PD- 91379C
IRLL3303
HEXFET
功率MOSFET
表面贴装
l
动态的dv / dt额定值
l
逻辑电平栅极驱动
l
快速开关
l
易于并联的
l
先进的工艺技术
l
超低导通电阻
描述
l
D
V
DSS
= 30V
G
S
R
DS （ ON）
= 0.031
I
D
= 4.6A
国际整流器第五代HEXFETs
利用先进的加工技术，以实现
极低的导通电阻每硅片面积。这
益处，结合快速开关速度和
坚固耐用的设备的设计， HEXFET功率MOSFET
是众所周知的，为设计者提供了一个非常
高效，可靠的装置，用于在各种各样的应用
应用程序。
采用SOT - 223封装是专为表面贴装
采用气相，红外，或波峰焊技术。
其独特的包装设计便于自动拾波
放与其他SOT或SOIC封装，但有
的改进的热性能的附加好处
由于对散热放大选项卡。功耗
的1.0W可以在一个典型的表面安装的应用程序。
S 0牛逼-22 3
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J,
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V**
连续漏电流， V
GS
@ 10V*
连续漏电流， V
GS
@ 10V*
漏电流脉冲
功耗（ PCB安装） **
功耗（ PCB安装） *
线性降额因子（ PCB安装） *
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量？
雪崩电流？
重复性雪崩能量？
峰值二极管恢复的dv / dt
结温和存储温度范围
马克斯。
6.5
4.6
3.7
37
2.1
1.0
8.3
± 16
140
4.6
0.10
1.3
-55到+ 150
单位
A
W
W
毫瓦/°C的
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJA
R
θJA
结到大使。 （印刷电路板安装，稳态） *
结到大使。 （印刷电路板安装，稳态） **
典型值。
93
48
马克斯。
120
60
单位
° C / W
*当使用最小的占用空间，建议安装在FR- 4电路板。
**当安装在1平方英寸的铜电路板，用于与其他SMD器件的比较。
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1
1/22/99
IRLL3303
100
VGS
15V
10V
7.0V
5.5V
4.5V
4.0V
3.5V
BOT TOM 3.0V
以P
100
I D ，D雨 - 源光凭目前 （A ）
10
I D ，D雨 - 源光凭目前 （A ）
VGS
15V
10V
7.0V
5.5V
4.5V
4.0V
3.5V
BOTTOM 3.0V
顶部
10
3 .0V
3 .0V
1
0.1
1
20 μ S·P ü LS东西TH ID
T
J
= 2 5°C
A
10
1
0.1
1
2 0μ S·P ü L南东西TH ID
T
J
= 15 0°C
A
10
V·D S，D雨来-S ourc é V oltage （ V）
V·D S，D雨来-S环境允许的V oltage （ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
100
2.0
R
S（上）
，漏到-S环境允许 n个电阻
（N ORM alized ）
I
D
= 4 .6A
I
D
，D大雨到那么urce urren T（A ）
1.5
T
J
= 2 5 °C
T
J
= 1 5 0 ° C
10
1.0
0.5
1
3.0
3.5
4.0
V
DS
= 10V
2 0 μ S·P ü L南东西ID牛逼
4.5
5.0
5.5
A
0.0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
V
的s
= 10 V
100 120
140 160
A
V
的s
，G一德以诚-S ü RC è V LTA克E（ V）
T
J
，结牛逼EM perature （ ° C）
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
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3
IRLL3303
1600
1400
20
V
的s
，G吃了对源V oltage （ V）
C
国际空间站
C，电容（pF ）
1200
1000
800
600
400
200
0
1
V
GS
C
国际空间站
C
RS s
C
SS
=
=
=
=
0V ,
F = 1MHz的
C
的s
+ C
克
, C
S
中文 TE
C
gd
C
ds
+ C
克
I
D
= 4.6 A
V
S
= 2 4V
V
S
= 1 5V
16
C
OSS
12
8
C
RSS
4
A
10
100
0
0
10
20
F 释T C IR ú IT
性S E ê F IG ü 9
30
40
50
A
V
S
，D雨来-S ourc é V oltage （ V）
Q
G
，T otal摹吃哈耶（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100
100
I
S.D。
，R EVERSE漏光凭目前 （A ）
P·E R A TIO N IN TH IS A R ê A L IM ITE
B Y形
S（O N）
I
D
，排水光凭目前 （A ）
100s
10
10
T
J
= 1 5 0°C
T
J
= 2 5°C
1米s
1
0.4
0.6
0.8
1.0
V
的s
= 0V
1.2
A
1
T
A
= 25 °C
T
J
= 15 0°C
S荷兰国际集团乐P ü LSE
0.1
1
10
10米s
1.4
A
100
V
S.D。
，S ourc E-到-D雨V oltage （ V）
V
S
，D雨来-S环境允许的V oltage （ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
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IRLL3303
Q
G
V
DS
V
GS
R
D
10V
V
G
Q
GS
Q
GD
D.U.T.
