【PD - 9.1692A初步lllllIRL3302SHEXFET功率MOSFETD先进的工艺技术表】,IC型号IRL3302,IRL3302 PDF资料,IRL3302经销商,ic,电子元器件-51电子网

PD - 9.1692A

初步

l

IRL3302S

HEXFET

功率MOSFET

D

先进的工艺技术

表面贴装

优化4.5V - 7.0V栅极驱动

理想的CPU内核的DC -DC转换器

快速开关

V

DSS

= 20V

G

S

R

DS （ ON）

= 0.020W

I

D

= 39A

描述

这些HEXFET功率MOSFET设计

具体而言，以满足CPU内核的DC-DC的要求

转换器。先进的加工技术

结合经优化的栅极氧化物的设计结果

在模具尺寸的专门提供最大效率

以最低的成本。

对D

2

白是一种表面贴装功率封装能力

中容纳的芯片尺寸最多HEX - 4 。它提供了

最高功率能力和尽可能低的导通

在任何现有的表面电阻贴装封装。该

D

2

白是适合于高电流的应用，因为

其较低的内部连接性可与

耗散高达2.0W在一个典型的表面安装

应用程序。

D

2

P AK

绝对最大额定值

参数

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

DM

P

D

@T

C

= 25°C

V

GS

E

AS

I

AR

E

AR

dv / dt的

T

J

T

英镑

连续漏电流， V

GS

@ 4.5V

连续漏电流， V

GS

@ 4.5V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量????

雪崩电流？

重复性雪崩能量？

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

马克斯。

39

25

160

57

0.45

± 10

130

23

5.7

5.0

-55到+ 150

300 （ 1.6毫米从案例）

单位

A

W

W / ℃，

V

mJ

A

mJ

V / ns的

°C

热阻

参数

R

QJC

R

qJA

结到外壳

结到环境（ PCB安装，稳态） **

典型值。

–––

马克斯。

2.2

40

单位

° C / W

9/17/97

IRL3302S

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

V

（ BR ） DSS

漏极至源极击穿电压

DV

（ BR ） DSS

/ DT

J

击穿电压温度。系数

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

L

S

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

内部源极电感

输入电容

输出电容

反向传输电容

分钟。

20

–––

0.70

21

–––

典型值。

–––

0.022

–––

7.2

110

41

89

MAX 。单位

条件

–––

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

--- V / ° C参考到25° C，I

D

= 1毫安？

0.023

V

GS

= 4.5V ，我

D

= 23A

W

0.020

V

GS

= 7.0V ，我

D

= 23A

–––

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

–––

S

V

DS

= 10V ，我

D

= 23A

25

V

DS

= 20V, V

GS

= 0V

A

250

V

DS

= 10V, V

GS

= 0V ，T

J

= 150°C

100

V

GS

= 10V

nA

-100

V

GS

= -10V

31

I

D

= 23A

5.7

nC

V

DS

= 16V

13

V

GS

= 4.5V ，参照图6

–––

V

DD

= 10V

–––

I

D

= 23A

ns

–––

R

G

= 9.5W V

GS

= 4.5V

,

–––

R

D

= 2.4W

,

铅之间，

nH

7.5 –––

而中心的模具接触

1300 –––

V

GS

= 0V

520 –––

pF

V

DS

= 15V

190 –––

= 1.0MHz的，见图。 5 ？

源极 - 漏极额定值和特性

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复

向前开启时间

条件

D

MOSFET符号

39

––– –––

展示

A

G

整体反转

––– ––– 160

S

p-n结二极管。

––– ––– 1.3

V

T

J

= 25 ° C，I

S

= 23A ，V

GS

= 0V

––– 62

94

ns

T

J

= 25 ° C，I

F

= 23A

费--- 110

160 NC

的di / dt = 100A / μs的

固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主

S

+L

D

)

分钟。典型值。马克斯。单位

注意事项：

重复评价;脉冲宽度有限的

最大。结温。

I

23A ， di / dt的

97A / μs的，V

DD

V

（ BR ） DSS

,

SD

T

J

150°C

起始物为

J

= 25℃时，L = 0.49mH

R

G

= 25W ，我

AS

= 23A.

脉冲宽度

300μS ;占空比

2%.

