【PD 9.1691A初步lllllIRL3102SHEXFET功率MOSFETD先进的工艺技术表面贴】,IC型号IRL3102S,IRL3102S PDF资料,IRL3102S经销商,ic,电子元器件-51电子网

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PD 9.1691A

初步

l

l

l

l

l

IRL3102S

HEXFET

功率MOSFET

D

先进的工艺技术

表面贴装

优化4.5V - 7.0V栅极驱动

理想的CPU内核的DC -DC转换器

快速开关

V

DSS

= 20V

G

S

R

DS （ ON）

= 0.013W

I

D

= 61A

描述

这些HEXFET功率MOSFET设计

具体而言，以满足CPU内核的DC-DC的要求

转换器。先进的加工技术

结合经优化的栅极氧化物的设计结果

在模具尺寸的专门提供最大效率

以最低的成本。

对D

2

白是一种表面贴装功率封装能力

中容纳的芯片尺寸最多HEX - 4 。它提供了

最高功率能力和尽可能低的导通

在任何现有的表面电阻贴装封装。该

D

2

白是适合于高电流的应用，因为

其较低的内部连接性可与

耗散高达2.0W在一个典型的表面安装

应用程序。

D

2

P AK

绝对最大额定值

参数

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

DM

P

D

@T

C

= 25°C

V

GS

E

AS

I

AR

E

AR

dv / dt的

T

J

T

英镑

连续漏电流， V

GS

@ 4.5V

连续漏电流， V

GS

@ 4.5V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量????

雪崩电流？

重复性雪崩能量？

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

马克斯。

61

39

240

89

0.71

± 10

220

35

8.9

5.0

-55到+ 150

300 （ 1.6毫米从案例）

单位

A

W

W / ℃，

V

mJ

A

mJ

V / ns的

°C

热阻

参数

R

QJC

R

qJA

结到外壳

结到环境（ PCB安装，稳态） **

典型值。

–––

–––

马克斯。

1.4

40

单位

° C / W

9/16/97

IRL3102S

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

V

（ BR ） DSS

漏极至源极击穿电压

DV

（ BR ） DSS

/ DT

J

击穿电压温度。系数

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

L

S

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

内部源极电感

输入电容

输出电容

反向传输电容

分钟。

20

–––

–––

–––

0.70

36

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

典型值。

–––

0.016

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

10

130

80

110

MAX 。单位

条件

–––

V

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

--- V / ° C参考到25° C，I

D

= 1毫安？

0.015

V

GS

= 4.5V ，我

D

= 37A

W

0.013

V

GS

= 7.0V ，我

D

= 37A

–––

V

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

–––

S

V

DS

= 16V ，我

D

= 35A

25

V

DS

= 20V, V

GS

= 0V

A

250

V

DS

= 10V, V

GS

= 0V ，T

J

= 150°C

100

V

GS

= 10V

nA

-100

V

GS

= -10V

58

I

D

= 35A

14

nC

V

DS

= 16V

21

V

GS

= 4.5V ，参照图6

–––

V

DD

= 10V

–––

I

D

= 35A

ns

–––

R

G

= 9.0W V

GS

= 4.5V

,

–––

R

D

= 0.28W

,

铅之间，

nH

7.5 –––

而中心的模具接触

2500 –––

V

GS

= 0V

1000 –––

pF

V

DS

= 15V

360 –––

= 1.0MHz的，见图。五

源极 - 漏极额定值和特性

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

条件

D

MOSFET符号

61

––– –––

展示

A

G

整体反转

––– ––– 240

S

p-n结二极管。

––– ––– 1.3

V

T

J

= 25 ° C，I

S

= 37A ，V

GS

= 0V

––– 59

88

ns

T

J

= 25 ° C，I

F

= 35A

––– 110 160

nC

的di / dt = 100A / μs的

固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主

S

+L

D

)

注意事项：

重复评价;脉冲宽度有限的

最大。结温。

I

35A ， di / dt的

100A / μs的，V

DD

V

（ BR ） DSS

,

SD

T

J

150°C

起始物为

J

= 25℃时，L = 0.36mH

R

G

= 25W ，我

AS

= 35A.

脉冲宽度

300μS ;占空比

2%.

使用IRL3102数据和测试条件

**当使用最小的占用空间，建议安装在FR- 4电路板。

对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994 。

`

IRL3102S

1000

VGS

VGS

15V

10V

12V

8.0V

10V

6.0V

8.0V

4.0V

6.0V

4.0V

3.0V

3.0V

BOTTOM 2.5V

BOTTOM 2.5V

顶部

顶部

1000

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

100

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

VGS

VGS

15V

10V

12V

8.0V

10V

6.0V

8.0V

4.0V

6.0V

3.0V

4.0V

3.0V

BOTTOM 2.5V

BOTTOM 2.5V

顶部

顶部

100

2.5V

20μs的脉冲宽度

T

J

= 25

°

C

1

10

100

2.5V

20μs的脉冲宽度

T

J

= 150

°

C

1

10

100

10

0.1

10

0.1

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

1000

2.0

T

J

= 25

°

C

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

I

D

= 61A

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

1.5

100

T

J

= 150

°

C

1.0

10

0.5

1

2

3

4

V DS = 15V

20μs的脉冲宽度

5

6

7

0.0

-60 -40 -20

V

GS

= 4.5V

0

20

40

60

80 100 120 140 160

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

T

J

，结温（

°

C)

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

IRL3102S

4200

3600

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

V

GS

=

C

国际空间站

=

C

RSS

=

C

OSS

=

0V,

F = 1MHz的

C

gs

+ C

GD ，

C

ds

短

C

gd

C

ds

+ C

gd

15

I

D

=

35A

V

DS

= 16V

12

C，电容（pF ）

3000

C

国际空间站

2400

9

1800

C

OSS

1200

6

600

C

RSS

3

0

1

10

100

0

0

20

40

60

80

100

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000

1000

I

SD

，反向漏电流（ A）

在这一领域有限

由R

DS （ ON）

100

I

D

，漏电流（ A）

100

T

J

= 150

°

C

100us

1ms

10

T

J

= 25

°

C

10

10ms

1

0.2

V

GS

= 0 V

0.8

1.4

2.0

2.6

1

1

T

C

= 25 ° C

T

J

= 150 ° C

单脉冲

10

100

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

IRL3102S

70

500

E

AS

，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）

顶部

400

60

底部

ID

16A

22A

35A

I

D

，漏电流（ A）

50

40

300

30

200

20

100

10

0

25

50

75

100

125

150

0

25

50

75

100

125

150

T

C

，外壳温度（ ° C）

开始T，结温（

°

C)

J

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

图10 。

最大雪崩能量

与漏电流

10

热响应（Z

thJC

)

1

D = 0.50

0.20

0.10

P

DM

t

1

单脉冲

（热反应）

注意事项：

1.负载因数D = T

1

/ t

2

2.峰值牛逼

J

= P

DM

X Z

thJC

+ T

C

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

t

2

0.1

0.05

0.02

0.01

0.01

0.00001

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

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