
.
图4.源极 - 漏极二极管正向电压
I
DR
，反向漏电流[ A]
1
1
0
R
DS （ ON）
, [
]
漏源导通电阻
15
.
V =5V
GS
10
.
1
0
0
05
.
V =1 V
0
GS
@ N T： T = 2
o
C
oe
J
5
00
.
0
3
6
9
1
2
1
5
1
8
1 0
o
C
5
2
o
C
5
1
-1
0
04
.
06
.
08
.
10
.
12
.
@Nts ：
oe
1 V =0V
.
GS
美国东部
2 2 0
S·P升（E T） s
. 5
14
.
16
.
18
.
I
D
，漏电流[ A]
V
SD
，源极 - 漏极电压[ V]
图5.电容与漏源电压
50
0
C = C + C（ C = SOTD ）
ISS GS GD
ds
H·R ê
C =C +C
OSS DS GD
C =C
RSS GD
6
图6.栅极电荷与栅源电压
40
0
C
国际空间站
V =4 V
0
DS
V
GS
，栅源电压[V]
电容[ pF的]
V =10V
0
DS
V =10V
6
DS
4
30
0
20
0
C
OSS
@Nts ：
oe
1 V =0V
.
GS
2 F = 1MZ
.
H
2
10
0
C
RSS
@Nts ： I = 5A
oe
D
0
0
2
4
6
8
1
0
1
2
0
0
1
0
1
1
0
V
DS
，漏源电压[V]
Q
G
，总栅极电荷[ NC ]
IRLM220A
图7.击穿电压与温度的关系
12
.
25
.
N沟道
功率MOSFET
图8.导通电阻与温度的关系
漏源击穿电压
R
DS （ ON）
（归一化）
漏源导通电阻
20
.
BV
DSS
（归一化）
11
.
15
.
10
.
10
.
@Nts ：
oe
1 V =5V
.
GS
2 I = 25A
.
D
.
-0
5
-5
2
0
2
5
5
0
7
5
10
0
o
09
.
@Nts ：
oe
1 V =0V
.
GS
D
05
.
2 I = 2 0
A
.
5
08
.
-5
7
-0
5
-5
2
0
2
5
5
0
7
5
10
0
o
15
2
10
5
15
7
00
.
-5
7
15
2
10
5
15
7
T
J
，结温[C]
T
J
，结温[C]
1
2
0
图9.最大。安全工作区
Oeaini钛阂
prto HS RA
我L M T d设定B R
DS （ ON）
s IIE
图10.最大。漏极电流与环境温度
15
.
I
D
，漏电流[ A]
1
0
0
1 0
s
0
1m
s
1 m
0 s
D
C
@Nts ：
oe
1 T = 2
o
C
.
C
5
2 T = 1 0
o
C
.
J
5
3 SNL PLE
。 IGE美国
I
D
，漏电流[ A]
1
1
0
10
.
1
-1
0
05
.
1
-2
0
1
-3 -1
0
1
0
1
0
0
1
1
0
1
2
0
00
.
2
5
5
0
7
5
10
0
15
2
10
5
V
DS
，漏源电压[V]
T
A
，环境温度[
o
C]
热响应
10
2
图11.热响应
D=0.5
10
1
0.2
0.1
0.05
0.02
@注意事项：
1. Z
J A
(t)=62.5
θ
o
C / W最大。
2.占空比，D = T
1
/t
2
10
0
0.01
单脉冲
3. T
J·M
-T
A
=P
D M
*Z
P
DM
t
1
t
2
θ
JA
(t)
Z（ T）
θ
JA
10
- 1 - 5
10
10
- 4
10
- 3
10
- 2
10
- 1
10
0
10
1
10
2
10
3
t
1
，方波脉冲持续时间
[秒]
N沟道
功率MOSFET
图12.栅极电荷测试电路波形&
IRLM220A
- 电流
REGULATOR
50K
12V
200nF
300nF
同一类型
作为DUT
V
GS
Q
g
5V
V
DS
V
GS
DUT
3mA
Q
gs
Q
gd
R
1
电流取样（我
G
)
电阻器
R
2
电流取样（我
D
)
电阻器
收费
图13.电阻开关测试电路波形&
R
L
V
OUT
V
in
R
G
DUT
V
in
5V
t
D（上）
t
on
t
r
t
D（关闭）
t
关闭
t
f
10%
V
OUT
V
DD
（ 0.5额定V
DS
)
90%
图14.非钳位感应开关测试电路波形&
L
L
V
DS
异吨
p
获得
所需的峰值I
D
BV
DSS
1
E
AS
= ---- L
L
I
AS2
--------------------
2
BV
DSS
-- V
DD
BV
DSS
I
AS
C
V
DD
V
DD
t
p
I
D
R
G
DUT
5V
t
p
I
D
(t)
V
DS
(t)
时间
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