使用IRL3302数据和测试条件

**当使用最小的占用空间，建议安装在FR- 4电路板。

对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994 。

IRL3302S

1000

VGS

15V

10V

12V

8.0V

10V

6.0V

8.0V

4.0V

6.0V

4.0V

3.0V

BOTTOM 2.5V

顶部

1000

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

100

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

VGS

15V

10V

12V

8.0V

10V

6.0V

8.0V

4.0V

6.0V

4.0V

3.0V

BOTTOM 2.5V

顶部

100

2.5V

10

0.1

2.5V

20μs的脉冲宽度

T

J

= 25

°

C

10

0.1

20μs的脉冲宽度

T

J

= 150

°

C

1

10

100

1

10

100

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

1000

2.0

T

J

= 25

°

C

T

J

= 150

°

C

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

I

D

= 39A

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

1.5

100

1.0

10

0.5

1

2

3

4

5

V DS = 15V

20μs的脉冲宽度

6

7

8

0.0

-60 -40 -20

V

GS

= 4.5V

0

20

40

60

80 100 120 140 160

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

T

J

，结温（

°

C)

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

IRL3302S

2400

2000

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

V

GS

=

C

国际空间站

=

C

RSS

=

C

OSS

=

0V,

F = 1MHz的

C

gs

+ C

GD ，

C

ds

短

C

gd

C

ds

+ C

gd

15

I

D

=

23A

V

DS

= 16V

12

C，电容（pF ）

1600

C

国际空间站

1200

9

6

800

C

OSS

400

3

C

RSS

0

1

10

100

0

10

20

30

40

50

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000

I

SD

，反向漏电流（ A）

在这一领域有限

由R

DS （ ON）

100

T

J

= 150

°

C

I

D

，漏电流（ A）

10us

100

100us

10

1ms

T

J

= 25

°

C

T

C

= 25 ° C

T

J

= 150 ° C

单脉冲

1

10

10ms

1

0.5

V

GS

= 0 V

1.0

1.5

2.0

1

100

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

IRL3302S

40

300

E

AS

，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）

顶部

250

I

D

，漏电流（ A）

30

底部

ID

10A

15A

23A

200

20

150

100

10

50

0

25

50

75

100

125

150

0

25

50

75

100

125

150

T

C

，外壳温度（ ° C）

起始物为

J

，结温（

°

C)

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

图10 。

最大雪崩能量

与漏电流

10

热响应（Z

thJC

)

1

D = 0.50

0.20

0.10

0.05

P

DM

单脉冲

（热反应）

t

1

t

2

注意事项：

1.负载因数D = T

1

/ t

2

2.峰值牛逼

J

= P

DM

X Z

thJC

+ T

C

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

0.1

0.02

0.01

0.00001

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

PD - 9.1692A

初步

l

IRL3302S

HEXFET

功率MOSFET

D

先进的工艺技术

表面贴装

优化4.5V - 7.0V栅极驱动

理想的CPU内核的DC -DC转换器

快速开关

V

DSS

= 20V

G

S

R

DS （ ON）

= 0.020W

I

D

= 39A

描述

这些HEXFET功率MOSFET设计

具体而言，以满足CPU内核的DC-DC的要求

转换器。先进的加工技术

结合经优化的栅极氧化物的设计结果

在模具尺寸的专门提供最大效率

以最低的成本。

对D

2

白是一种表面贴装功率封装能力

中容纳的芯片尺寸最多HEX - 4 。它提供了

最高功率能力和尽可能低的导通

在任何现有的表面电阻贴装封装。该

D

2

白是适合于高电流的应用，因为

其较低的内部连接性可与

耗散高达2.0W在一个典型的表面安装

应用程序。

D

2

P AK

绝对最大额定值

参数

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

DM

P

D

@T

C

= 25°C

V

GS

E

AS

I

AR

E

AR

dv / dt的

T

J

T

英镑

连续漏电流， V

GS

@ 4.5V

连续漏电流， V

GS

@ 4.5V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量????

