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PD- 95658
IRL3102PbF
HEXFET
功率MOSFET
先进的工艺技术
l
优化4.5V - 7.0V栅极驱动
l
理想的CPU内核的DC -DC转换器
l
快速开关
l
LEAD -FREE
描述
l
D
V
DSS
= 20V
R
DS ( ON)
= 0.013
G
S
这些HEXFET功率MOSFET设计
具体而言,以满足CPU内核的DC-DC的要求
转换器在PC环境。先进
处理技术结合经优化
栅极氧化物的设计结果中的模尺寸的专
提供以最低的成本获得最大的效率。
在TO- 220封装普遍首选的所有
商业工业应用的功率
耗散水平到约50瓦。低
热阻和TO-的低封装成本
在整个220向它的广泛接受
业。
I
D
= 61A
TO-220AB
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
V
GSM
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流, V
GS
@ 4.5V
连续漏电流, V
GS
@ 4.5V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
栅极 - 源极电压
(启动瞬间, TP = 100μs的)
单脉冲雪崩能量?
雪崩电流?
重复性雪崩能量?
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度,持续10秒
安装扭矩, 6-32或M3 srew
马克斯。
61
39
240
89
0.71
± 10
14
220
35
8.9
5.0
-55到+ 150
300 ( 1.6毫米从案例)
10磅在( 1.1N m)的
单位
A
W
W / ℃,
V
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θCS
R
θJA
结到外壳
案件到水槽,平面,脂表面
结到环境
典型值。
0.50
马克斯。
1.4
62
单位
° C / W
07/30/04
IRL3102PbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
参数
V
( BR ) DSS
漏极至源极击穿电压
V
( BR ) DSS
/T
J
击穿电压温度。系数
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。
20
0.70
36
MAX 。单位
条件
V
V
GS
= 0V时,我
D
= 250A
--- V / ° C参考到25° C,I
D
= 1毫安
0.015
V
GS
= 4.5V ,我
D
= 37A
0.013
V
GS
= 7.0V ,我
D
= 37A
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
S
V
DS
= 16V ,我
D
= 35A
25
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V
A
250
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V ,T
J
= 150°C
100
V
GS
= 10V
nA
-100
V
GS
= -10V
58
I
D
= 35A
14
NC V
DS
= 16V
21
V
GS
= 4.5V ,参照图6
V
DD
= 10V
I
D
= 35A
ns
R
G
= 9.0, V
GS
= 4.5V
R
D
= 0.28,
铅之间,
4.5
6毫米(0.25英寸)。
nH
G
从包
7.5
而中心的模具接触
2500
V
GS
= 0V
1000
pF
V
DS
= 15V
360
= 1.0MHz的,见图。五
典型值。
0.016
10
130
80
110
D
S
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
注意事项:
参数
连续源电流
(体二极管)
脉冲源电流
(体二极管)
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
61
展示
A
G
整体反转
240
S
p-n结二极管。
1.3
V
T
J
= 25 ° C,I
S
= 37A ,V
GS
= 0V
59
88
ns
T
J
= 25 ° C,I
F
= 35A
110 160
NC的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的(导通用L为主
S
+L
D
)
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。
I
SD
35A , di / dt的
100A / μs的,V
DD
V
( BR ) DSS
,
T
J
150°C
起始物为
J
= 25℃时,L = 0.36mH
R
G
= 25, I
AS
= 35A.
脉冲宽度
300μS ;占空比
2%.
IRL3102PbF
1000
VGS
VGS
15V
10V
12V
8.0V
10V
6.0V
8.0V
4.0V
6.0V
3.0V
4.0V
3.0V
BOTTOM 2.5V
BOTTOM 2.5V
顶部
顶部
1000
I
D
,漏极 - 源极电流(A )
I
D
,漏极 - 源极电流(A )
VGS
VGS
15V
10V
12V
8.0V
10V
6.0V
8.0V
4.0V
6.0V
4.0V
3.0V
3.0V
BOTTOM 2.5V
BOTTOM 2.5V
顶部
顶部
100
100
2.5V
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25
°
C
1
10
100
2.5V
20μs的脉冲宽度
T
J
= 150
°
C
1
10
100
10
0.1
10
0.1
V
DS
,漏极至源极电压( V)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
1000
2.0
T
J
= 25
°
C
T
J
= 150
°
C
R
DS ( ON)
,漏极 - 源极导通电阻
(归一化)
I
D
= 61A
I
D
,漏极 - 源极电流(A )
1.5
100
1.0
10
0.5
1
2
3
4
V DS = 15V
20μs的脉冲宽度
5
6
7
0.0
-60 -40 -20
V
GS
= 4.5V
0
20
40
60
80 100 120 140 160
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
T
J
,结温(
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
IRL3102PbF
4200
3600
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
gs
+ C
GD ,
C
ds
C
RSS
= C
gd
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
15
I
D
=
35A
V
DS
= 16V
12
C,电容(pF )
3000
2400
1800
西塞
9
科斯
1200
600
0
1
10
100
6
CRSS
3
0
0
20
40
60
80
100
V
DS
,漏极至源极电压( V)
Q
G
,总栅极电荷( NC)
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000
1000
I
SD
,反向漏电流( A)
在这一领域有限
由R
DS ( ON)
100
I
D
,漏电流( A)
100
T
J
= 150
°
C
100us
T
J
= 25
°
C
10
1ms
10
10ms
1
0.2
V
GS
= 0 V
0.8
1.4
2.0
2.6
1
1
T
C
= 25 ° C
T
J
= 150 ° C
单脉冲
10
100
V
SD
,源极到漏极电压(V )
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
IRL3102PbF
70
500
E
AS
,单脉冲雪崩能量(兆焦耳)
顶部
400
60
底部
ID
16A
22A
35A
I
D
,漏电流( A)
50
40
30
20
10
0
25
50
75
100
125
150
300
200
100
0
25
50
75
100
125
150
T
C
,外壳温度( ° C)
起始物为
J
,结温(
°
C)
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
图10 。
最大雪崩能量
与漏电流
10
热响应(Z
thJC
)
1
D = 0.50
0.20
0.10
P
DM
t
1
单脉冲
(热反应)
注意事项:
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t
2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
0.00001
t
1
,矩形脉冲持续时间(秒)
图11 。
最大有效瞬态热阻抗,结至外壳
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    IRL3102PBF
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
IRL3102PBF
Infineon Technologies
2418+
2000
TO-220-3
代理Infineon Technologies专营,原装现货优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2236823936 复制

电话:0755-82569753-32922817-36561078-801
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼508-510室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票!!
IRL3102PBF
IR
2016+
6523
TO220
只做进口原装现货!或订货假一赔十!
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电话:0755-83202997/83785732/83785736
联系人:王先生 陈小姐
地址:深圳市罗湖区爱国路1022号建国大厦602/深圳市福田区华强北新华强电子市场3楼Q3B005
IRL3102PBF
IR英飞凌
2010
30
TO-220
全新原装正品现货
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
IRL3102PBF
IR
21+
18600
TO220
全新原装正品/质量有保证
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电话:18913062888
联系人:陈先生
地址:江苏省苏州市昆山市昆山开发区朝阳东路109号
IRL3102PBF
Infineon Technologies
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TO-220-3
原装正品现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2581021098 复制

电话:0755-22929859
联系人:朱先生
地址:深圳福田区振兴路华康大厦211
IRL3102PBF
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2025+
26820
TO-220-3
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IR
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联系人:谌小姐
地址:深圳市龙岗区横岗街道六约社区深峰路3号4E
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IR
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16000
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QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
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