+
R
G
-
V
DD
10V
收费
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
图9A 。
基本栅极电荷波形
电流调节器
同类型D.U.T.
图10A 。
开关时间测试电路
V
DS
50K
12V
.2F
.3F
90%
D.U.T.
V
GS
3mA
+
V
-
DS
10%
V
GS
t
D（上）
I
G
I
D
t
r
t
D（关闭）
t
f
电流采样电阻器
图9b所示。
栅极电荷测试电路
1000
图10B 。
开关时间波形
牛逼赫姆人 ES脑桥 （Z
日J A
)
100
D = 0 .5 0
0 .2 0
10
0 .1 0
0 .0 5
0 .02
1
0 .01
P
D M
t
0.1
S IN摹L E P ü L性S E
（T ^ h é R M一L R （E S） P 2 O北南E）
1
t2
N 2 O TE S：
1 。 ü TY FAC吨或D = T
1
/t
2
0.01
0.00001
2 。 P·E A K TJ = P D M X Z个J A + T A
A
10000
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
1
，R ê CTA体中ü拉; R P ü LSE ü RA TIO N （ SE C）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结到环境
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HEXFET
功率MOSFET
表面贴装
l
动态的dv / dt额定值
l
逻辑电平栅极驱动
l
快速开关
l
易于并联的
l
先进的工艺技术
l
超低导通电阻
描述
l
D
V
DSS
= 30V
G
S
R
DS （ ON）
= 0.031
I
D
= 4.6A
国际整流器第五代HEXFETs
利用先进的加工技术，以实现
极低的导通电阻每硅片面积。这
益处，结合快速开关速度和
坚固耐用的设备的设计， HEXFET功率MOSFET
是众所周知的，为设计者提供了一个非常
高效，可靠的装置，用于在各种各样的应用
应用程序。
采用SOT - 223封装是专为表面贴装
采用气相，红外，或波峰焊技术。
其独特的包装设计便于自动拾波
放与其他SOT或SOIC封装，但有
的改进的热性能的附加好处
由于对散热放大选项卡。功耗
的1.0W可以在一个典型的表面安装的应用程序。
S 0牛逼-22 3
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J,
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V**
连续漏电流， V
GS
@ 10V*
连续漏电流， V
GS
@ 10V*
漏电流脉冲
功耗（ PCB安装） **
功耗（ PCB安装） *
线性降额因子（ PCB安装） *
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量？
雪崩电流？
重复性雪崩能量？
峰值二极管恢复的dv / dt
结温和存储温度范围
马克斯。
6.5
4.6
3.7
37
2.1
1.0
8.3
± 16
140
4.6
0.10
1.3
-55到+ 150
单位
A
W
W
毫瓦/°C的
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJA
R
θJA
结到大使。 （印刷电路板安装，稳态） *
结到大使。 （印刷电路板安装，稳态） **
典型值。
93
48
马克斯。
120
60
单位
° C / W
*当使用最小的占用空间，建议安装在FR- 4电路板。
**当安装在1平方英寸的铜电路板，用于与其他SMD器件的比较。
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IRLL3303
100
VGS
15V
10V
7.0V
5.5V
4.5V
4.0V
3.5V
BOT TOM 3.0V
以P
100
I D ，D雨 - 源光凭目前 （A ）
10
I D ，D雨 - 源光凭目前 （A ）
VGS
15V
10V
7.0V
5.5V
4.5V
4.0V
3.5V
BOTTOM 3.0V
顶部
10
3 .0V
3 .0V
1
0.1
1
20 μ S·P ü LS东西TH ID
T
J
= 2 5°C
A
10
1
0.1
1
2 0μ S·P ü L南东西TH ID
T
J
= 15 0°C
A
10
V·D S，D雨来-S ourc é V oltage （ V）
V·D S，D雨来-S环境允许的V oltage （ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
