【PD - 95854汽车MOSFET特点llllll逻辑电平先进的工艺技术超低导通电阻175 ° C】,IC型号IRL3705Z,IRL3705Z PDF资料,IRL3705Z经销商,ic,电子元器件-51电子网

PD - 95854

汽车MOSFET

特点

l

逻辑电平

先进的工艺技术

超低导通电阻

175 ° C工作温度

快速开关

重复性雪崩中允许多达TJMAX

G

IRL3705Z

IRL3705ZS

IRL3705ZL

HEXFET

功率MOSFET

D

V

DSS

= 55V

R

DS （ ON）

= 8.0m

S

描述

专为汽车应用，

这HEXFET

功率MOSFET采用了最新的

加工技术，以实现极低的导通

每硅片面积的阻力。的附加功能

这样的设计是175 ° C的结温工作

TURE ，开关速度快，提高了重复

雪崩额定值。这些功能结合起来，使

这种设计的一个非常有效和可靠的设备

在汽车应用中使用，各种

的其他应用程序。

I

D

= 75A

TO-220AB

IRL3705Z

D

2

PAK

IRL3705ZS

TO-262

IRL3705ZL

绝对最大额定值

参数

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

D

@ T

C

= 25°C

I

DM

P

D

@T

C

= 25°C

V

GS

E

AS （限热）

E

AS

（测试）

I

AR

E

AR

T

J

T

英镑

连续漏电流， V

GS

@ 10V

（硅有限公司）

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

（包装有限公司）

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量

单脉冲雪崩能量测试值

雪崩电流

重复性雪崩能量

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

安装扭矩， 6-32或M3螺丝

马克斯。

86

61

75

340

130

0.88

± 16

120

180

看到图12a ， 12b中，15，16

-55 + 175

单位

A

d

h

W

W / ℃，

V

mJ

A

mJ

°C

g

热阻

参数

R

θJC

R

θCS

R

θJA

R

θJA

结到外壳

外壳到散热器，平板油脂润滑表面

结到环境

i

300 （ 1.6毫米从案例）

10磅的（ 1.1N M）

y

典型值。

马克斯。

1.14

–––

62

40

单位

° C / W

i

–––

0.50

–––

结到环境（印刷电路板安装）

j

www.irf.com

1

3/3/04

IRL3705Z/S/L

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSS

/T

J

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

政府飞行服务队

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

L

D

L

S

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

C

OSS

C

OSS

C

OSS

EFF 。

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

内部排水电感

内部源极电感

输入电容

输出电容

反向传输电容

输出电容

有效输出电容

分钟。典型值。马克斯。单位

55

–––

1.0

150

–––

0.055

6.5

–––

40

12

21

17

240

26

83

4.5

7.5

2880

420

220

1500

330

510

–––

8.0

11

12

3.0

–––

20

250

200

-200

60

–––

nH

–––

pF

条件

V V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

V / ℃参考至25℃ ，我

D

= 1毫安

V

GS

= 10V ，我

D

= 52A

毫欧V

GS

= 5.0V ，我

D

= 43A

V

GS

= 4.5V ，我

D

= 30A

V V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

V V

DS

= 25V ，我

D

= 52A

μA V

DS

= 55V, V

GS

= 0V

V

DS

= 55V, V

GS

= 0V ，T

J

= 125°C

nA的V

GS

= 16V

V

GS

= -16V

I

D

= 43A

NC V

DS

= 44V

V

GS

= 5.0V

V

DD

= 28V

NS我

D

= 43A

R

G

= 4.3

V

GS

= 5.0V

e

铅之间，

6毫米（0.25英寸）。

从包

而中心的模具接触

V

GS

= 0V

V

DS

= 25V

D

G

S

= 1.0MHz的

V

GS

= 0V, V

DS

= 1.0V ， = 1.0MHz的

V

GS

= 0V, V

DS

= 44V ， = 1.0MHz的

V

GS

= 0V, V

DS

= 0V至44V

f

源极 - 漏极额定值和特性

参数

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

–––

16

7.4

75

A

340

1.3

24

11

V

ns

nC

条件

MOSFET符号

展示

整体反转

G

D

p-n结二极管。

T

J

= 25 ° C，I

S

= 52A ，V

GS

= 0V

T

J

= 25 ° C，I

F

= 43A ，V

DD

= 28V

的di / dt = 100A / μs的

e

S

e

固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的

2

www.irf.com

IRL3705Z/S/L

1000

顶部

VGS

12V

10V

8.0V

5.0V

4.5V

3.5V

3.0V

2.8V

1000

顶部

VGS

12V

10V

8.0V

5.0V

4.5V

3.5V

3.0V

2.8V

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

10

底部

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

底部

1

2.8V

0.1

10

2.8V

≤

在60μs脉冲宽度

TJ = 25°C

0.01

0.1

1

10

100

1000

V DS ，漏极至源极电压（ V）

1

0.1

1

≤

在60μs脉冲宽度

TJ = 175℃

10

100

1000

V DS ，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

1000

120

政府飞行服务队，正向跨导（ S）

ID ，漏 - 源电流

(Α)

