【以前的数据表指数下一页数据表PD - 9.1237IRLI640GHEXFET功率MOSFET独立包】,IC型号IRLI640,IRLI640 PDF资料,IRLI640经销商,ic,电子元器件-51电子网

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指数

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PD - 9.1237

IRLI640G

HEXFET

功率MOSFET

独立包装

高电压隔离= 2.5KVRMS

沉铅爬DIST 。 4.8毫米

逻辑电平栅极驱动

R

DS （ ON）

在V指定

GS

= 4V & 5V

快速开关

易于并联的

描述

国际整流器第三代HEXFETs提供设计师

快速开关，坚固耐用的设备设计，低的最佳组合

导通电阻和成本效益。

在TO-220 FULLPAK省去了在附加的绝缘硬件

商业工业应用。所使用的模制化合物提供了一个

高隔离能力和选项卡和外部之间的低热阻

散热器。此隔离等效于使用具有100微米的云母阻挡

标准的TO- 220产品。该FULLPAK使用单个夹子安装在散热器

或者通过单个螺钉固定。

V

DSS

= 200V

R

DS （ ON）

= 0.18

I

D

= 9.9A

绝对最大额定值

参数

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

DM

P

D

@T

C

= 25°C

V

GS

E

AS

I

AR

E

AR

dv / dt的

T

J

T

英镑

连续漏电流， V

GS

@ 5.0V

连续漏电流， V

GS

@ 5.0V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

安装扭矩， 6-32或M3螺丝。

马克斯。

9.9

6.3

40

0.32

±10

290

9.9

4.0

5.0

-55到+ 150

300 （ 1.6毫米从案例）

10磅在（ 1.1N m）的

单位

A

W

W / ℃，

V

mJ

A

mJ

V / ns的

°C

热阻

参数

R

θ

JC

R

θ

JA

结到外壳

结到环境

分钟。

––––

典型值。

––––

马克斯。

3.1

65

单位

° C / W

TO ORDER

修订版0

以前的数据表

指数

下一页数据表

IRLI640G

电气特性@ T = 25°C （除非另有说明）

J

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSS

/

T

J

参数

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

内部排水电感

内部源极电感

输入电容

输出电容

反向传输电容

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

L

D

L

S

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

分钟。

200

–––

1.0

16

–––

MAX 。单位

条件

–––

V

GS

= 0V ，ID = 250μA

--- V / ° C参考到25° C，I

D

= 1毫安

0.18

V

GS

= 5.0V ，我

D

= 5.9A

0.27

V

GS

= 4.0V ，我

D

= 5.0A

2.0

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

–––

S

V

DS

= 50V ，我

D

= 10A

25

V

DS

= 200V, V

GS

= 0V

A

250

V

DS

= 160V, V

GS

= 0V ，T

J

= 160°C

100

V

GS

= 10V

nA

-100

V

GS

= -10V

66

I

D

= 17A

9.0

NC V

DS

= 160V

38

V

GS

= 10V ，参照图6和13

–––

V

DD

= 100V

ns

–––

I

D

= 17A

–––

R

G

= 4.6

–––

R

D

= 5.7Ω ，参照图10

铅之间，

––– 4.5 –––

6毫米（0.25英寸）。

nH

从包

––– 7.5 –––

而中心的模具接触

––– 1800 –––

V

GS

= 0V

––– 400 –––

pF

V

DS

= 25V

––– 120 –––

= 1.0MHz的，见图。五

典型值。

–––

0.27

–––

8.0

83

44

52

源极 - 漏极额定值和特性

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向RecoveryCharge

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

–––

310

3.2

9.9

A

40

2.0

470

4.8

V

ns

C

条件

MOSFET符号

展示

整体反转

p-n结二极管。

T

J

= 25 ° C，I

S

= 9.9A ，V

GS

= 0V

T

J

= 25 ° C，I

F

= 17A

的di / dt = 100A / μs的

固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主

S

+L

D

)

注意事项：

重复评价;脉冲宽度有限的

最大。结温。（参见图11）

I

SD

≤

图17A ， di / dt的

≤

150A / μs的，V

DD

≤

V

（ BR ） DSS

,

T

J

≤

150°C

脉冲宽度

≤

300μS ;占空比

≤

2%.

