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PD -95659

IRL3202PbF

先进的工艺技术

优化4.5V - 7.0V栅极驱动

理想的CPU内核的DC -DC转换器

快速开关

LEAD -FREE

HEXFET

功率MOSFET

DSS

= 20V

DS （ ON）

= 0.016

描述

这些HEXFET功率MOSFET设计

具体而言，以满足CPU内核的DC-DC的要求

转换器在PC环境。先进

处理技术结合经优化

栅极氧化物的设计结果中的模尺寸的专

提供以最低的成本获得最大的效率。

在TO- 220封装普遍首选的所有

商业工业应用的功率

耗散水平到约50瓦。低

热阻和TO-的低封装成本

在整个220向它的广泛接受

业。

= 48A

TO-220AB

绝对最大额定值

参数

@ T

= 25°C

@ T

= 100°C

= 25°C

GSM

dv / dt的

英镑

连续漏电流， V

@ 4.5V

连续漏电流， V

@ 4.5V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

（启动瞬间， TP = 100μs的）

单脉冲雪崩能量？

雪崩电流？

重复性雪崩能量？

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

安装扭矩， 6-32或M3 srew

马克斯。

190

0.56

± 10

270

6.9

5.0

-55到+ 150

300 （ 1.6毫米从案例）

10磅在（ 1.1N m）的

单位

W / ℃，

V / ns的

°C

热阻

参数

θJC

θCS

θJA

结到外壳

案件到水槽，平面，脂表面

结到环境

典型值。

0.50

马克斯。

1.8

单位

° C / W

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7/30/04

IRL3202PbF

电气特性@ T

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

（ BR ） DSS

漏极至源极击穿电压

（ BR ） DSS

击穿电压温度。系数

DS （ ON）

GS （ TH）

DSS

GSS

D（上）

D（关闭）

国际空间站

OSS

RSS

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

内部排水电感

内部源极电感

输入电容

输出电容

反向传输电容

分钟。

0.70

MAX 。单位

条件

= 0V时，我

= 250A

--- V / ° C参考到25° C，I

= 1毫安

0.019

= 4.5V ，我

= 29A

0.016

= 7.0V ，我

= 29A

= V

, I

= 250A

= 16V ，我

= 29A

= 20V, V

= 0V

250

= 10V, V

= 0V ，T

= 150°C

100

= 10V

-100

= -10V

= 29A

NC V

= 16V

= 4.5V ，参照图6

= 10V

= 29A

= 9.5, V

= 4.5V

= 0.3,

铅之间，

4.5

6毫米（0.25英寸）。

从包

7.5

而中心的模具接触

2000

= 0V

800

= 15V

290

= 1.0MHz的，见图。五

典型值。

0.029

9.8

100

源极 - 漏极额定值和特性

注意事项：

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

条件

MOSFET符号

展示

整体反转

190

p-n结二极管。

1.3

= 25 ° C，I

= 29A ，V

= 0V

68 100

= 25 ° C，I

= 29A

130 190

NC的di / dt = 100A / μs的

固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主

)

重复评价;脉冲宽度有限的

最大。结温。

≤

29A ， di / dt的

≤

63A / μs的，V

≤

（ BR ） DSS

≤

150°C

起始物为

= 25℃时，L = 0.64mH

= 25, I

= 29A.

脉冲宽度

≤

300μS ;占空比

≤

2%.

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IRL3202PbF

1000

VGS

7.50V

5.00V

4.00V

3.50V

3.00V

2.50V

底部

2.00V

BOTTOM 1.75V

顶部

1000

，漏极 - 源极电流（A ）

VGS

7.50V

5.00V

4.00V

3.50V

3.00V

2.50V

底部

2.00V

BOTTOM 1.75V

顶部

100

2.0V

20μs的脉冲宽度

= 25

100

0.1

20μs的脉冲宽度

= 150

100

，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

1000

2.0

= 25

100

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

= 48A

，漏极 - 源极电流（A ）

1.5

= 150

1.0

0.5

V DS = 15V

20μs的脉冲宽度

0.0

-60 -40 -20

= 4.5V

80 100 120 140 160

，栅 - 源极电压（ V）

，结温（

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

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3500

3000

，栅 - 源极电压（ V）

= 0V,

F = 1MHz的

国际空间站

= C

+ C

GD ，

短

RSS

= C

OSS

= C

+ C

29A

= 16V

C，电容（pF ）

2500

西塞

2000

1500

科斯

1000

500

CRSS

100

，漏极至源极电压（ V）

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000

，反向漏电流（ A）

在这一领域有限

由R

DS （ ON）

100

，漏电流（ A）

100

= 150

100us

1ms

= 25

10ms

0.2

= 0 V

0.8

1.4

2.0

2.6

= 25 ° C

= 150 ° C

单脉冲

100

，源极到漏极电压（V ）

，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

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600

，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）

顶部

500

底部

13A

18A

29A

，漏电流（ A）

400

300

200

100

125

150

100

125

150

，外壳温度（ ° C）

起始物为

，结温（

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

图10 。

最大雪崩能量

与漏电流

热响应（Z

thJC

)

1 D = 0.50

0.20

0.10

0.05

0.1

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

注意事项：

1.负载因数D = T

/ t

2.峰值牛逼

= P

X Z

thJC

+ T

0.0001

0.001

0.01

0.1

0.01

0.00001

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

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