T J = 175℃

100

T J = 25°C

80

10

60

T J = 175℃

40

1

TJ = 25°C

VDS = 15V

≤60s

脉冲宽度

20

V DS = 8.0V

0

20

40

60

80

100

120

0.1

0

2

4

6

8

10

12

14

16

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

图3 。

典型的传输特性

图4 。

典型正向跨导

与漏电流

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3

IRL3705Z/S/L

100000

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

ISS = C GS + C GD ，C DS短路

RSS = C GD

OSS =硫化镉+ C GD

6.0

ID = 52A

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

5.0

VDS = 44V

VDS = 28V

VDS = 11V

C，电容（pF ）

10000

4.0

西塞

3.0

1000

科斯

CRSS

2.0

1.0

100

1

10

100

0.0

0

10

20

30

40

VDS ，漏极至源极电压（ V）

QG总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000.00

1000

在这一领域

限于由R DS （ ON）

TJ = 175℃

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

ISD ，反向漏电流（ A）

100.00

100

100sec

10

TC = 25°C

TJ = 175℃

单脉冲

1

10

1msec

10msec

100

1000

10.00

T J = 25°C

VGS = 0V

1.00

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

VSD ，源极到漏极电压（V ）

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4

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IRL3705Z/S/L

100

RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻

（归一化）

2.0

90

80

ID ，漏电流（ A）

不限按包

ID = 43A

VGS = 5.0V

70

60

50

40

30

20

10

0

25

50

75

100

125

150

175

T C ，外壳温度（ ° C）

1.5

1.0

0.5

-60 -40 -20 0

20 40 60 80 100 120 140 160 180

T J ，结温（ ° C）

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

图10 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

10

热响应（Z thJC ）

1

D = 0.50

0.20

0.1

0.10

0.05

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

τ

J

R

1

R

1

τ

J

τ

1

τ

2

R

2

R

2

τ

C

τ

RI（ ° C / W）

0.5413

0.5985

τi

（秒）

0.000384

0.002778

τ

1

τ

2

0.01

CI-

τi /日

次I /日

注意事项：

1.占空比D = T1 / T2

2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝

0.01

0.1

0.001

1E-006

1E-005

0.0001

0.001

T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

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5

PD - 95854

汽车MOSFET

特点

l

逻辑电平

先进的工艺技术

超低导通电阻

175 ° C工作温度

快速开关

重复性雪崩中允许多达TJMAX

G

IRL3705Z

IRL3705ZS

IRL3705ZL

HEXFET

功率MOSFET

D

V

DSS

= 55V

R

DS （ ON）

= 8.0m

S

描述

专为汽车应用，

这HEXFET

功率MOSFET采用了最新的

加工技术，以实现极低的导通

每硅片面积的阻力。的附加功能

这样的设计是175 ° C的结温工作

TURE ，开关速度快，提高了重复

雪崩额定值。这些功能结合起来，使

这种设计的一个非常有效和可靠的设备

在汽车应用中使用，各种

的其他应用程序。

I

D

= 75A

TO-220AB

IRL3705Z

D

2

PAK

IRL3705ZS

TO-262

IRL3705ZL

绝对最大额定值

参数

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

D

@ T

C

= 25°C

I

DM

P

D

@T

C

= 25°C

V

GS

E

AS （限热）

E

AS

（测试）

I

AR

E

AR

T

J

T

英镑

连续漏电流， V

GS

@ 10V

（硅有限公司）

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

（包装有限公司）

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量

单脉冲雪崩能量测试值

雪崩电流

重复性雪崩能量

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

安装扭矩， 6-32或M3螺丝

马克斯。

86

61

75

340

130

0.88

± 16

120

180

看到图12a ， 12b中，15，16

-55 + 175

单位

A

d

h

W

W / ℃，

V

mJ

A

mJ

°C

g

热阻

参数

R

θJC

R

θCS

R

θJA

R

θJA

结到外壳

外壳到散热器，平板油脂润滑表面

结到环境

i

300 （ 1.6毫米从案例）

10磅的（ 1.1N M）

y

典型值。

马克斯。

1.14

–––

62

40

单位

° C / W

i

–––

0.50

–––

结到环境（印刷电路板安装）

j

www.irf.com

1

3/3/04

IRL3705Z/S/L

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSS

/T

J

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

政府飞行服务队

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

L

D

L

S

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

C

OSS

C

OSS

C

OSS

EFF 。

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

内部排水电感

内部源极电感

输入电容

输出电容

反向传输电容

输出电容

有效输出电容

分钟。典型值。马克斯。单位

55

–––

1.0

150

–––

0.055

6.5

–––

40

12

21

17

240

26

83

4.5

7.5

2880

420

