PD - 9.1323B
IRL3303S/L
l
l
l
l
l
l
l
逻辑电平栅极驱动
先进的工艺技术
表面贴装（ IRL3303S ）
通孔低调（ IRL3303L ）
175 ° C工作温度
快速开关
全额定雪崩
HEXFET
功率MOSFET
D
V
DSS
= 30V
R
DS （ ON）
= 0.026
G
I
D
= 38A
S
描述
国际整流器第五代HEXFETs
利用先进的加工技术，以实现
极低的导通电阻每硅片面积。这
益处，结合快速开关速度和
坚固耐用的设备的设计， HEXFET功率MOSFET
是众所周知的，为设计者提供了一个非常
高效，可靠的装置，用于在各种各样的应用
应用程序。
对D
2
白是一种表面贴装功率封装能力
泱泱模具尺寸高达HEX - 4 。它提供了
最高功率能力和尽可能低的导通
在任何现有的表面电阻贴装封装。该
D
2
白是适合的，因为高电流应用
其较低的内部连接性，可以消散
高达2.0W在一个典型的表面安装的应用程序。
通孔版（ IRL3303L ）可用于低
配置文件的应用程序。
D 2白
T O服务-2 6 2
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量????
雪崩电流？
重复性雪崩能量？
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
马克斯。
38
27
140
3.8
68
0.45
±16
130
20
6.8
5.0
-55 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
单位
A
W
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
结到外壳
结到环境（ PCB安装，稳态） **
典型值。
–––
–––
马克斯。
2.2
40
单位
° C / W
8/25/97
IRL3303S/L
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） DSS
漏极至源极击穿电压
V
（ BR ） DSS
/T
J
击穿电压温度。系数
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。
30
–––
–––
–––
1.0
12
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
0.035
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
7.4
200
14
36
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安？
0.026
V
GS
= 10V ，我
D
= 20A
0.040
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 17A
T
J
= 150°C
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
–––
S
V
DS
= 25V ，我
D
= 20A
25
V
DS
= 30V, V
GS
= 0V
A
250
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
100
V
GS
= 16V
nA
-100
V
GS
= -16V
26
I
D
= 20A
8.8
nC
V
DS
= 24V
15
V
GS
= 4.5V ，参照图6和13
–––
V
DD
= 15V
–––
I
D
= 20A
–––
R
G
= 6.5
–––
R
D
= 0.7Ω ，见图。 10
铅之间，
7.5 –––
nH
而中心的模具接触
870 –––
V
GS
= 0V
340 –––
pF
V
DS
= 25V
170 –––
= 1.0MHz的，见图。 5 ？
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
––– ––– 38
展示
A
G
整体反转
––– ––– 140
p-n结二极管。
S
––– ––– 1.3
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 20A ，V
GS
= 0V
––– 72 110
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= 20A
––– 180 280
μC的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图11）
I
SD
≤
20A ， di / dt的
≤
140A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
175°C
V
DD
= 15V ，起始物为
J
= 25℃时，L = 470μH
R
G
= 25, I
AS
= 20A 。 （参见图12）
