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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第154页 > IRL3502
PD - 94879
IRL3502PbF
HEXFET
功率MOSFET
l
l
l
l
l
先进的工艺技术
优化4.5V - 7.0V栅极驱动
理想的CPU内核的DC -DC转换器
快速开关
LEAD -FREE
D
V
DSS
= 20V
R
DS （ ON）
= 0.007
G
S
描述
这些HEXFET功率MOSFET设计
具体而言，以满足CPU内核的DC-DC的要求
转换器在PC环境。先进
处理技术结合经优化
栅极氧化物的设计结果中的模尺寸的专
提供以最低的成本获得最大的效率。
在TO- 220封装普遍首选的所有
商业工业应用的功率耗散
水平到约50瓦。低热
电阻和TO- 220封装的低费用
促进整个公司的广泛认可
业。
I
D
= 110A
TO-220AB
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
V
GSM
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 5.0V
连续漏电流， V
GS
@ 5.0V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
栅极 - 源极电压
（启动瞬间， TP = 100μs的）
单脉冲雪崩能量？
雪崩电流？
重复性雪崩能量？
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
安装扭矩， 6-32或M3 srew
马克斯。
110
67
420
140
1.1
± 10
14
390
64
14
5.0
-55到+ 150
300 （ 1.6毫米从案例）
10磅在（ 1.1N m）的
单位
A
W
W / ℃，
V
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θCS
R
θJA
结到外壳
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境
典型值。
0.50
马克斯。
0.89
62
单位
° C / W
12/9/03
IRL3502PbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
分钟。
20
0.70
77
MAX 。单位
条件
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安
0.008
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 64A
0.007
V
GS
= 7.0V ，我
D
= 64A
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
S
V
DS
= 10V ，我
D
= 64A
25
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V
A
250
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
100
V
GS
= -10V
nA
-100
V
GS
= 10V
110
I
D
= 64A
27
NC V
DS
= 16V
39
V
GS
= 4.5V ，参照图6
V
DD
= 10V
I
D
= 64A
ns
R
G
= 3.8, V
GS
= 4.5V
R
D
= 0.15,
铅之间，
4.5
6毫米（0.25英寸）。
nH
G
从包
7.5
而中心的模具接触
4700
V
GS
= 0V
1900
pF
V
DS
= 15V
640
= 1.0MHz的，见图。五
典型值。
0.019
10
140
96
130
D
S
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
注意事项：
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
110
展示
A
G
整体反转
420
S
p-n结二极管。
1.3
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 64A ，V
GS
= 0V
87 130
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= 64A
200 310
nC
的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
基于最大允许计算出的连续电流
起始物为
J
= 25℃时，L = 190μH
R
G
= 25, I
AS
= 64A.
I
SD
≤
64A ， di / dt的
≤
86A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
150°C
结温;推荐电流处理的
包参考设计提示＃ 93-4
IRL3502PbF
1000
VGS
顶部
7.00V
5.00V
4.50V
3.50V
3.00V
2.70V
2.50V
BOTTOM 2.25V
1000
100
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
VGS
7.00V
5.00V
4.50V
3.50V
3.00V
2.70V
2.50V
BOTTOM 2.25V
顶部
100
2.25V
2.25V
10
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25
°
C
1
10
100
10
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 150
°
C
1
10
100
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
1000
2.0
T
J
= 25
°
C
T
J
= 150
°
C
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
I
D
= 110A
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
1.5
100
1.0
0.5
10
V DS = 15V
20μs的脉冲宽度
2
3
4
5
6
0.0
-60 -40 -20
V
GS
= 4.5V
0
20
40
60
80 100 120 140 160
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
J
，结温（
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
IRL3502PbF
8000
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
gs
+ C
GD ，
C
ds
短
C
RSS
= C
gd
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
15
I
D
=
64A
V
DS
= 16V
C，电容（pF ）
6000
12
西塞
4000
9
科斯
2000
6
CRSS
0
3
1
10
100
0
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
0
40
80
120
160
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000
1000
I
SD
，反向漏电流（ A）
在这一领域有限
由R
DS （ ON）
10us
100
T
J
= 150
°
C
I
D
，漏电流（ A）
100
100us
T
J
= 25
°
C
1ms
10
0.5
V
GS
= 0 V
1.0
1.5
2.0
2.5
10
T
C
= 25 ° C
T
J
= 150 ° C
单脉冲
1
10
10ms
100
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
IRL3502PbF
120
800
不限按包
100
E
AS
，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）
顶部
600
底部
ID
29A
40A
64A
I
D
，漏电流（ A）
80
60
400
40
200
20
0
25
50
T
C
，外壳温度（ ° C）
75
100
125
150
0
25
起始物为
J
，结温（
°
C)
50
75
100
125
150
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
图10 。
最大雪崩能量
与漏电流
1
热响应（Z
thJC
)
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
单脉冲
（热反应）
P
DM
t
1
t
2
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
0.1
0.01
0.00001
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
