PD - 9.1498A
IRLIZ44N
HEXFET
功率MOSFET
逻辑电平栅极驱动
l
先进的工艺技术
l
独立包装
l
高电压隔离= 2.5KVRMS
l
沉铅爬DIST 。 = 4.8毫米
l
全额定雪崩
描述
l
D
V
DSS
= 55V
R
DS （ ON）
= 0.022
G
I
D
= 30A
S
国际整流器第五代HEXFETs
利用先进的加工技术，以实现
极低的导通电阻每硅片面积。这
益处，结合快速开关速度和
坚固耐用的设备的设计， HEXFET功率MOSFET
是众所周知的，为设计者提供了一个非常
高效，可靠的装置，用于在各种各样的应用
应用程序。
该TO- 220 FULLPAK无需额外
绝缘硬件在商业工业应用。
所使用的模制化合物提供了一种高隔离
能力和标签之间的低热阻
和外部散热器。这种隔离是相当于使用
一个100微米云母屏障与标准的TO-220的产品。
该FULLPAK使用单个夹子安装在散热器或
通过单螺杆固定。
的TO-220 FULLPAK
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量????
雪崩电流
重复性雪崩能量？
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
安装扭矩， 6-32或M3螺丝
马克斯。
30
22
160
45
0.3
± 16
210
25
4.5
5.0
-55 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
10磅在（ 1.1N m）的
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
结到外壳
结到环境
典型值。
–––
–––
马克斯。
3.3
65
单位
° C / W
8/25/97
IRLIZ44N
1000
VGS
15V
12V
10V
8.0V
6.0V
4.0V
3.0V
BOTTOM 2.5V
顶部
1000
I
D
，D RA在-to -S ü RC式C ④此T（A ）
100
I
D
，D RA在-to -S ü RCE ④此T（A ）
VGS
15V
12V
10V
8.0V
6.0V
4.0V
3.0V
BOTT OM 2.5V
顶部
100
10
10
2 .5V
2.5 V
2 0μ s PU L SE W ID TH
T
J
= 2 5°C
0.1
1
10
1
A
1
0.1
1
20 μ s PU LSE W ID TH
T
J
= 1 75°C
10
100
A
100
V
S
，漏到-S环境允许的电压（V ）
V
S
，漏 - 源V oltage （ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
1000
3.0
R
S（O N）
，D RA在-to -S ü RC ê n个R é SI站 CE
（N RM一个李泽四）
I
D
= 41 A
I
D
， ，D R AIN-到-S ourc式C urre NT （A ）
2.5
T
J
= 2 5 °C
100
2.0
T
J
= 1 7 5 ° C
1.5
10
1.0
0.5
1
2.0
3.0
4.0
5.0
V
DS
= 2 5 V
2 0 μ S·P ü L南东西ID牛逼
6.0
7.0
8.0
9.0
A
0.0
-60 -40 -20
0
20
40
60
80
V
的s
= 10 V
100 120 140 160 180
A
V
的s
，尕德对S 0 urce V oltage （ V）
T
J
，结牛逼emperature （ ° C）
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
IRLIZ44N
2800
2400
V
的s
，G一德以诚-S ü RCE V LTA克E（ V）
C
为s
C，C的P是C ITA N c个E（ P F）
2000
V
GS
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
=
=
=
=
0V,
F = 1 MH
C
gs
+ C
gd
, C
ds
SH TED
C
gd
C
ds
+ C
gd
15
I
D
= 25A
V
S
= 44 V
V
S
= 28 V
12
1600
9
1200
C
SS
6
800
C
RSS
400
3
0
1
10
100
A
0
0
10
20
30
FO 测试CIR CU IT
SEE图UR ê 13
40
50
60
70
A
V
S
，漏 - 源V oltage （ V）
Q
G
，T otal门哈耶（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000
1000
I
S.D。
在C R é é V RSE RA ④此T（A ）
OPE ATIO N的TH是一个重新一个LIMITE
由R
S（O N）
I
D
，D RA C语言④此T（A ）
100
10s
100
100 s
T
J
= 17 5°C
T
J
= 25 °C
10
1米s
10
0.4
0.8
1.2
1.6
V
的s
= 0 V
2.0
A
1
1
T
C
= 25 °C
T
J
= 17 5°C
S荷兰国际集团乐脉
10
10米s
2.4
A
100
V
S.D。
，S环境允许到漏极电压（ V）
V
S
，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
PD - 9.1498A
IRLIZ44N
HEXFET
功率MOSFET
逻辑电平栅极驱动
l
先进的工艺技术
l
独立包装
l
高电压隔离= 2.5KVRMS
l
沉铅爬DIST 。 = 4.8毫米
l
全额定雪崩
描述
l
D
V
DSS
= 55V
R
DS （ ON）
= 0.022
G
I
D
= 30A
S
国际整流器第五代HEXFETs
利用先进的加工技术，以实现
极低的导通电阻每硅片面积。这
益处，结合快速开关速度和
坚固耐用的设备的设计， HEXFET功率MOSFET
是众所周知的，为设计者提供了一个非常
高效，可靠的装置，用于在各种各样的应用
应用程序。
该TO- 220 FULLPAK无需额外
绝缘硬件在商业工业应用。
所使用的模制化合物提供了一种高隔离
能力和标签之间的低热阻
和外部散热器。这种隔离是相当于使用
一个100微米云母屏障与标准的TO-220的产品。
该FULLPAK使用单个夹子安装在散热器或
通过单螺杆固定。
的TO-220 FULLPAK
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量????
