IRLL014 ， SiHLL014
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 5.0 V
8.4
3.5
6.0
单身
D
特点
60
0.20
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
=表面贴装
可用磁带和卷轴
动态的dv / dt额定值
逻辑电平栅极驱动器
R
DS （ ON）
在V指定
GS
= 4 V和5 V
快速开关
易于并联的
符合RoHS指令2002/95 / EC
描述
SOT-223
D
S
G
G
D
S
N沟道MOSFET
Vishay的第三代功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和
成本效益。
采用SOT - 223封装是专为表面贴装
使用气相，红外，或波峰焊技术。
其独特的包装设计，可以很容易地自动
拾取和放置与其他SOT或SOIC封装，但
具有改善的热服务表现的额外优势
由于对散热放大选项卡。功率耗散
大于1.25 W是可能在一个典型的表面安装
应用程序。
SOT-223
SiHLL014TR-GE3
IRLL014TRPbF
a
SiHLL014T-E3
a
IRLL014TR
a
SiHLL014T
a
订购信息
包
铅（ Pb），且无卤
铅（Pb ） - 免费
SNPB
记
一。请参阅设备的方向。
SOT-223
SiHLL014-GE3
IRLL014PbF
SiHLL014-E3
IRLL014
SiHLL014
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
极限
60
± 10
2.7
1.7
22
0.025
0.017
100
2.7
0.31
3.1
2.0
4.5
- 55至+ 150
300
d
单位
V
A
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
I
DM
漏电流脉冲
a
线性降额因子
线性降额因子（ PCB安装）
e
E
AS
单脉冲雪崩能量
b
I
AR
重复性雪崩电流
a
a
E
AR
重复性雪崩能量
最大功率耗散
T
C
= 25 °C
P
D
e
T
A
= 25 °C
最大功率耗散（ PCB安装）
dv / dt的
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
T
J
, T
英镑
焊接建议（峰值温度）
10秒
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。 V
DD
= 25 V ，起始物为
J
= 25 ° C，L = 16 mH的，R
g
= 25
Ω,
I
AS
= 2.7 A（见图12 ） 。
C.我
SD
≤
10 A ， di / dt的
≤
90 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
。 1.6毫米的情况。
。当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
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热电阻额定值
参数
最大结点到环境
（ PCB安装）
a
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
thJC
分钟。
-
-
典型值。
-
-
马克斯。
60
40
单位
° C / W
记
一。当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。
特定网络阳离子
(T
J
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
铅之间，
从6毫米（ 0.25" ）
封装中心
模具接触
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 μA
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 μA
V
GS
= ± 10 V
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 48 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
GS
= 5.0 V
V
GS
= 4.0 V
I
D
= 1.6 A
b
I
D
= 1.4 A
b
60
-
1.0
-
-
-
-
-
3.2
-
0.073
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2.0
± 100
25
250
0.20
0.28
-
V
V /°C的
V
nA
μA
Ω
S
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
向前开启时间
当前
a
V
DS
= 25 V，I
D
= 1.6 A
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。五
-
-
-
-
400
170
42
-
-
-
9.3
110
17
26
4.0
6.0
-
-
-
8.4
3.5
6.0
-
-
-
-
-
nH
-
ns
nC
pF
V
GS
= 5.0 V
I
D
= 10 A，V
DS
= 48 V,
参见图。 6和13
b
-
-
-
V
DD
= 30 V，I
D
= 10 A,
R
G
= 12
Ω,
R
D
= 2.8
Ω,
参见图。 10
b
-
-
-
-
G
-
S
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
-
-
-
-
-
-
-
-
65
0.33
2.7
A
22
1.6
130
0.65
V
ns
μC
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= 2.7 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= 10 A， di / dt的= 100 A / μs的
b
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。脉冲宽度
≤
300微秒;占空比
≤
2 %.
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典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
I
D
，漏电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
V
GS
顶级7.5 V
5.0 V
4.0 V
3.5 V
3.0 V
2.75 V
底部2.5 V
10
0
10
1
150 °C
10
0
10
1
10
-1
25 °C
10
-1
2.25 V
10
-2
20 μs的脉冲宽度
V
DS
=
25 V
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
10
-2
20 μs的脉冲宽度
T
C
=
25 °C
10
-1
10
0
10
1
10
-3
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图。 1 - 典型的输出特性，T
C
= 25 °C
V
GS ，
栅极 - 源极电压（ V）
图。 3 - 典型的传输特性
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
I
D
，漏电流（ A）
V
GS
顶级7.5 V
5.0 V
4.0 V
10
1
3.5 V
3.0 V
2.75 V
底部2.5 V
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
I
D
= 10 A
V
GS
= 10 V
10
0
2.25 V
10
-1
10
-2
20 μs的脉冲宽度
T
C
=
150 °C
10
0
10
1
10
-1
0.0
- 60 - 40 - 20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图。 2 - 典型的输出特性，T
C
= 150 °C
T
J,
结温（ ° C）
图。 4 - 归通电阻与温度的关系
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700
600
I
SD
，反向漏电流（ A）
电容（pF）
V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
, C
ds
短
C
RSS
= C
gd
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
T
J
= 150 °C
10
1
500
400
300
C
OSS
200
100
0
10
0
10
1
C
RSS
C
国际空间站
10
0
T
J
= 25 °C
10
-1
0.4
V
GS
= 0 V
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
V
DS ，
漏极至源极电压（ V）
图。 5 - 典型的电容与漏 - 源极电压
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
图。 7 - 典型的源漏二极管正向电压
10
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
I
D
= 10 A
10
3
5
2
6
I
D
，漏电流（ A）
V
DS
= 48 V
V
DS
= 30 V
10
2
5
2
在这一领域限于由R
DS （ ON）
6
10
5
2
100
s
1
ms
10
ms
T
C
= 25
°C
T
J
= 150
°C
单脉冲
4
1
5
2
测试电路
见图13
2
0
0
2
4
6
0.1
0.1
2
5
8
10
1
2
5
10
2
5
10
2
2
5
10
3
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图。 6 - 典型栅极电荷与栅极至源极电压
图。 8 - 最高安全工作区
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V
DS
3.0
R
g
2.5
V
GS
R
D
D.U.T.
+
- V
DD
I
D
，漏电流（ A）
10 V
2.0
1.5
脉冲宽度
≤
1 s
占空比
≤
0.1 %
图。 10A - 开关时间测试电路
1.0
0.5
0.0
25
50
75
100
125
150
V
DS
90 %
T
C
，外壳温度（ ° C）
10 %
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图。 9 - 最大漏极电流与外壳温度
图。 10B - 开关时间波形
10
2
热响应（Z
thJC
)
D = 0.50
10
0.20
0.10
0.05
1
0.02
0.01
单脉冲
（热反应）
P
DM
t
1
t
2
注意事项：
1.占空比，D = T
1
/t
2
2.峰值牛逼
j
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
10
-4
10
-3
10
-2
0.1
1
10
1
10
2
10
3
10
-1
10
-2
10
-5
t
1
，矩形脉冲持续时间（ S）
图。 11 - 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
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