PD 9.1698A
初步
l
l
l
l
IRL3502
HEXFET
功率MOSFET
D
先进的工艺技术
优化4.5V - 7.0V栅极驱动
理想的CPU内核的DC -DC转换器
快速开关
G
V
DSS
= 20V
R
DS （ ON）
= 0.007
S
描述
这些HEXFET功率MOSFET设计
具体而言，以满足CPU内核的DC-DC的要求
转换器。先进的加工技术
结合经优化的栅极氧化物的设计结果
在模具尺寸的专门提供最大效率
以最低的成本。
在TO- 220封装普遍首选的所有
商业工业应用的功率耗散
水平到约50瓦。低热
电阻和TO- 220封装的低费用
促进整个公司的广泛认可
业。
I
D
= 110A
TO-220AB
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
V
GSM
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 5.0V
连续漏电流， V
GS
@ 5.0V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
栅极 - 源极电压
（启动瞬间， TP = 100μs的）
单脉冲雪崩能量？
雪崩电流？
重复性雪崩能量？
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
安装扭矩， 6-32或M3 srew
马克斯。
110
67
420
140
1.1
± 10
14
390
64
14
5.0
-55到+ 150
300 （ 1.6毫米从案例）
10磅在（ 1.1N m）的
单位
A
W
W / ℃，
V
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θCS
R
θJA
结到外壳
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境
典型值。
–––
0.50
–––
马克斯。
0.89
–––
62
单位
° C / W
11/17/97
IRL3502
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
分钟。
20
–––
–––
–––
0.70
77
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安
0.008
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 64A
0.007
V
GS
= 7.0V ，我
D
= 64A
–––
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
–––
S
V
DS
= 10V ，我
D
= 64A
25
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V
A
250
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
100
V
GS
= -10V
nA
-100
V
GS
= 10V
110
I
D
= 64A
27
NC V
DS
= 16V
39
V
GS
= 4.5V ，参照图6
–––
V
DD
= 10V
–––
I
D
= 64A
ns
–––
R
G
= 3.8, V
GS
= 4.5V
–––
R
D
= 0.15,
铅之间，
––– 4.5 –––
6毫米（0.25英寸）。
nH
G
从包
––– 7.5 –––
而中心的模具接触
––– 4700 –––
V
GS
= 0V
––– 1900 –––
pF
V
DS
= 15V
––– 640 –––
= 1.0MHz的，见图。五
典型值。
–––
0.019
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
10
140
96
130
D
S
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
注意事项：
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
––– ––– 110
展示
A
G
整体反转
––– ––– 420
S
p-n结二极管。
––– ––– 1.3
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 64A ，V
GS
= 0V
––– 87 130
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= 64A
––– 200 310
NC的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
基于最大允许计算出的连续电流
结温;推荐电流处理的
包参考设计提示＃ 93-4
起始物为
J
= 25℃时，L = 190μH
R
G
= 25, I
AS
= 64A.
I
≤
64A ， di / dt的
≤
86A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
SD
T
J
≤
150°C
IRL3502
1000
VGS
顶部
7.00V
5.00V
4.50V
3.50V
3.00V
2.70V
2.50V
BOTTOM 2.25V
1000
100
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
VGS
7.00V
5.00V
4.50V
3.50V
3.00V
2.70V
2.50V
BOTTOM 2.25V
顶部
100
2.25V
2.25V
10
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25
°
C
1
10
100
10
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 150
°
C
1
10
100
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
1000
2.0
T
J
= 25
°
C
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
I
D
= 110A
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
1.5
T
J
= 150
°
C
100
1.0
0.5
10
2
3
4
V DS = 15V
20μs的脉冲宽度
5
6
0.0
-60 -40 -20
V
GS
= 4.5V
0
20
40
60
80 100 120 140 160
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
J
，结温（
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
IRL3502
8000
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
V
GS
=
C
国际空间站
=
C
RSS
=
C
OSS
=
0V,
F = 1MHz的
C
gs
+ C
GD ，
C
ds
短
C
gd
C
ds
+ C
gd
15
I
D
=
64A
V
DS
= 16V
12
C，电容（pF ）
6000
C
国际空间站
9
4000
C
OSS
2000
6
C
RSS
0
1
10
100
3
0
0
40
80
120
160
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000
1000
I
SD
，反向漏电流（ A）
在这一领域有限
由R
DS （ ON）
10us
T
J
= 150
°
C
I
D
，漏电流（ A）
100us
100
100
T
J
= 25
°
C
1ms
10
0.5
V
GS
= 0 V
1.0
1.5
2.0
2.5
10
1
T
C
= 25 ° C
T
J
= 150 ° C
单脉冲
10
10ms
100
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
IRL3502
120
800
不限按包
100
E
AS
，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）
顶部
底部
600
ID
29A
40A
64A
I
D
，漏电流（ A）
80
60
400
40
200
20
0
25
50
75
100
125
150
0
25
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
起始物为
J
，结温（
°
C)
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
图10 。
最大雪崩能量
与漏电流
1
热响应（Z
thJC
)
D = 0.50
0.20
0.1
0.10
0.05
0.02
0.01
单脉冲
（热反应）
P
DM
t
1
t
2
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
0.01
0.00001
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
PD 9.1698A
初步
l
l
l
l
IRL3502
