【以前的数据表指数下一页数据表PD - 9.1495初步llllllIRL540NHEXFET功率MO】,IC型号IRL540N,IRL540N PDF资料,IRL540N经销商,ic,电子元器件-51电子网

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指数

下一页数据表

PD - 9.1495

初步

l

l

l

l

l

l

IRL540N

HEXFET

功率MOSFET

D

逻辑电平栅极驱动

先进的工艺技术

独立包装

高电压隔离= 2.5KVRMS

沉铅爬DIST 。 = 4.8毫米

全额定雪崩

V

DSS

= 100V

R

DS （ ON）

= 0.044

G

S

I

D

= 30A

描述

国际整流器第五代HEXFETs

利用先进的加工技术，以实现

极低的导通电阻每硅片面积。这

益处，结合快速开关速度和

坚固耐用的设备的设计，HEXFET功率

MOSFET是众所周知的，为设计者提供

用一个非常有效和可靠的装置，用于使用

在各种各样的应用中。

在TO- 220封装普遍首选的所有

商业工业应用的功率耗散

水平到约50瓦。低热

电阻和TO- 220封装的低费用

促进整个公司的广泛认可

业。

TO-220AB

绝对最大额定值

参数

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

DM

P

D

@T

C

= 25°C

V

GS

E

AS

I

AR

E

AR

dv / dt的

T

J

T

英镑

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量？

雪崩电流？

重复性雪崩能量？

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

安装扭矩， 6-32或M3 srew

马克斯。

30

21

120

94

0.63

± 16

310

18

9.4

4.3

-55 + 175

300 （ 1.6毫米从案例）

10磅在（ 1.1N m）的

单位

A

W

W / ℃，

V

mJ

A

mJ

V / ns的

°C

热阻

参数

R

θJC

R

θCS

R

θJA

结到外壳

案件到水槽，平面，脂表面

结到环境

典型值。

–––

0.50

–––

马克斯。

1.6

–––

62

单位

° C / W

TO ORDER

8/14/96

以前的数据表

指数

下一页数据表

IRL540N

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSS

/T

J

参数

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

内部排水电感

内部源极电感

输入电容

输出电容

反向传输电容

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

L

D

L

S

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

分钟。

100

–––

–––

–––

–––

1.0

14

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

典型值。

–––

0.11

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

11

81

39

62

4.5

7.5

1800

350

170

MAX 。单位

条件

–––

V

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

--- V / ° C参考到25° C，I

D

= 1毫安

0.044

V

GS

= 10V ，我

D

= 18A

0.053

V

GS

= 5.0V ，我

D

= 18A

0.063

V

GS

= 4.0V ，我

D

= 15A

2.0

V

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

–––

S

V

DS

= 25V ，我

D

= 18A

25

V

DS

= 100V, V

GS

= 0V

A

250

V

DS

= 80V, V

GS

= 0V ，T

J

= 150°C

100

V

GS

= 16V

nA

-100

V

GS

= -16V

74

I

D

= 18A

9.4

NC V

DS

= 5.0V

38

V

GS

= 5.0V ，见图。 6和13

–––

V

DD

= 50V

–––

I

D

= 18A

ns

–––

R

G

= 5.0, V

GS

= 5.0V

–––

R

D

= 2.7Ω ，参照图10

铅之间，

–––

nH

6毫米（0.25英寸）。

G

从包

–––

而中心的模具接触

–––

V

GS

= 0V

–––

pF

V

DS

= 25V

–––

= 1.0MHz的，见图。五

D

S

源极 - 漏极额定值和特性

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向RecoveryCharge

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

条件

D

MOSFET符号

30

––– –––

展示

A

G

整体反转

––– ––– 120

p-n结二极管。

S

––– ––– 1.3

V

T

J

= 25 ° C，I

S

= 18A ，V

GS

= 0V

––– 190 290

ns

T

J

= 25 ° C，I

F

= 18A

––– 1.1 1.7

μC的di / dt = 100A / μs的

固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主

S

+L

D

)

注意事项：

重复评价;脉冲宽度有限的

最大。结温。（参见图11）

起始物为

J

= 25℃时，L = 1.9mH

R

G

= 25, I

AS

= 18A 。（参见图12）

.