T = 60 ， = 60Hz的

V

DD

= 25V ，起始物为

J

= 25℃时，L = 4.4mH

R

G

= 25, I

AS

= 9.9A 。（参见图12）

TO ORDER

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指数

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IRLI640G

100

VGS

7.50V

5.00V

4.00V

3.50V

3.00V

2.75V

2.50V

BOTTOM 2.25V

顶部

100

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

10

VGS

7.50V

5.00V

4.00V

3.50V

3.00V

2.75V

2.50V

BOTTOM 2.25V

顶部

2.25V

1

2.25V

0.1

0.01

20μs的脉冲宽度

T

C

= 25°C

0.1

1

10

A

100

0.01

20μs的脉冲宽度

T

C

= 150°C

0.1

1

10

A

100

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性，

T

C

= 25

o

C

图2 。

典型的输出特性，

T

C

= 150

o

C

100

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

2.5

I

D

= 17A

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

2.0

10

T = 150℃

J

1.5

T

J

= 25°C

1

1.0

0.5

0.1

2.0

2.5

3.0

3.5

V

DS

= 50V

20μs的脉冲宽度

4.0

4.5

A

5.0

0.0

-60 -40 -20

V

GS

= 5.0V

A

0

20

40

60

80 100 120 140 160

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

T

J

，结温（ ° C）

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

TO ORDER

以前的数据表

指数

下一页数据表

IRLI640G

4000

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

V

GS

= 0V,

F = 1MHz的

C

国际空间站

= C

gs

+ C

gd

, C

ds

短

C

RSS

= C

gd

C

OSS

= C

ds

+ C

gd

10

I

D

= 17A

8

V

DS

= 160V

V

DS

= 100V

V

DS

= 80V

C，电容（pF ）

3000

C

国际空间站

6

2000

C

OSS

4

1000

C

RSS

2

0

1

10

A

100

0

20

40

测试电路

见图13

60

80

A

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

100

I

SD

，反向漏电流（ A）

在这一领域有限

由R

DS （ ON）

10

T = 150℃

J

T

J

= 25°C

1

I

D

，漏电流（ A）

100s

10

1ms

0.1

0.3

0.6

0.9

1.2

V

GS

= 0V

A

1

T

C

= 25°C

T

J

= 150°C

单脉冲

10

100

10ms

A

1000

1.5

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

TO ORDER

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指数

下一页数据表

IRLI640G

V

DS

10

R

D

V

GS

R

G

D.U.T.

V

DD

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

8

5.0 V

6

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

图10A 。

开关时间测试电路

4

2

0

25

50

75

100

125

A

150

T

C

，外壳温度（ ° C）

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

图10B 。

开关时间波形

10

热响应（Z

thJC

)

