【PD - 96360IRLHS2242PbFHEXFET功率MOSFETVDSVGS最大RDS （】,IC型号IRLHS2242TRPBF,IRLHS2242TRPBF PDF资料,IRLHS2242TRPBF经销商,ic,电子元器件-51电子网

PD - 96360

IRLHS2242PbF

HEXFET

功率MOSFET

V

DS

V

GS最大

R

DS （ ON） MAX

(@V

GS

= 4.5V)

-20

±12

31

53

9.6

-8.5

V

mΩ

nC

A

D 1

牛逼运查看

6 D

D

R

DS （ ON） MAX

(@V

GS

= 2.5V)

G

D 2

S

D

5 D

Q

克（典型值）

I

D

(@T

C（下）

= 25°C)

D

G 3

4 S

D

S

i

采用2mm x 2mm PQFN

应用

l

电池应用的充电和放电开关

系统/负载开关

特点和优点

特点

低热阻的PCB （ ≤

13°C/W)

薄型（ ≤ 1.0毫米）

工业标准引脚

兼容现有的表面贴装技术

不含铅，无溴，无卤素RoHS标准

MSL1 ，消费者资格

好处

能更好的散热

结果增加了功率密度

多厂商兼容性

容易制造

环境友好

提高可靠性

订购型号

IRLHS2242TRPBF

IRLHS2242TR2PBF

套餐类型

PQFN采用2mm x 2mm

标准包装

形式

QUANTITY

磁带和卷轴

4000

磁带和卷轴

400

记

绝对最大额定值

参数

V

DS

V

GS

I

D

@ T

A

= 25°C

I

D

@ T

A

= 70°C

I

D

@ T

C（下）

= 25°C

I

D

@ T

C（下）

= 100°C

I

D

@ T

C

= 25°C

I

DM

P

D

@T

A

= 25°C

P

D

@T

C（下）

= 25°C

T

J

T

英镑

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

连续漏电流， V

GS

@ 4.5V

连续漏电流， V

GS

@ 4.5V

连续漏电流， V

GS

@ 4.5V

连续漏电流， V

GS

@ 4.5V

连续漏电流， V

GS

@ 4.5V （引线键合有限公司）

漏电流脉冲

马克斯。

-20

±12

-7.2

-5.8

-15

单位

V

g

功耗

g

功耗

c

hi

-9.8

hi

-8.5

i

-34

2.1

9.6

0.02

-55到+ 150

A

W

W / ℃，

°C

线性降额因子

工作结

g

存储温度范围

笔记

通过

9页

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1

03/18/11

IRLHS2242TR/TR2PbF

静态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

BV

DSS

ΔΒV

DSS

/ΔT

J

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

ΔV

GS （ TH）

I

DSS

I

GSS

政府飞行服务队

Q

g

Q

g

Q

gs

Q

gd

Q

godr

Q

sw

Q

OSS

R

G

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

栅极阈值电压系数

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

正向跨导

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极电荷

栅极电荷过载

切换电荷（Q

gs2

+ Q

gd

)

输出充电

栅极电阻

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

参数

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

分钟。典型值。马克斯。单位

-20

–––

-0.4

–––

10

–––

0.01

25

43

-0.8

-3.8

–––

12

9.6

1.6

3.7

4.3

4.8

6.8

17

7.9

54

66

877

273

182

–––

31

53

条件

V V

GS

= 0V时，我

D

= -250μA

V / ℃参考至25℃ ，我

D

= -1mA

mΩ

V

GS

= -4.5V ，我

D

= -8.5A

V

GS

= -2.5V ，我

D

= -6.8A

e

-1.1

V

DS

= V

GS

, I

D

= -10μA

---毫伏/°C的

-1.0

V

DS

= -16V, V

GS

= 0V

μA

-150

V

DS

= -16V, V

GS

= 0V ，T

J

= 125°C

-100

V

GS

= -12V

nA

100

V

GS

= 12V

–––

s V

DS

= -10V ，我

D

= -8.5A

–––

典型值。

–––

nC

Ω

ns

V

DD

= -10V, V

GS

= -4.5V

ID = -8.5A

R

G

= 2.0Ω

V

GS

= 0V

V

DS

= -10V

= 1.0kHz

马克斯。

18

-8.5

单位

mJ

A

nC

V

GS

=-10V, V

DS

= -10V ，我

D

= -8.5A

V

DS

= -10V

V

GS

= -4.5V

I

D

= -8.5A

V

DS

= 16V, V

GS

= 0V

pF

雪崩特性

E

AS

I

AR

d

二极管的特性

参数

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

–––

27

20

-8.5

条件

MOSFET符号

D

h

A

V

ns

nC

-34

-1.2

41

30

展示

整体反转

G

S

p-n结二极管。

T

J

= 25 ° C，I

S

= -8.5A ，V

GS

= 0V

e

T

J

= 25 ° C，I

F

= -8.5A ，V

DD

= -10V

的di / dt = 200A / μs的

e

时间是由寄生电感为主

热阻

R

θJC

（底部）

R

θJC

（ TOP）

R

θJA

R

θJA

(<10s)

