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初步
PD 9.1091A
IRL2203S
HEXFET
功率MOSFET
l
逻辑电平栅极驱动
l
表面贴装
l
先进的工艺技术
l
动态的dv / dt额定值
l
175 ° C工作温度
l
快速开关
l
全额定雪崩
描述
D
V
DSS
= 30V
R
DS ( ON)
= 0.007
G
I
D
= 100A
S
国际整流器第五代HEXFETs
利用先进的加工技术,以实现
极低的导通电阻每硅片面积。这样做的好处,
结合快速开关速度和加固
设备的设计,HEXFET功率MOSFET是很好
众所周知,为设计者提供了一个非常有效的
和可靠的装置,用于在各种各样的应用中使用。
对D
2
白是一种表面贴装功率封装能力
泱泱模具尺寸高达HEX - 4 。它提供了
最高功率能力和尽可能低的导通
在任何现有的表面电阻贴装封装。该
D
2
白是适合的,因为高电流应用
其较低的内部连接性,可以消散
高达2.0W在一个典型的表面安装的应用程序。
D
2
PAK
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量????
雪崩电流?
重复性雪崩能量?
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度,持续10秒
马克斯。
100
71
400
3.8
130
0.83
± 20
390
60
13
1.2
-55 + 175
300 ( 1.6毫米从案例)
单位
A
W
W
W / ℃,
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
结到外壳
结到环境( PCB安装,稳态) **
典型值。
–––
–––
马克斯。
1.2
40
单位
° C / W
IRL2203S
电气特性@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
V
( BR ) DSS
V
( BR ) DSS
/T
J
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
分钟。
30
–––
–––
–––
1.0
47
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
0.035
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
15
210
29
54
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时,我
D
= 250A
--- V / ° C参考到25° C,I
D
= 1毫安?
0.007
V
GS
= 10V ,我
D
= 60A
0.01
V
GS
= 4.5V ,我
D
= 50A
2.5
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
–––
S
V
DS
= 25V ,我
D
= 60A
25
V
DS
= 30V, V
GS
= 0V
A
250
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V ,T
J
= 150°C
100
V
GS
= 20V
nA
-100
V
GS
= -20V
110
I
D
= 60A
31
NC V
DS
= 24V
57
V
GS
= 4.5V ,参照图6和13
–––
V
DD
= 15V
–––
I
D
= 60A
ns
–––
R
G
= 1.8, V
GS
= 4.5V
–––
R
D
= 0.25Ω ,见图。 10
铅之间,
7.5
nH
–––
而中心的模具接触
3500 –––
V
GS
= 0V
1400 –––
pF
V
DS
= 25V
690 –––
= 1.0MHz的,见图。 5 ?
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
注意事项:
参数
连续源电流
(体二极管)
脉冲源电流
(体二极管)
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
––– 100
A
–––
–––
94
280
400
1.3
140
410
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
G
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C,I
S
= 60A ,V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C,I
F
= 60A
的di / dt = 100A / μs的
D
S
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 (参见图11)
脉冲宽度
300μS ;占空比
2%.
基于最大允许计算出的连续电流
结温;推荐电流处理的
包参考设计提示# 93-4
V
DD
= 15V ,起始物为
J
= 25℃时,L = 220μH
R
G
= 25, I
AS
= 60A 。 (参见图12)
I
SD
60A , di / dt的
140A / μs的,V
DD
V
( BR ) DSS
,
T
J
175°C
使用IRL2203N数据和试验条件。
**当使用最小的占用空间,建议安装在FR- 4电路板。
对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记# AN- 994 。
IRL2203S
1000
VGS
15V
12V
10V
8.0V
6.0V
4.0V
3.0V
BOTTOM 2.5V
顶部
1000
I
D
,D RA在-to -S ü RCE ④此T(A )
I
D
,D RA在-to -S ü RCE ④此T(A )
VGS
15V
12V
10V
8.0V
6.0V
4.0V
3.0V
BOTTOM 2.5V
顶部
100
100
10
10
2 .5V
2.5 V
2 0μ s PU L SE W ID TH
T
J
= 2 5°C
0.1
1
10
1
A
1
0.1
1
2 0μ s PU L SE W ID TH
T
J
= 1 75 °C
10
A
100
100
V
S
,漏到-S环境允许的电压(V )
V
S
,漏到-S环境允许的电压(V )
图1 。
典型的输出特性,
T
J
= 25
o
C
图2 。
典型的输出特性,
T
J
= 175
o
C
1000
2.0
T
J
= 2 5 °C
100
R
DS ( ON)
,漏到-S环境允许 n个电阻
(规范alized )
I
D
= 100 A
I
D
, ,D R AIN-到-S ourc式C urre NT (A )
1.5
T
J
= 1 75 °C
1.0
10
0.5
1
2.0
3.0
4.0
5.0
V
DS
= 1 5 V
2 0 μ S·P ü L SE W ID TH
6.0
7.0
8.0
9.0
A
0.0
-60 -40 -20
0
20
40
60
80
V
的s
= 10V
A
100 120 140 160 180
V
的s
,尕德对S 0 urce V oltage ( V)
T
J
,结tem温度( ° C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
IRL2203S
8000
C,C的P是C ITA N c个E( P F)
6000
C
为s
C
OS s
V
的s
,栅 - 源极电压( V)
V
GS
C
为s
C
RS s
C
SS
= 0 V,
F = 1M ^ h
= C
gs
+ C
gd
, C
ds
SH RTE
= C
gd
= C
ds
+ C
15
I
D
= 60A
V
S
= 24 V
V
S
= 15 V
12
9
4000
6
C
RS s
2000
3
0
1
10
100
A
0
0
30
60
FOR TE ST CIR UIT
SEE FIGU RE 1 3
A
90
120
150
V
S
,漏 - 源V oltage ( V)
Q
G
,T otal摹吃费( NC)
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000
1000
I
S.D。
在C R é é V RSE RA ④此T(A )
PER ATIO N的TH为AR EA L IM资讯科技教育
由R
DS (O N)
10 s
T
J
= 25 °C
T
J
= 17 5°C
100
I
D
,D RA C语言④此T(A )
100
10 0s
1米s
10
10米s
10
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
的s
= 0 V
3.0
A
1
1
T
C
= 25 °C
T
J
= 17 5°C
S荷兰国际集团乐脉
10
100
A
3.5
V
S.D。
,S环境允许到漏极电压( V)
V
S
,漏极至源极电压( V)
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
IRL2203S
V
DS
100
R
D
L IM资讯科技教育BY PAC KA GE
V
GS
R
G
D.U.T.
+
80
I
D
,D RA C语言④此T( A M P S)
-
V
DD
5.0V
60
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
40
图10A 。
开关时间测试电路
V
DS
20
90%
0
25
50
75
100
125
150
A
175
T
C
,C ASE牛逼EM perature ( ° C)
10%
V
GS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
10
图10B 。
开关时间波形
牛逼她的米人 SPON SE (Z
日J·C
)
1
D = 0.50
0.20
0.10
0.1
0.05
0.02
0.01
s英格尔PULS ê
( THER MAL ESP ONS E)
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
P
DM
t
1
t
2
注意事项:
1. UTY FAC器D =吨
1
/ t
2
2. P EA TJ = P D M X Z THJ C + T C
A
10
0.1
1
t
1
,R ectan gular P ulse ü比(秒)
图11 。
最大有效瞬态热阻抗,结至外壳
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