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
使用IRL3303数据和试验条件。
**当安装在1 ＆ QUOT ;方形板（FR-4或G- 10材料） 。
对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994 。
IRL3303S/L
1000
VGS
15V
12V
10V
8.0V
6.0V
4.0V
3.0V
BOT TOM 2.5V
顶部
1000
I
D
，D RA在-to -S ü RC式C ④此T（A ）
I
D
，D RA在-to -S ü RC式C ④此T（A ）
100
100
VGS
15V
12V
10V
8.0V
6.0V
4.0V
3.0V
BOTT OM 2.5V
顶部
10
10
2.5V
1
1
2 .5V
0.1
0.1
2 0μ s PU LSE W ID TH
T
J
= 25 °C
1
10
100
A
0.1
0.1
20 μ s PU LSE W ID TH
T
J
= 1 75°C
1
10
100
A
V
S
，漏到-S环境允许的V oltage （ V）
V
S
，漏 - 源V oltage （ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
1000
2.0
100
R
S（O N）
，D RA在-to -S ü RC ê n个R é SI站 CE
（N RM一个李泽四）
I
D
= 3 4A
I
D
， ，D R AIN-到-S ourc式C urre NT （A ）
1.5
T
J
= 2 5 °C
T
J
= 1 75 °C
10
1.0
1
0.5
0.1
2
3
4
5
6
V
DS
= 1 5 V
2 0μ s PU L SE W ID TH
7
8
9
10
A
0.0
-60
-40 -20
0
20
40
60
80
V
的s
= 10 V
100 120 140 160 180
A
V
的s
，G吃了对-S环境允许的V olta GE （ V）
T
J
，结牛逼EM perature （ ° C）
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
IRL3303S/L
1600
1400
1200
1000
800
600
V
的s
，G一德以诚-S ü RCE V LTA克E（ V）
V
GS
C
为s
C
RSS
C
是S·C
OSS
= 0 V,
F = 1M ^ h
= C
gs
+ C
gd
, C
ds
SH或TE
= C
gd
= C
S
+ C
gd
15
I
D
= 2 0A
V
S
= 24 V
V
S
= 15 V
12
C，C的P是C ITA N c个E（ P F）
C
OS s
9
6
C
RSS
400
200
0
1
10
100
3
A
0
0
10
20
FOR TE ST ℃红外CU IT
SE ê图ú RE 13
30
40
A
V
S
，D-雨到-S环境允许的电压（V）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000
1000
I
S.D。
在C R é é V RSE RA ④此T（A ）
OPE ATIO N的TH是一个重新一个LIMITE
由R
S（O N）
I
D
，D RA C语言④此T（A ）
100
100
10 s
T
J
= 1 75 °C
T
J
= 25 °C
10
100 s
10
1米s
1
0.0
0.5
1.0
1.5
V
的s
= 0 V
2.0
A
2.5
1
1
T
C
= 25 °C
T
J
= 17 5°C
S荷兰国际集团乐脉
10
10米s
A
100
V
S.D。
，S环境允许到漏极电压（ V）
V
S
，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
PD - 9.1323B
IRL3303S/L
l
l
l
l
l
l
l
逻辑电平栅极驱动
先进的工艺技术
表面贴装（ IRL3303S ）
通孔低调（ IRL3303L ）
175 ° C工作温度
快速开关
全额定雪崩
HEXFET
功率MOSFET
D
V
DSS
= 30V
R
DS （ ON）
= 0.026
G
I
D
= 38A
S
描述
国际整流器第五代HEXFETs
利用先进的加工技术，以实现
极低的导通电阻每硅片面积。这
益处，结合快速开关速度和
坚固耐用的设备的设计， HEXFET功率MOSFET
是众所周知的，为设计者提供了一个非常
高效，可靠的装置，用于在各种各样的应用
应用程序。
对D
2
白是一种表面贴装功率封装能力
泱泱模具尺寸高达HEX - 4 。它提供了
最高功率能力和尽可能低的导通
在任何现有的表面电阻贴装封装。该
D
2
白是适合的，因为高电流应用
其较低的内部连接性，可以消散
高达2.0W在一个典型的表面安装的应用程序。
通孔版（ IRL3303L ）可用于低
配置文件的应用程序。
D 2白
T O服务-2 6 2
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量????