雪崩电流？

重复性雪崩能量？

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

马克斯。

39

25

160

57

0.45

± 10

130

23

5.7

5.0

-55到+ 150

300 （ 1.6毫米从案例）

单位

A

W

W / ℃，

V

mJ

A

mJ

V / ns的

°C

热阻

参数

R

QJC

R

qJA

结到外壳

结到环境（ PCB安装，稳态） **

典型值。

–––

马克斯。

2.2

40

单位

° C / W

9/17/97

IRL3302S

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

V

（ BR ） DSS

漏极至源极击穿电压

DV

（ BR ） DSS

/ DT

J

击穿电压温度。系数

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

L

S

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

内部源极电感

输入电容

输出电容

反向传输电容

分钟。

20

–––

0.70

21

–––

典型值。

–––

0.022

–––

7.2

110

41

89

MAX 。单位

条件

–––

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

--- V / ° C参考到25° C，I

D

= 1毫安？

0.023

V

GS

= 4.5V ，我

D

= 23A

W

0.020

V

GS

= 7.0V ，我

D

= 23A

–––

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

–––

S

V

DS

= 10V ，我

D

= 23A

25

V

DS

= 20V, V

GS

= 0V

A

250

V

DS

= 10V, V

GS

= 0V ，T

J

= 150°C

100

V

GS

= 10V

nA

-100

V

GS

= -10V

31

I

D

= 23A

5.7

nC

V

DS

= 16V

13

V

GS

= 4.5V ，参照图6

–––

V

DD

= 10V

–––

I

D

= 23A

ns

–––

R

G

= 9.5W V

GS

= 4.5V

,

–––

R

D

= 2.4W

,

铅之间，

nH

7.5 –––

而中心的模具接触

1300 –––

V

GS

= 0V

520 –––

pF

V

DS

= 15V

190 –––

= 1.0MHz的，见图。 5 ？

源极 - 漏极额定值和特性

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复

向前开启时间

条件

D

MOSFET符号

39

––– –––

展示

A

G

整体反转

––– ––– 160

S

p-n结二极管。

––– ––– 1.3

V

T

J

= 25 ° C，I

S

= 23A ，V

GS

= 0V

––– 62

94

ns

T

J

= 25 ° C，I

F

= 23A

费--- 110

160 NC

的di / dt = 100A / μs的

固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主

S

+L

D

)

分钟。典型值。马克斯。单位

注意事项：

重复评价;脉冲宽度有限的

最大。结温。

I

23A ， di / dt的

97A / μs的，V

DD

V

（ BR ） DSS

,

SD

T

J

150°C

起始物为

J

= 25℃时，L = 0.49mH

R

G

= 25W ，我

AS

= 23A.

脉冲宽度

300μS ;占空比

2%.

使用IRL3302数据和测试条件

**当使用最小的占用空间，建议安装在FR- 4电路板。

对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994 。

IRL3302S

1000

VGS

15V

10V

12V

8.0V

10V

6.0V

8.0V

4.0V

6.0V

4.0V

3.0V

BOTTOM 2.5V

顶部

1000

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

100

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

VGS

15V

10V

12V

8.0V

10V

6.0V

8.0V

4.0V

6.0V

4.0V

3.0V

BOTTOM 2.5V

顶部

100

2.5V

10

0.1

2.5V

20μs的脉冲宽度

T

J

= 25

°

C

10

0.1

20μs的脉冲宽度

T

J

= 150

°

C

1

10

100

1

10

100

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

1000

2.0

T

J

= 25

°

C

T

J

= 150

°

C

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

I

D

= 39A

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

1.5

100

1.0

10

0.5

1

2

3

4

5

V DS = 15V

20μs的脉冲宽度

6

7

8

0.0

-60 -40 -20

V

GS

= 4.5V

0

20

40

60

80 100 120 140 160

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

T

J

，结温（

°

C)

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

IRL3302S

2400

2000

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

V

GS

=

C

国际空间站

=

C

RSS

=

C

OSS

=

0V,

F = 1MHz的

C

gs

+ C

GD ，

C

ds

短

C

gd

C

ds

+ C

gd

15

I

D

=

23A

V

DS

= 16V

12

C，电容（pF ）

1600

C

国际空间站

1200

9

6

800

C

OSS

400

3

C

RSS

0

1

10

100

0

10

20

30

40

50

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000

I

SD

，反向漏电流（ A）

在这一领域有限

由R

DS （ ON）

100

T

J

= 150

°

C

I

D

，漏电流（ A）

10us

100

100us

10

1ms

T

J

= 25

°

C

T

C

= 25 ° C

T

J

= 150 ° C

单脉冲

1

10

10ms

1

0.5

V

GS

= 0 V

1.0

1.5

2.0

1

100

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

IRL3302S

40

300

E

AS

，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）

顶部

250

I

D

，漏电流（ A）

30

底部

ID

10A

15A

23A

200

20

150

100

10

50

0

25

50

75

100

125

150

0

25

50

75

100

125

150

T

C

，外壳温度（ ° C）

起始物为

J

，结温（

°

C)

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

图10 。

最大雪崩能量

与漏电流

10

热响应（Z

thJC

)

1

D = 0.50

0.20

0.10

0.05

P

DM

单脉冲

（热反应）

t

1

t

2

注意事项：

1.负载因数D = T

1

/ t

2

2.峰值牛逼

J

= P

DM

X Z

thJC

+ T

C

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

0.1

0.02

0.01

0.00001

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