HEXFET
功率MOSFET
D
先进的工艺技术
优化4.5V - 7.0V栅极驱动
理想的CPU内核的DC -DC转换器
快速开关
G
V
DSS
= 20V
R
DS （ ON）
= 0.007
S
描述
这些HEXFET功率MOSFET设计
具体而言，以满足CPU内核的DC-DC的要求
转换器。先进的加工技术
结合经优化的栅极氧化物的设计结果
在模具尺寸的专门提供最大效率
以最低的成本。
在TO- 220封装普遍首选的所有
商业工业应用的功率耗散
水平到约50瓦。低热
电阻和TO- 220封装的低费用
促进整个公司的广泛认可
业。
I
D
= 110A
TO-220AB
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
V
GSM
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 5.0V
连续漏电流， V
GS
@ 5.0V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
栅极 - 源极电压
（启动瞬间， TP = 100μs的）
单脉冲雪崩能量？
雪崩电流？
重复性雪崩能量？
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
安装扭矩， 6-32或M3 srew
马克斯。
110
67
420
140
1.1
± 10
14
390
64
14
5.0
-55到+ 150
300 （ 1.6毫米从案例）
10磅在（ 1.1N m）的
单位
A
W
W / ℃，
V
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θCS
R
θJA
结到外壳
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境
典型值。
–––
0.50
–––
马克斯。
0.89
–––
62
单位
° C / W
11/17/97
IRL3502
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
分钟。
20
–––
–––
–––
0.70
77
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安
0.008
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 64A
0.007
V
GS
= 7.0V ，我
D
= 64A
–––
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
–––
S
V
DS
= 10V ，我
D
= 64A
25
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V
A
250
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
100
V
GS
= -10V
nA
-100
V
GS
= 10V
110
I
D
= 64A
27
NC V
DS
= 16V
39
V
GS
= 4.5V ，参照图6
–––
V
DD
= 10V
–––
I
D
= 64A
ns
–––
R
G
= 3.8, V
GS
= 4.5V
–––
R
D
= 0.15,
铅之间，
––– 4.5 –––
6毫米（0.25英寸）。
nH
G
从包
––– 7.5 –––
而中心的模具接触
––– 4700 –––
V
GS
= 0V
––– 1900 –––
pF
V
DS
= 15V
––– 640 –––
= 1.0MHz的，见图。五
典型值。
–––
0.019
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
10
140
96
130
D
S
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
注意事项：
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
––– ––– 110
展示
A
G
整体反转
––– ––– 420
S
p-n结二极管。
––– ––– 1.3
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 64A ，V
GS
= 0V
––– 87 130
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= 64A
––– 200 310
NC的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
基于最大允许计算出的连续电流
结温;推荐电流处理的
包参考设计提示＃ 93-4
起始物为
J
= 25℃时，L = 190μH
R
G
= 25, I
AS
= 64A.
I
≤
64A ， di / dt的
≤
86A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
SD
T
J
≤
150°C
IRL3502
1000
VGS
顶部
7.00V
5.00V
4.50V
3.50V
3.00V
2.70V
2.50V
BOTTOM 2.25V
1000
100
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
VGS
7.00V
5.00V
4.50V
3.50V
3.00V
2.70V
2.50V
BOTTOM 2.25V
顶部
100
2.25V
2.25V
10
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25
°
C
1
10
100
10
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 150
°
C
1
10
100
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
1000
2.0
T
J
= 25
°
C
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
I
D
= 110A
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
1.5
T
J
= 150
°
C
100
1.0
0.5
10
2
3
4
V DS = 15V
20μs的脉冲宽度
5
6
0.0
-60 -40 -20
V
GS
= 4.5V
0
20
40
60
80 100 120 140 160
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
J
，结温（
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
IRL3502
8000
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
V
GS
=
C
国际空间站
=
C
RSS
=
C
OSS
=
0V,
F = 1MHz的
C
gs
+ C
GD ，
C
ds
短
C
gd
C
ds
+ C
gd
15
I
D
=
64A
V
DS
= 16V
12
C，电容（pF ）
6000
C
国际空间站
9
4000
C
OSS
2000
6
C
RSS
0
1
10
100
3
0
0
40
80
120
160
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000
1000
I
SD
，反向漏电流（ A）
在这一领域有限
由R
DS （ ON）
10us
T
J
= 150
°
C
I
D
，漏电流（ A）
100us
100
100
T
J
= 25
°
C
1ms
10
0.5
V
GS
= 0 V
1.0
1.5
2.0
2.5
10
1
T
C
= 25 ° C
T
J
= 150 ° C
单脉冲
10
10ms
100
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
IRL3502
120
800
不限按包
100
E
AS
，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）
顶部
底部
600
ID
29A
40A
64A
I
D
，漏电流（ A）
80
60
400
40
200
20
0
25
50
75
100
125
150
0
25
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
起始物为
J
，结温（
°
C)
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
图10 。
最大雪崩能量
与漏电流
1
热响应（Z
thJC
)
D = 0.50
0.20
0.1
0.10
0.05
0.02
0.01
单脉冲
（热反应）
P
DM
t
1
t
2
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
0.01
0.00001
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
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