D = 0.50

1

0.20

0.10

0.05

0.1

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

0.01

N 2 O TE S：

1 。 ü TY前言与r D = T / T

1 2

P

D M

t

1

t

2

0.001

0.00001

2 。 P·E A K牛逼

J

= P

D M

X Z

日J·C

+ T C

A

10

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

TO ORDER

以前的数据表

指数

下一页数据表

PD - 9.1237

IRLI640G

HEXFET

功率MOSFET

独立包装

高电压隔离= 2.5KVRMS

沉铅爬DIST 。 4.8毫米

逻辑电平栅极驱动

R

DS （ ON）

在V指定

GS

= 4V & 5V

快速开关

易于并联的

描述

国际整流器第三代HEXFETs提供设计师

快速开关，坚固耐用的设备设计，低的最佳组合

导通电阻和成本效益。

在TO-220 FULLPAK省去了在附加的绝缘硬件

商业工业应用。所使用的模制化合物提供了一个

高隔离能力和选项卡和外部之间的低热阻

散热器。此隔离等效于使用具有100微米的云母阻挡

标准的TO- 220产品。该FULLPAK使用单个夹子安装在散热器

或者通过单个螺钉固定。

V

DSS

= 200V

R

DS （ ON）

= 0.18

I

D

= 9.9A

绝对最大额定值

参数

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

DM

P

D

@T

C

= 25°C

V

GS

E

AS

I

AR

E

AR

dv / dt的

T

J

T

英镑

连续漏电流， V

GS

@ 5.0V

连续漏电流， V

GS

@ 5.0V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

安装扭矩， 6-32或M3螺丝。

马克斯。

9.9

6.3

40

0.32

±10

290

9.9

4.0

5.0

-55到+ 150

300 （ 1.6毫米从案例）

10磅在（ 1.1N m）的

单位

A

W

W / ℃，

V

mJ

A

mJ

V / ns的

°C

热阻

参数

R

θ

JC

R

θ

JA

结到外壳

结到环境

分钟。

––––

典型值。

––––

马克斯。

3.1

65

单位

° C / W

TO ORDER

修订版0

以前的数据表

指数

下一页数据表

IRLI640G

电气特性@ T = 25°C （除非另有说明）

J

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSS

/

T

J

参数

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

内部排水电感

内部源极电感

输入电容

输出电容

反向传输电容

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

L

D

L

S

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

分钟。

200

–––

1.0

16

–––

MAX 。单位

条件

–––

V

GS

= 0V ，ID = 250μA

--- V / ° C参考到25° C，I

D

= 1毫安

0.18

V

GS

= 5.0V ，我

D

= 5.9A

0.27

V

GS

= 4.0V ，我

D

= 5.0A

2.0

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

–––

S

V

DS

= 50V ，我

D

= 10A

25

V

DS

= 200V, V

GS

= 0V

A

250

V

DS

= 160V, V

GS

= 0V ，T

J

= 160°C

100

V

GS

= 10V

nA

-100

V

GS

= -10V

66

I

D

= 17A

9.0

NC V

DS

= 160V

38

V

GS

= 10V ，参照图6和13

–––

V

DD

= 100V

ns

–––

I

D

= 17A

–––

R

G

= 4.6

–––

R

D

= 5.7Ω ，参照图10

铅之间，

––– 4.5 –––

6毫米（0.25英寸）。

nH

从包

––– 7.5 –––

而中心的模具接触

––– 1800 –––

V

GS

= 0V

––– 400 –––

pF

V

DS

= 25V

––– 120 –––

= 1.0MHz的，见图。五

典型值。

–––

0.27

–––

8.0

83

44

52

源极 - 漏极额定值和特性

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向RecoveryCharge

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

–––

310

3.2

9.9

A

40

2.0

470

4.8

V

ns

C

条件

MOSFET符号

展示

整体反转

p-n结二极管。

T

J

= 25 ° C，I

S

= 9.9A ，V

GS

= 0V

T

J

= 25 ° C，I

F

= 17A

的di / dt = 100A / μs的

固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主

S

+L

D

)

注意事项：

重复评价;脉冲宽度有限的

最大。结温。（参见图11）

I

SD

≤

图17A ， di / dt的

≤

150A / μs的，V

DD

≤

V

（ BR ） DSS

,

T

J

≤

150°C

脉冲宽度

≤

300μS ;占空比

≤

2%.

T = 60 ， = 60Hz的

V

DD

= 25V ，起始物为

J

= 25℃时，L = 4.4mH

R

G

= 25, I

AS

= 9.9A 。（参见图12）

TO ORDER

以前的数据表

指数

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IRLI640G

100

VGS

7.50V

5.00V

4.00V

3.50V

3.00V

2.75V

2.50V

BOTTOM 2.25V

顶部

100

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

10

VGS

7.50V

5.00V

4.00V

3.50V

3.00V

2.75V

2.50V

BOTTOM 2.25V

顶部

2.25V

1

2.25V

0.1

0.01

20μs的脉冲宽度

T

C

= 25°C

0.1

1

10

A

100

0.01

20μs的脉冲宽度

T

C

= 150°C

0.1

1

10

A

100

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性，

T

C

= 25

o

C

图2 。

典型的输出特性，

T

C

= 150

o

C

100

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

2.5

I

D

= 17A

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

2.0

10

T = 150℃

J

1.5

T

J

= 25°C

1

1.0

0.5

0.1

2.0

2.5

3.0

3.5

V

DS

= 50V

20μs的脉冲宽度

4.0

4.5

A

5.0

0.0

-60 -40 -20

V

GS

= 5.0V

A

0

20

40

60

80 100 120 140 160

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

T

J

，结温（ ° C）

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

TO ORDER

以前的数据表

指数

下一页数据表

IRLI640G

4000

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

V

GS

= 0V,

F = 1MHz的

C

国际空间站

= C

gs

+ C

gd

, C

ds

短

C

RSS

= C

gd

C

OSS

= C

ds

+ C

gd

10

I

D

= 17A

8

V

DS

= 160V

V

DS

= 100V

V

DS

= 80V

C，电容（pF ）

3000

C

国际空间站

6

2000

C

OSS

4

1000

C

RSS

2

0

1

10

A

100

0

20

40

测试电路

见图13

60

80

A

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

100

I

SD

，反向漏电流（ A）

在这一领域有限

由R

DS （ ON）

10

T = 150℃

J

T

J

= 25°C

1

I

D

，漏电流（ A）

100s

10

1ms

0.1

0.3

0.6

0.9

1.2

V

GS

= 0V

A

1

T

C

= 25°C

T

J

= 150°C

单脉冲

10

100

10ms

A

1000

1.5

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

TO ORDER

以前的数据表

指数

下一页数据表

IRLI640G

V

DS

10

R

D

V

GS

R

G

D.U.T.

V

DD

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

8

5.0 V

6

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

图10A 。

开关时间测试电路

4

2

0

25

50

75

100

125

A

150

T

C

，外壳温度（ ° C）

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

图10B 。

开关时间波形

10

热响应（Z

thJC

)

D = 0.50

1

0.20

0.10

0.05

0.1

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

0.01

N 2 O TE S：

1 。 ü TY前言与r D = T / T

1 2

P

D M

t

1

t

2

0.001

0.00001

2 。 P·E A K牛逼

J

= P

D M

X Z

日J·C

+ T C

A

10

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

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