220

1500

330

510

–––

8.0

11

12

3.0

–––

20

250

200

-200

60

–––

nH

–––

pF

条件

V V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

V / ℃参考至25℃ ，我

D

= 1毫安

V

GS

= 10V ，我

D

= 52A

毫欧V

GS

= 5.0V ，我

D

= 43A

V

GS

= 4.5V ，我

D

= 30A

V V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

V V

DS

= 25V ，我

D

= 52A

μA V

DS

= 55V, V

GS

= 0V

V

DS

= 55V, V

GS

= 0V ，T

J

= 125°C

nA的V

GS

= 16V

V

GS

= -16V

I

D

= 43A

NC V

DS

= 44V

V

GS

= 5.0V

V

DD

= 28V

NS我

D

= 43A

R

G

= 4.3

V

GS

= 5.0V

e

铅之间，

6毫米（0.25英寸）。

从包

而中心的模具接触

V

GS

= 0V

V

DS

= 25V

D

G

S

= 1.0MHz的

V

GS

= 0V, V

DS

= 1.0V ， = 1.0MHz的

V

GS

= 0V, V

DS

= 44V ， = 1.0MHz的

V

GS

= 0V, V

DS

= 0V至44V

f

源极 - 漏极额定值和特性

参数

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

–––

16

7.4

75

A

340

1.3

24

11

V

ns

nC

条件

MOSFET符号

展示

整体反转

G

D

p-n结二极管。

T

J

= 25 ° C，I

S

= 52A ，V

GS

= 0V

T

J

= 25 ° C，I

F

= 43A ，V

DD

= 28V

的di / dt = 100A / μs的

e

S

e

固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的

2

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IRL3705Z/S/L

1000

顶部

VGS

12V

10V

8.0V

5.0V

4.5V

3.5V

3.0V

2.8V

1000

顶部

VGS

12V

10V

8.0V

5.0V

4.5V

3.5V

3.0V

2.8V

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

10

底部

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

底部

1

2.8V

0.1

10

2.8V

≤

在60μs脉冲宽度

TJ = 25°C

0.01

0.1

1

10

100

1000

V DS ，漏极至源极电压（ V）

1

0.1

1

≤

在60μs脉冲宽度

TJ = 175℃

10

100

1000

V DS ，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

1000

120

政府飞行服务队，正向跨导（ S）

ID ，漏 - 源电流

(Α)

T J = 175℃

100

T J = 25°C

80

10

60

T J = 175℃

40

1

TJ = 25°C

VDS = 15V

≤60s

脉冲宽度

20

V DS = 8.0V

0

20

40

60

80

100

120

0.1

0

2

4

6

8

10

12

14

16

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

图3 。

典型的传输特性

图4 。

典型正向跨导

与漏电流

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3

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100000

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

ISS = C GS + C GD ，C DS短路

RSS = C GD

OSS =硫化镉+ C GD

6.0

ID = 52A

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

5.0

VDS = 44V

VDS = 28V

VDS = 11V

C，电容（pF ）

10000

4.0

西塞

3.0

1000

科斯

CRSS

2.0

1.0

100

1

10

100

0.0

0

10

20

30

40

VDS ，漏极至源极电压（ V）

QG总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000.00

1000

在这一领域

限于由R DS （ ON）

TJ = 175℃

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

ISD ，反向漏电流（ A）

100.00

100

100sec

10

TC = 25°C

TJ = 175℃

单脉冲

1

10

1msec

10msec

100

1000

10.00

T J = 25°C

VGS = 0V

1.00

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

VSD ，源极到漏极电压（V ）

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

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IRL3705Z/S/L

100

RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻

（归一化）

2.0

90

80

ID ，漏电流（ A）

不限按包

ID = 43A

VGS = 5.0V

70

60

50

40

30

20

10

0

25

50

75

100

125

150

175

T C ，外壳温度（ ° C）

1.5

1.0

0.5

-60 -40 -20 0

20 40 60 80 100 120 140 160 180

T J ，结温（ ° C）

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

图10 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

10

热响应（Z thJC ）

1

D = 0.50

0.20

0.1

0.10

0.05

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

τ

J

R

1

R

1

τ

J

τ

1

τ

2

R

2

R

2

τ

C

τ

RI（ ° C / W）

0.5413

0.5985

τi

（秒）

0.000384

0.002778

τ

1

τ

2

0.01

CI-

τi /日

次I /日

注意事项：

1.占空比D = T1 / T2

2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝

0.01

0.1

0.001

1E-006

1E-005

0.0001

0.001

T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

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