雪崩电流？
重复性雪崩能量？
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
马克斯。
38
27
140
3.8
68
0.45
±16
130
20
6.8
5.0
-55 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
单位
A
W
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
结到外壳
结到环境（ PCB安装，稳态） **
典型值。
–––
–––
马克斯。
2.2
40
单位
° C / W
8/25/97
IRL3303S/L
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） DSS
漏极至源极击穿电压
V
（ BR ） DSS
/T
J
击穿电压温度。系数
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。
30
–––
–––
–––
1.0
12
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
0.035
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
7.4
200
14
36
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安？
0.026
V
GS
= 10V ，我
D
= 20A
0.040
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 17A
T
J
= 150°C
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
–––
S
V
DS
= 25V ，我
D
= 20A
25
V
DS
= 30V, V
GS
= 0V
A
250
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
100
V
GS
= 16V
nA
-100
V
GS
= -16V
26
I
D
= 20A
8.8
nC
V
DS
= 24V
15
V
GS
= 4.5V ，参照图6和13
–––
V
DD
= 15V
–––
I
D
= 20A
–––
R
G
= 6.5
–––
R
D
= 0.7Ω ，见图。 10
铅之间，
7.5 –––
nH
而中心的模具接触
870 –––
V
GS
= 0V
340 –––
pF
V
DS
= 25V
170 –––
= 1.0MHz的，见图。 5 ？
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
––– ––– 38
展示
A
G
整体反转
––– ––– 140
p-n结二极管。
S
––– ––– 1.3
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 20A ，V
GS
= 0V
––– 72 110
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= 20A
––– 180 280
μC的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图11）
I
SD
≤
20A ， di / dt的
≤
140A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
175°C
V
DD
= 15V ，起始物为
J
= 25℃时，L = 470μH
R
G
= 25, I
AS
= 20A 。 （参见图12）
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
使用IRL3303数据和试验条件。
**当安装在1 ＆ QUOT ;方形板（FR-4或G- 10材料） 。
对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994 。
IRL3303S/L
1000
VGS
15V
12V
10V
8.0V
6.0V
4.0V
3.0V
BOT TOM 2.5V
顶部
1000
I
D
，D RA在-to -S ü RC式C ④此T（A ）
I
D
，D RA在-to -S ü RC式C ④此T（A ）
100
100
VGS
15V
12V
10V
8.0V
6.0V
4.0V
3.0V
BOTT OM 2.5V
顶部
10
10
2.5V
1
1
2 .5V
0.1
0.1
2 0μ s PU LSE W ID TH
T
J
= 25 °C
1
10
100
A
0.1
0.1
20 μ s PU LSE W ID TH
T
J
= 1 75°C
1
10
100
A
V
S
，漏到-S环境允许的V oltage （ V）
V
S
，漏 - 源V oltage （ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
1000
2.0
100
R
S（O N）
，D RA在-to -S ü RC ê n个R é SI站 CE
（N RM一个李泽四）
I
D
= 3 4A
I
D
， ，D R AIN-到-S ourc式C urre NT （A ）
1.5
T
J
= 2 5 °C
T
J
= 1 75 °C
10
1.0
1
0.5
0.1
2
3
4
5
6
V
DS
= 1 5 V
2 0μ s PU L SE W ID TH
7
8
9
10
A
0.0
-60
-40 -20
0
20
40
60
80
V
的s
= 10 V
100 120 140 160 180
A
V
的s
，G吃了对-S环境允许的V olta GE （ V）
T
J
，结牛逼EM perature （ ° C）
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
IRL3303S/L
1600
1400
1200
1000
800
600
V
的s
，G一德以诚-S ü RCE V LTA克E（ V）
V
GS
C
为s
C
RSS
C
是S·C
OSS
= 0 V,
F = 1M ^ h
= C
gs
+ C
gd
, C
ds
SH或TE
= C
gd
= C
S
+ C
gd
15
I
D
= 2 0A
V
S
= 24 V
V
S
= 15 V
12
C，C的P是C ITA N c个E（ P F）
C
OS s
9
6
C
RSS
400
200
0
1
10
100
3
A
0
0
10
20
FOR TE ST ℃红外CU IT
SE ê图ú RE 13
30
40
A
V
S
，D-雨到-S环境允许的电压（V）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000
1000
I
S.D。
在C R é é V RSE RA ④此T（A ）
OPE ATIO N的TH是一个重新一个LIMITE
由R
S（O N）
I
D
，D RA C语言④此T（A ）
100
100
10 s
T
J
= 1 75 °C
T
J
= 25 °C
10
100 s
10
1米s
1
0.0
0.5
1.0
1.5
V
的s
= 0 V
2.0
A
2.5
1
1
T
C
= 25 °C
T
J
= 17 5°C
S荷兰国际集团乐脉
10
10米s
A
100
V
S.D。
，S环境允许到漏极电压（ V）
V
S
，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
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