PD -91535
IRL540NS/L
HEXFET
功率MOSFET
先进的工艺技术
l
表面贴装（ IRL540NS ）
l
通孔低调（ IRL540NL ）
l
175 ° C工作温度
l
快速开关
l
全额定雪崩
描述
l
D
V
DSS
= 100V
G
S
R
DS （ ON）
= 0.044
I
D
= 36A
国际整流器第五代HEXFETs
利用先进的加工技术，以实现
极低的导通电阻每硅片面积。这
益处，结合快速开关速度和
坚固耐用的设备的设计， HEXFET功率MOSFET
是众所周知的，为设计者提供了一个非常
高效，可靠的装置，用于在各种各样的应用
应用程序。
对D
2
白是一种表面贴装功率封装能力
泱泱模具尺寸高达HEX - 4 。它提供了
最高功率能力和尽可能低的导通
在任何现有的表面电阻贴装封装。该
D
2
白是适合的，因为高电流应用
其较低的内部连接性和功耗最高
到2.0W在一个典型的表面安装的应用程序。
通孔版（ IRF540NL ）可用于低
配置文件的应用程序。
D 2 P AK
T O服务-26 2
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量????
雪崩电流？
重复性雪崩能量？
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
马克斯。
36
26
120
3.8
140
0.91
± 16
310
18
14
5.0
-55 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
单位
A
W
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
结到外壳
结到环境（ PCB安装，稳态） **
典型值。
–––
–––
马克斯。
1.1
40
单位
° C / W
5/13/98
IRL540NS/L
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
分钟。
100
–––
–––
–––
–––
1.0
14
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安？
0.044
V
GS
= 10V ，我
D
= 18A
0.053
V
GS
= 5.0V ，我
D
= 18A
0.063
V
GS
= 4.0V ，我
D
= 15A
2.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
–––
S
V
DS
= 25V ，我
D
= 18A
25
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V
A
250
V
DS
= 80V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
100
V
GS
= 16V
nA
-100
V
GS
= -16V
74
I
D
= 18A
9.4
NC V
DS
= 80V
38
V
GS
= 5.0V ，见图。 6和13
–––
V
DD
= 50V
–––
I
D
= 18A
ns
–––
R
G
= 5.0, V
GS
= 5.0V
–––
R
D
= 2.7Ω ，参照图10
铅之间，
7.5 –––
nH
而中心的模具接触
1800 –––
V
GS
= 0V
350 –––
pF
V
DS
= 25V
170 –––
= 1.0MHz的，见图。 5 ？
典型值。
–––
0.11
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
11
81
39
62
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
36
––– –––
展示
A
G
整体反转
––– ––– 120
S
p-n结二极管。
––– ––– 1.3
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 18A ，V
GS
= 0V
––– 190 290
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= 18A
––– 1.1 1.7
μC的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图11）
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
使用IRL540N数据和测试条件
起始物为
J
= 25℃时，L = 1.9mH
R
G
= 25, I
AS
= 18A 。 （参见图12）
I
SD
≤
图18A中， di / dt的
≤
180A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
175°C
**当安装在1 ＆ QUOT ;方形板（FR-4或G- 10材料） 。
对于推荐的焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994 。
PD -91535
IRL540NS/L
HEXFET
功率MOSFET
先进的工艺技术
l
表面贴装（ IRL540NS ）
l
通孔低调（ IRL540NL ）
l
175 ° C工作温度
l
快速开关
l
全额定雪崩
描述
l
D
V
DSS
= 100V
G
S
R
DS （ ON）
= 0.044
I
D
= 36A
国际整流器第五代HEXFETs
利用先进的加工技术，以实现
极低的导通电阻每硅片面积。这
益处，结合快速开关速度和
坚固耐用的设备的设计， HEXFET功率MOSFET
是众所周知的，为设计者提供了一个非常
高效，可靠的装置，用于在各种各样的应用
应用程序。
对D
2
白是一种表面贴装功率封装能力
泱泱模具尺寸高达HEX - 4 。它提供了
最高功率能力和尽可能低的导通
在任何现有的表面电阻贴装封装。该
D
2
白是适合的，因为高电流应用
其较低的内部连接性和功耗最高
到2.0W在一个典型的表面安装的应用程序。
通孔版（ IRF540NL ）可用于低
配置文件的应用程序。
D 2 P AK
T O服务-26 2
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量????
雪崩电流？
重复性雪崩能量？
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
马克斯。
36
26
120
3.8
140
0.91
± 16
310
18
14
5.0
-55 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
单位
A
W
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
结到外壳
结到环境（ PCB安装，稳态） **
典型值。
–––
–––
马克斯。
1.1
40
单位
° C / W
5/13/98
IRL540NS/L
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
分钟。
100
–––
–––
–––
–––
1.0
14
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安？
0.044
V
GS
= 10V ，我
D
= 18A
0.053
V
GS
= 5.0V ，我
D
= 18A
0.063
V
GS
= 4.0V ，我
D
= 15A
2.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
–––
S
V
DS
= 25V ，我
D
= 18A
25
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V
A
250
V
DS
= 80V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
100
V
GS
= 16V
nA
-100
V
GS
= -16V
74
I
D
= 18A
9.4
NC V
DS
= 80V
38
V
GS
= 5.0V ，见图。 6和13
–––
V
DD
= 50V
–––
I
D
= 18A
ns
–––
R
G
= 5.0, V
GS
= 5.0V
–––
R
D
= 2.7Ω ，参照图10
铅之间，
7.5 –––
nH
而中心的模具接触
1800 –––
V
GS
= 0V
350 –––
pF
V
DS
= 25V
170 –––
= 1.0MHz的，见图。 5 ？
典型值。
–––
0.11
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
11
81
39
62
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
36
––– –––
展示
A
G
整体反转
––– ––– 120
S
p-n结二极管。
––– ––– 1.3
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 18A ，V
GS
= 0V
––– 190 290
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= 18A
––– 1.1 1.7
μC的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图11）
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
使用IRL540N数据和测试条件
起始物为
J
= 25℃时，L = 1.9mH
R
G
= 25, I
AS
= 18A 。 （参见图12）
I
SD
≤
图18A中， di / dt的
≤
180A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
175°C
**当安装在1 ＆ QUOT ;方形板（FR-4或G- 10材料） 。
对于推荐的焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994 。
QQ：2880707522 复制