100
2.0
R
S（上）
，漏到-S环境允许 n个电阻
（N ORM alized ）
I
D
= 4 .6A
I
D
，D大雨到那么urce urren T（A ）
1.5
T
J
= 2 5 °C
T
J
= 1 5 0 ° C
10
1.0
0.5
1
3.0
3.5
4.0
V
DS
= 10V
2 0 μ S·P ü L南东西ID牛逼
4.5
5.0
5.5
A
0.0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
V
的s
= 10 V
100 120
140 160
A
V
的s
，G一德以诚-S ü RC è V LTA克E（ V）
T
J
，结牛逼EM perature （ ° C）
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
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1600
1400
20
V
的s
，G吃了对源V oltage （ V）
C
国际空间站
C，电容（pF ）
1200
1000
800
600
400
200
0
1
V
GS
C
国际空间站
C
RS s
C
SS
=
=
=
=
0V ,
F = 1MHz的
C
的s
+ C
克
, C
S
中文 TE
C
gd
C
ds
+ C
克
I
D
= 4.6 A
V
S
= 2 4V
V
S
= 1 5V
16
C
OSS
12
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C
RSS
4
A
10
100
0
0
10
20
F 释T C IR ú IT
性S E ê F IG ü 9
30
40
50
A
V
S
，D雨来-S ourc é V oltage （ V）
Q
G
，T otal摹吃哈耶（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100
100
I
S.D。
，R EVERSE漏光凭目前 （A ）
P·E R A TIO N IN TH IS A R ê A L IM ITE
B Y形
S（O N）
I
D
，排水光凭目前 （A ）
100s
10
10
T
J
= 1 5 0°C
T
J
= 2 5°C
1米s
1
0.4
0.6
0.8
1.0
V
的s
= 0V
1.2
A
1
T
A
= 25 °C
T
J
= 15 0°C
S荷兰国际集团乐P ü LSE
0.1
1
10
10米s
1.4
A
100
V
S.D。
，S ourc E-到-D雨V oltage （ V）
V
S
，D雨来-S环境允许的V oltage （ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
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Q
G
V
DS
V
GS
R
D
10V
V
G
Q
GS
Q
GD
D.U.T.
+
R
G
-
V
DD
10V
收费
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
图9A 。
基本栅极电荷波形
电流调节器
同类型D.U.T.
图10A 。
开关时间测试电路
V
DS
50K
12V
.2F
.3F
90%
D.U.T.
V
GS
3mA
+
V
-
DS
10%
V
GS
t
D（上）
I
G
I
D
t
r
t
D（关闭）
t
f
电流采样电阻器
图9b所示。
栅极电荷测试电路
1000
图10B 。
开关时间波形
牛逼赫姆人 ES脑桥 （Z
日J A
)
100
D = 0 .5 0
0 .2 0
10
0 .1 0
0 .0 5
0 .02
1
0 .01
P
D M
t
0.1
S IN摹L E P ü L性S E
（T ^ h é R M一L R （E S） P 2 O北南E）
1
t2
N 2 O TE S：
1 。 ü TY FAC吨或D = T
1
/t
2
0.01
0.00001
2 。 P·E A K TJ = P D M X Z个J A + T A
A
10000
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
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，R ê CTA体中ü拉; R P ü LSE ü RA TIO N （ SE C）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结到环境
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