PD- 91888
IRL5602S
HEXFET
功率MOSFET
l
l
l
l
l
l
先进的工艺技术
动态的dv / dt额定值
175 ° C工作温度
P沟道
快速开关
全额定雪崩
D
V
DSS
= -20V
G
S
R
DS （ ON）
= 0.042W
I
D
= -24A
描述
国际整流器第五代HEXFETs利用先进
加工技术，以实现极低的导通电阻每硅片面积。
这样做的好处，结合快速开关速度和加固装置
设计，HEXFET功率MOSFET是众所周知的，提供了
设计师用在各种各样的非常有效和可靠的装置，用于使用
的应用程序。
对D
2
白是一种表面贴装可容纳芯片的功率封装
尺寸高达HEX - 4 。它提供了最高的功率容量和最低
可能的导通电阻，在任何现有的表面贴装型封装。对D
2
Pak是
适合，因为它的低内部连接的高电流的应用
性和可耗散高达2.0W在一个典型的表面安装的应用程序。
D
2
PAK
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ -4.5V
连续漏电流， V
GS
@ -4.5V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量？
雪崩电流？
重复性雪崩能量？
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
马克斯。
-24
-17
-96
75
0.5
± 8.0
290
-12
7.5
-0.81
-55 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
QJC
R
qJA
结到外壳
结到环境（ PCB安装，稳态） **
典型值。
–––
–––
马克斯。
2.0
40
单位
° C / W
www.irf.com
1
5/11/99
IRL5602S
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
DV
（ BR ） DSS
/ DT
J
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
分钟。
-20
–––
–––
–––
–––
-0.7
12
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
TYP 。 MAX 。单位
条件
––– –––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= -250A
-0.013 --- V / ° C参考到25° C，I
D
= -1mA ？
––– 0.042
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -12A
––– 0.062
W
V
GS
= -2.7V ，我
D
= -10A
––– 0.075
V
GS
= -2.5V ，我
D
= -10A
––– -1.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250A
––– –––
S
V
DS
= -15V ，我
D
= -12A
––– -25
V
DS
= -20V, V
GS
= 0V
A
––– -250
V
DS
= -16V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
––– 500
V
GS
= -8.0V
nA
––– -500
V
GS
= 8.0V
––– 44
I
D
= -12A
––– 8.7
NC V
DS
= -16V
––– 19
V
GS
= -4.5V ，参照图6和13
9.7 –––
V
DD
= -10 V
73 –––
I
D
= -12A
ns
53 –––
R
G
= 6.0W ，V
GS
= 4.5V
84 –––
R
D
= 0.8W ，见图。 10 ????
铅之间，
7.5
–––
nH
而中心的模具接触
1460 –––
V
GS
= 0V
790 –––
pF
V
DS
= -15V
370 –––
= 1.0MHz的，见图。 5 ？
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
––– ––– -24
展示
A
G
整体反转
-96
––– –––
p-n结二极管。
S
––– ––– -1.4
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= -12A ，V
GS
= 0V
––– 58
88
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= -12A
––– 54
81
nC
的di / dt = -100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图11）
I
SD
-12A ， di / dt的
120A / μs的，V
DD
V
（ BR ） DSS
,
T
J
175°C
起始物为
J
= 25℃时，L = 3.0mH
R
G
= 25W ，我
AS
= -14A 。 （参见图12）
脉冲宽度
300μS ;占空比
2%.
**
当使用最小的占用空间，建议安装在FR- 4电路板。
对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994 。
2
www.irf.com
IRL5602S
100
VGS
-15V
-12V
-10V
-7.0V
-5.0V
-4.5V
-2.7V
BOTTOM -2.0V
顶部
100
-I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
10
-I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
VGS
-15V
-12V
-10V
-7.0V
-5.0V
-4.5V
-2.7V
BOTTOM -2.0V
顶部
10
-2.0V
-2.0V
1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25
°
C
1
10
100
1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 175
°
C
1
10
100
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
100
3.5
-I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
T
J
= 25
°
C
T
J
= 175
°
C
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
I
D
= -24A
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-60 -40 -20 0
10
1
2.0
V DS = -15V
20μs的脉冲宽度
3.0
4.0
5.0
6.0
V
GS
= -4.5V
20 40 60 80 100 120 140 160 180
-V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
J
，结温（
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
www.irf.com
3
QQ：2881677436 复制
