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PD - 95221
IRLL024NPbF
HEXFET
功率MOSFET
表面贴装
l
先进的工艺技术
l
超低导通电阻
l
动态的dv / dt额定值
l
快速开关
l
全额定雪崩
l
LEAD -FREE
描述
l
D
V
DSS
= 55V
R
DS （ ON）
= 0.065
G
S
I
D
= 3.1A
国际整流器第五代HEXFETs
利用先进的加工技术，以实现
极低的导通电阻每硅片面积。这样做的好处，
结合快速开关速度和加固
设备的设计，HEXFET功率MOSFET是很好
众所周知，为设计者提供了一个非常有效的
和可靠的装置，用于在各种各样的应用中使用。
采用SOT - 223封装是专为表面贴装
采用气相，红外，或波峰焊技术。
其独特的包装设计便于自动拾波
放与其他SOT或SOIC封装，但有
的改进的热性能的附加好处
由于对散热放大选项卡。功耗
的1.0W可以在一个典型的表面安装的应用程序。
S 0牛逼-2 2 3
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J,
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V**
连续漏电流， V
GS
@ 10V*
连续漏电流， V
GS
@ 10V*
漏电流脉冲
功耗（ PCB安装） **
功耗（ PCB安装） *
线性降额因子（ PCB安装） *
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量？
雪崩电流？
重复性雪崩能量？ *
峰值二极管恢复的dv / dt
结温和存储温度范围
马克斯。
4.4
3.1
2.5
12
2.1
1.0
8.3
± 16
120
3.1
0.1
5.0
-55到+ 150
单位
A
W
W
毫瓦/°C的
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJA
R
θJA
结到大使。 （印刷电路板安装，稳态） *
结到大使。 （印刷电路板安装，稳态） **
典型值。
90
50
马克斯。
120
60
单位
° C / W
*当使用最小的占用空间，建议安装在FR- 4电路板。
**当安装在1平方英寸的铜电路板，用于与其他SMD器件的比较。
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1
04/27/04
IRLL024NPbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
分钟。
55
–––
–––
–––
–––
1.0
3.3
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
0.048
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
10.4
1.5
5.5
7.4
21
18
25
510
140
58
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安
0.065
V
GS
= 10V ，我
D
= 3.1A
0.080
V
GS
= 5.0V ，我
D
= 2.5A
0.100
V
GS
= 4.0V ，我
D
= 1.6A
2.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
–––
S
V
DS
= 25V ，我
D
= 1.9 A
25
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V
A
250
V
DS
= 44V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
100
V
GS
= 16V
nA
-100
V
GS
= -16V
15.6
I
D
= 1.9A
2.3
nC
V
DS
= 44V
8.3
V
GS
= 5.0V ，见图。 6,9
–––
V
DD
= 28V
–––
I
D
= 1.9A
ns
–––
R
G
= 24
–––
R
D
= 15
,
参见图。 10
–––
V
GS
= 0V
–––
pF
V
DS
= 25V
–––
= 1.0MHz的，见图。五
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
MOSFET符号
––– ––– 3.1
展示
A
整体反转
––– ––– 12
p-n结二极管。
––– ––– 1.0
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 1.9A ，V
GS
= 0V
––– 39
58
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= 1.9A
––– 63
94
nC
的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图11）
I
SD
≤
1.9A ， di / dt的
≤
270A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
150°C
起始物为
J
= 25℃时，L = 25毫亨
R
G
= 25, I
AS
= 3.1A 。 （参见图12）
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
2
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IRLL024NPbF
100
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）

VGS
顶部
15V
10V
7.0V
5.5V
4.5V
4.0V
3.5V
BOTTOM 2.7V
100

VGS
15V
10V
7.0V
5.5V
4.5V
4.0V
3.5V
BOTTOM 2.7V
顶部
10
10
2.7V
20μs的脉冲宽度

T = 150℃
J
°
1
10
100
2.7V
20μs的脉冲宽度

T = 25℃
J
°
1
10
100
1
0.1
1
0.1
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
100
2.0
I
D
= 3.1A

I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
T
J
= 25
°
C

T
J
= 150
°
C

R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
1.5
10
1.0
0.5
1
2
4
6

V DS = 25V
20μs的脉冲宽度
8
10
12
0.0
-60 -40 -20
V
GS
= 10V

0
20
40
60
80 100 120 140 160
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
J
，结温（
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
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3
IRLL024NPbF
1000
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
800

V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
gs
+ C
GD ，
C
ds
短
C
RSS
= C
gd
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
15
I
D
= 1.9A

12
C，电容（pF ）
600
西塞


V
DS
= 44V
V
DS
= 27V
V
DS
= 11V
9
400
6
200
C

OSS
C

RSS
3
0
1
10
100
0
0
4
8

测试电路
见图13
12
16
20
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100
100
I
SD
，反向漏电流（ A）
在这一领域有限
由R

DS （ ON）
10
I
D
，漏电流（ A）
10
T
J
=

150
°
C

100us

1ms
1
1

10ms
T
J
= 25
°
C

V
GS
= 0 V

0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.1
0.4
0.1
0.1

T
C
= 25 ° C
T
J
= 150 ° C
单脉冲
1
10
100
1000
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
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IRLL024NPbF
4.0
V
DS
V
GS
R
D
D.U.T.
+
I
D
，漏电流（ A）
3.0
R
G
-
V
DD
5.0V
2.0
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
1.0
图10A 。
开关时间测试电路
V
DS
90%
0.0
25
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度
( °C)
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
图10B 。
开关时间波形
1000
热响应（Z
thJA
)
100
D = 0.50
0.20
10
0.10
0.05
0.02
0.01
1
0.1
0.00001

单脉冲
（热反应）
0.0001
0.001
0.01
0.1

注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJA
+ T
A
1
10

P
DM
t
1
t
2
100
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结到环境
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IXFA10N80P
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IR
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SOT-223
全新原装正品，可售样，可开13%增值税
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电话：0755-82723761/82772189
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