I

SD

≤

图18A中， di / dt的

≤

180A / μs的，V

DD

≤

V

（ BR ） DSS

,

T

J

≤

175°C

脉冲宽度

≤

300μS ;占空比

≤

2%

TO ORDER

以前的数据表

指数

下一页数据表

IRL540N

1000

顶部

VGS

15V

12V

10V

8.0V

6.0V

4.0V

3.0V

2.5V

1000

顶部

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

底部

底部

VGS

15V

12V

10V

8.0V

6.0V

4.0V

3.0V

2.5V

100

100

10

10

2.5V

2.5V

1

0.1

1

20μs的脉冲宽度

T

J

= 25°C

10

A

1

0.1

1

20μs的脉冲宽度

T

J

= 175°C

10

100

A

100

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性，

T

J

= 25

o

C

图2 。

典型的输出特性，

T

J

= 175

o

C

1000

3.0

I

D

= 30A

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

2.5

100

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

2.0

T

J

= 25°C

T

J

= 175°C

1.5

10

1.0

0.5

1

V

S

= 50V

20μs的脉冲宽度

2

4

6

8

10

A

0.0

-60 -40 -20

0

20

40

60

80

V

的s

= 10V

100 120 140 160 180

A

V

的s

，栅 - 源极电压（ V）

T

J

，结温（ ° C）

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

TO ORDER

以前的数据表

指数

下一页数据表

IRL540N

3000

V

的s

0V,

=

F = 1MHz的

C

国际空间站

= C + C ，C短路

gs

gd

ds

C

RSS

= C

gd

C

OSS

C + C

=

ds

gd

15

I

D

= 18A

V

S

= 80V

V

S

= 50V

V

S

= 20V

12

C

国际空间站

C，电容（pF ）

2000

V

的s

，栅 - 源极电压（ V）

9

6

1000

C

OSS

C

RSS

3

0

1

10

100

A

0

0

20

40

测试电路

见图13

60

80

100

A

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000

1000

在这一领域有限

由R

DS （ ON）

I

SD

，反向漏电流（ A）

I

D

，漏电流（ A）

100

100

10s

T

J

= 175°C

T

J

= 25°C

10

100s

10

1ms

1

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

V

的s

= 0V

1.6

A

1.8

1

1

T

C

= 25°C

T

J

= 175°C

单脉冲

10

10ms

A

100

1000

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

TO ORDER

以前的数据表

指数

下一页数据表

IRL540N

30

V

DS

25

R

D

V

GS

R

G

D.U.T.

+

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

20

-

V

DD

5.0V

15

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

10

图10A 。

开关时间测试电路

V

DS

90%

5

0

25

50

75

100

125

150

A

175

T

C

，外壳温度（ ° C）

10%

V

GS

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

图10B 。

开关时间波形

10

热响应（Z

thJC

1

)