结到外壳

结到环境

g

参数

f

典型值。

–––

马克斯。

13

90

60

42

单位

° C / W

2

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IRLHS2242TR/TR2PbF

100

顶部

VGS

-10V

-7.0V

-4.5V

-3.5V

-2.5V

-2.0V

-1.8V

-1.5V

100

顶部

VGS

-10V

-7.0V

-4.5V

-3.5V

-2.5V

-2.0V

-1.8V

-1.5V

-ID ，漏极 - 源极电流（A ）

10

底部

10

底部

1

-1.5V

1

-1.5V

≤

60μs

脉冲宽度

TJ = 25°C

0.1

1

10

100

-V DS ，漏极至源极电压（ V）

≤

60μs

脉冲宽度

0.1

1

TJ = 150℃

10

100

-V DS ，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

100

RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻

（归一化）

图2 。

典型的输出特性

1.4

ID = -8.5A

VGS = -4.5V

1.2

-I D，漏极 - 源极电流（A ）

10

T J = 150℃

TJ = 25°C

VDS = -10V

≤60μs

脉冲宽度

0.1

0

1

2

3

4

5

1.0

1

0.8

0.6

-60 -40 -20 0

20 40 60 80 100 120 140 160

T J ，结温（ ° C）

-VGS ，栅 - 源极电压（ V）

图3 。

典型的传输特性

10000

VGS = 0V，

F = 1千赫

ISS = C GS + C GD ，C DS短路

RSS = C GD

OSS = C DS + C GD

图4 。

归一化的导通电阻与温度的关系

14

-V GS ，栅 - 源极电压（ V）

12

10

8

6

4

2

0

ID = -8.5A

VDS = -16V

VDS = -10V

VDS = -4V

C，电容（pF ）

1000

西塞

科斯

CRSS

100

1

10

-VDS ，漏极至源极电压（ V）

100

0

5

10

15

20

25

QG ，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容vs.Drain - to-Source电压

图6 。

典型栅极电荷vs.Gate - to-Source电压

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3

IRLHS2242TR/TR2PbF

100

1000

运行在有限的BY RDS本领域（上）

-I D，漏极 - 源极电流（A ）

-I SD ，反向漏电流（ A）

100

100μsec

10

T J = 150℃

10

1msec

10msec

1

TJ = 25°C

1

受

引线键合

DC

0.1

VGS = 0V

0.1

0.2

0.6

1.0

-VSD ，源极到漏极电压（V ）

TC = 25°C

TJ = 150℃

单脉冲

0.10

1

10

100

0.01

-VDS ，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源漏二极管正向电压

16

受引线键合

-V GS （ TH），栅极阈值电压（ V）

图8 。

最大安全工作区

1.5

14

-I D，漏电流（ A）

12

10

8

6

4

2

0

25

50

75

100

125

150

T C ，外壳温度（ ° C）

1.2

0.9

0.6

ID = -10uA

0.3

ID = -250uA

ID = -1.0mA

ID = -10mA

0.0

-75 -50 -25

0

25

50

75 100 125 150

T J ，温度（° C）

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

100

热响应（Z thJC ）° C / W

图10 。

阈值电压与温度的关系

10

D = 0.50

0.20

0.10

0.05

0.02

0.01

1

0.1

0.01

单脉冲

（热反应）

注意事项：

1.占空比D = T1 / T2

2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝

0.001

0.01

0.1

0.001

1E-006

1E-005

0.0001

T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

4

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IRLHS2242TR/TR2PbF

RDS （ ON）时，漏 - 源极到导通电阻（M

Ω)

70

80

EAS ，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）

60

50

40

30

20

10

0

2

4

6

8

ID = -8.5A

70

60

50

40

30

20

10

0

-2.2A

-4.3A

底部

-8.5A

顶部

ID

T J = 125°C

T J = 25°C

10

12

25

50

75

100

125

150

-VGS ，门-to - 源电压（V ）

开始T J ，结温（ ° C）

图12 。

导通电阻比。栅极电压

VDS

L

图13 。

最大雪崩能量与漏电流

I

AS

R

G

-V

GS

-20V

D.U.T

IAS

司机

0.01

Ω

VDD

A

tp

V

（ BR ） DSS

15V

图14A 。

非钳位感应测试电路

图14B 。

非钳位感应波形

V

DS

V

GS

R

G

R

D

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

D.U.T.

V

GS

10%

+

-V

GS

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

图15A 。

开关时间测试电路

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-

V

DD

90%

V

DS

图15B 。

开关时间波形

5