PD - 95150
先进的工艺技术
l
表面贴装（ IRL3103S ）
l
通孔低调（ IRL3103L ）
l
175 ° C工作温度
l
快速开关
l
全额定雪崩
l
LEAD -FREE
描述
l
IRL3103SPbF
IRL3103LPbF
HEXFET
功率MOSFET
D
V
DSS
= 30V
R
DS （ ON）
= 12m
G
S
绝对最大额定值
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
对D
2
白是一种表面贴装功率封装能力
泱泱模具尺寸高达HEX - 4 。它提供了
最高功率能力和尽可能低的导通
在任何现有的表面电阻贴装封装。该
D
2
白是适合的，因为高电流应用其
较低的内部连接性和功耗最高
2.0W在一个典型的表面安装的应用程序。
通孔版（ IRL3103L ）可用于低
配置文件的应用程序。
先进的HEXFET
从国际的功率MOSFET
整流器采用先进的加工技术，
实现极低的导通电阻每硅片面积。
这样做的好处，结合快速开关速度和
坚固耐用的设备的设计， HEXFET功率MOSFET
是众所周知的，为设计者提供了一个
极其有效的和为在一个广泛使用的可靠装置
各种应用程序。
I
D
= 64A
D
2
PAK
IRL3103S
TO-262
IRL3103L
参数
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
安装扭矩， 6-32或M3 srew
马克斯。
64
45
220
94
0.63
± 16
34
22
5.0
-55 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
10磅在（ 1.1N m）的
单位
A
W
W / ℃，
V
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
结到外壳
结到环境（印刷电路板安装） **
典型值。
–––
–––
马克斯。
1.6
40
单位
° C / W
www.irf.com
1
04/19/04
IRL3103S/LPbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
单脉冲雪崩能量
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
E
AS
分钟。
30
–––
–––
–––
1.0
22
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安
12
V
GS
= 10V ，我
D
= 34A
m
16
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 28A
–––
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
–––
S
V
DS
= 25V ，我
D
= 34A
25
V
DS
= 30V, V
GS
= 0V
A
250
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
100
V
GS
= 16V
nA
-100
V
GS
= -16V
33
I
D
= 34A
5.9
nC
V
DS
= 24V
17
V
GS
= 4.5V ，参照图6和13
–––
V
DD
= 15V
–––
I
D
= 34A
–––
R
G
= 1.8
–––
V
GS
= 4.5V ，参照图10
铅之间，
4.5 –––
6毫米（0.25英寸）。
nH
G
从包
7.5 –––
而中心的模具接触
1650 –––
V
GS
= 0V
650 –––
V
DS
= 25V
110 –––
pF
= 1.0MHz的，见图。五
1320 ?? 130 ??兆焦耳我
AS
= 34A， L = 0.22mH
典型值。
–––
0.028
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
8.9
120
14
9.1
D
S
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
注意事项：
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
64
––– –––
展示
A
G
整体反转
––– ––– 220
S
p-n结二极管。
––– ––– 1.2
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 34A ，V
GS
= 0V
––– 57
86
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= 34A
––– 110 170
NC的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
重复评价;脉冲宽度有限的
起始物为
J
= 25℃时，L = 220μH
T
J
≤
175°C
最大。结温。 （参见图11）
R
G
= 25, I
AS
= 34A ，V
GS
= 10V （见图12）
脉冲宽度
≤
400μS ;占空比
≤
2%.
这是在破坏设备的典型值，代表
I
SD
≤
34A ， di / dt的
≤
120A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
操作之外的额定范围。
这是限定至T的计算值
J
= 175°C .
**当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。为
推荐的足迹和焊接技术参考
应用笔记＃ AN- 994
2
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IRL3103S/LPbF
1000
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
100
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
VGS
顶部
15V
10V
4.5V
3.7V
3.5V
3.3V
3.0V
BOTTOM 2.7V
1000
100
VGS
15V
10V
4.5V
3.7V
3.5V
3.3V
3.0V
BOTTOM 2.7V
顶部
10
10
2.7V
2.7V
20μs的脉冲宽度
T = 25℃
J
°
1
10
100
1
0.1
1
0.1
20μs的脉冲宽度
T = 175℃
J
°
1
10
100
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
1000
2.5
I
D
= 56A
T
J
= 25
°
C
T
J
= 175
°
C
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
2.0
100
1.5
1.0
10
0.5
1
2.0
V DS = 15V
20μs的脉冲宽度
6.0
7.0
3.0
4.0
5.0
8.0
0.0
-60 -40 -20
V
GS
= 10V
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
J
，结温（
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
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3
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