雪崩电流
重复性雪崩能量？
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
安装扭矩， 6-32或M3螺丝
马克斯。
30
22
160
45
0.3
± 16
210
25
4.5
5.0
-55 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
10磅在（ 1.1N m）的
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
结到外壳
结到环境
典型值。
–––
–––
马克斯。
3.3
65
单位
° C / W
8/25/97
IRLIZ44N
1000
VGS
15V
12V
10V
8.0V
6.0V
4.0V
3.0V
BOTTOM 2.5V
顶部
1000
I
D
，D RA在-to -S ü RC式C ④此T（A ）
100
I
D
，D RA在-to -S ü RCE ④此T（A ）
VGS
15V
12V
10V
8.0V
6.0V
4.0V
3.0V
BOTT OM 2.5V
顶部
100
10
10
2 .5V
2.5 V
2 0μ s PU L SE W ID TH
T
J
= 2 5°C
0.1
1
10
1
A
1
0.1
1
20 μ s PU LSE W ID TH
T
J
= 1 75°C
10
100
A
100
V
S
，漏到-S环境允许的电压（V ）
V
S
，漏 - 源V oltage （ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
1000
3.0
R
S（O N）
，D RA在-to -S ü RC ê n个R é SI站 CE
（N RM一个李泽四）
I
D
= 41 A
I
D
， ，D R AIN-到-S ourc式C urre NT （A ）
2.5
T
J
= 2 5 °C
100
2.0
T
J
= 1 7 5 ° C
1.5
10
1.0
0.5
1
2.0
3.0
4.0
5.0
V
DS
= 2 5 V
2 0 μ S·P ü L南东西ID牛逼
6.0
7.0
8.0
9.0
A
0.0
-60 -40 -20
0
20
40
60
80
V
的s
= 10 V
100 120 140 160 180
A
V
的s
，尕德对S 0 urce V oltage （ V）
T
J
，结牛逼emperature （ ° C）
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
IRLIZ44N
2800
2400
V
的s
，G一德以诚-S ü RCE V LTA克E（ V）
C
为s
C，C的P是C ITA N c个E（ P F）
2000
V
GS
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
=
=
=
=
0V,
F = 1 MH
C
gs
+ C
gd
, C
ds
SH TED
C
gd
C
ds
+ C
gd
15
I
D
= 25A
V
S
= 44 V
V
S
= 28 V
12
1600
9
1200
C
SS
6
800
C
RSS
400
3
0
1
10
100
A
0
0
10
20
30
FO 测试CIR CU IT
SEE图UR ê 13
40
50
60
70
A
V
S
，漏 - 源V oltage （ V）
Q
G
，T otal门哈耶（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000
1000
I
S.D。
在C R é é V RSE RA ④此T（A ）
OPE ATIO N的TH是一个重新一个LIMITE
由R
S（O N）
I
D
，D RA C语言④此T（A ）
100
10s
100
100 s
T
J
= 17 5°C
T
J
= 25 °C
10
1米s
10
0.4
0.8
1.2
1.6
V
的s
= 0 V
2.0
A
1
1
T
C
= 25 °C
T
J
= 17 5°C
S荷兰国际集团乐脉
10
10米s
2.4
A
100
V
S.D。
，S环境允许到漏极电压（ V）
V
S
，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
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