D = 0.50

0.20

0.10

P

D M

0.1

0.05

t

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

OTE S：

1.职务FAC器D = T / T

2

1

2. PE AK牛逼

J

= P

DM

X Z

THJ

+ T

C

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

1

t

2

0.01

0.00001

A

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

TO ORDER

以前的数据表

指数

下一页数据表

PD - 9.1495

初步

l

l

l

l

l

l

IRL540N

HEXFET

功率MOSFET

D

逻辑电平栅极驱动

先进的工艺技术

独立包装

高电压隔离= 2.5KVRMS

沉铅爬DIST 。 = 4.8毫米

全额定雪崩

V

DSS

= 100V

R

DS （ ON）

= 0.044

G

S

I

D

= 30A

描述

国际整流器第五代HEXFETs

利用先进的加工技术，以实现

极低的导通电阻每硅片面积。这

益处，结合快速开关速度和

坚固耐用的设备的设计，HEXFET功率

MOSFET是众所周知的，为设计者提供

用一个非常有效和可靠的装置，用于使用

在各种各样的应用中。

在TO- 220封装普遍首选的所有

商业工业应用的功率耗散

水平到约50瓦。低热

电阻和TO- 220封装的低费用

促进整个公司的广泛认可

业。

TO-220AB

绝对最大额定值

参数

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

DM

P

D

@T

C

= 25°C

V

GS

E

AS

I

AR

E

AR

dv / dt的

T

J

T

英镑

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量？

雪崩电流？

重复性雪崩能量？

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

安装扭矩， 6-32或M3 srew

马克斯。

30

21

120

94

0.63

± 16

310

18

9.4

4.3

-55 + 175

300 （ 1.6毫米从案例）

10磅在（ 1.1N m）的

单位

A

W

W / ℃，

V

mJ

A

mJ

V / ns的

°C

热阻

参数

R

θJC

R

θCS

R

θJA

结到外壳

案件到水槽，平面，脂表面

结到环境

典型值。

–––

0.50

–––

马克斯。

1.6

–––

62

单位

° C / W

TO ORDER

8/14/96

以前的数据表

指数

下一页数据表

IRL540N

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSS

/T

J

参数

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

内部排水电感

内部源极电感

输入电容

输出电容

反向传输电容

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

L

D

L

S

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

分钟。

100

–––

–––

–––

–––

1.0

14

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

典型值。

–––

0.11

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

11

81

39

62

4.5

7.5

1800

350

170

MAX 。单位

条件

–––

V

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

--- V / ° C参考到25° C，I

D

= 1毫安

0.044

V

GS

= 10V ，我

D

= 18A

0.053

V

GS

= 5.0V ，我

D

= 18A

0.063

V

GS

= 4.0V ，我

D

= 15A

2.0

V

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

–––

S

V

DS

= 25V ，我

D

= 18A

25

V

DS

= 100V, V

GS

= 0V

A

250

V

DS

= 80V, V

GS

= 0V ，T

J

= 150°C

100

V

GS

= 16V

nA

-100

V

GS

= -16V

74

I

D

= 18A

9.4

NC V

DS

= 5.0V

38

V

GS

= 5.0V ，见图。 6和13

–––

V

DD

= 50V

–––

I

D

= 18A

ns

–––

R

G

= 5.0, V

GS

= 5.0V

–––

R

D

= 2.7Ω ，参照图10

铅之间，

–––

nH

6毫米（0.25英寸）。

G

从包

–––

而中心的模具接触

–––

V

GS

= 0V

–––

pF

V

DS

= 25V

–––

= 1.0MHz的，见图。五

D

S

源极 - 漏极额定值和特性

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向RecoveryCharge

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

条件

D

MOSFET符号

30

––– –––

展示

A

G

整体反转

––– ––– 120

p-n结二极管。

S

––– ––– 1.3

V

T

J

= 25 ° C，I

S

= 18A ，V

GS

= 0V

––– 190 290

ns

T

J

= 25 ° C，I

F

= 18A

––– 1.1 1.7

μC的di / dt = 100A / μs的

固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主

S

+L

D

)

注意事项：

重复评价;脉冲宽度有限的

最大。结温。（参见图11）

起始物为

J

= 25℃时，L = 1.9mH

R

G

= 25, I

AS

= 18A 。（参见图12）

.

I

SD

≤

图18A中， di / dt的

≤

180A / μs的，V

DD

≤

V

（ BR ） DSS

,

T

J

≤

175°C

脉冲宽度

≤

300μS ;占空比

≤

2%

TO ORDER

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指数

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IRL540N

1000

顶部

VGS

15V

12V

10V

8.0V

6.0V

4.0V

3.0V

2.5V

1000

顶部

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

底部

底部

VGS

15V

12V

10V

8.0V

6.0V

4.0V

3.0V

2.5V

100

100

10

10

2.5V

2.5V

1

0.1

1

20μs的脉冲宽度

T

J

= 25°C

10

A

1

0.1

1

20μs的脉冲宽度

T

J

= 175°C

10

100

A

100

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性，

T

J

= 25

o

C

图2 。

典型的输出特性，

T

J

= 175

o

C

1000

3.0

I

D

= 30A

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

2.5

100

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

2.0

T

J

= 25°C

T

J

= 175°C

1.5

10

1.0

0.5

1

V

S

= 50V

20μs的脉冲宽度

2

4

6

8

10

A

0.0

-60 -40 -20

0

20

40

60

80

V

的s

= 10V

100 120 140 160 180

A

V

的s

，栅 - 源极电压（ V）

T

J

，结温（ ° C）

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

TO ORDER

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指数

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IRL540N

3000

V

的s

0V,

=

F = 1MHz的

C

国际空间站

= C + C ，C短路

gs

gd

ds

C

RSS

= C

gd

C

OSS

C + C

=

ds

gd

15

I

D

= 18A

V

S

= 80V

V

S

= 50V

V

S

= 20V

12

C

国际空间站

C，电容（pF ）

2000

V

的s

，栅 - 源极电压（ V）

9

6

1000

C

OSS

C

RSS

3

0

1

10

100

A

0

0

20

40

测试电路

见图13

60

80

100

A

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000

1000

在这一领域有限

由R

DS （ ON）

I

SD

，反向漏电流（ A）

I

D

，漏电流（ A）

100

100

10s

T

J

= 175°C

T

J

= 25°C

10

100s

10

1ms

1

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

V

的s

= 0V

1.6

A

1.8

1

1

T

C

= 25°C

T

J

= 175°C

单脉冲

10

10ms

A

100

1000

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

TO ORDER

以前的数据表

指数

下一页数据表

IRL540N

30

V

DS

25

R

D

V

GS

R

G

D.U.T.

+

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

20

-

V

DD

5.0V

15

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

10

图10A 。

开关时间测试电路

V

DS

90%

5

0

25

50

75

100

125

150

A

175

T

C

，外壳温度（ ° C）

10%

V

GS

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

图10B 。

开关时间波形

10

热响应（Z

thJC

1

)

D = 0.50

0.20

0.10

P

D M

0.1

0.05

t

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

OTE S：

1.职务FAC器D = T / T

2

1

2. PE AK牛逼

J

= P

DM

X Z

THJ

+ T

C

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

1

t

2

0.01

0.00001

A

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

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