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PD -95576

逻辑电平栅极驱动

l

先进的工艺技术

l

表面贴装（ IRL1104S ）

l

通孔低调（ IRL1104L ）

l

175 ° C工作温度

l

快速开关

l

全额定雪崩

l

LEAD -FREE

描述

l

IRL1104SPbF

IRL1104LPbF

HEXFET

功率MOSFET

D

V

DSS

= 40V

R

DS （ ON）

= 0.008

G

I

D

= 104A

S

国际整流器第五代HEXFETs利用

先进的加工技术，以实现极低

导通电阻每硅片面积。这样做的好处，并结合

开关速度快和坚固耐用的设备的设计，

HEXFET功率MOSFET是众所周知的，提供了

设计师有一个非常有效和可靠的装置，用于

在各种各样的应用中使用。

对D

2

白是一种表面贴装功率封装能力

泱泱模具尺寸高达HEX - 4 。它提供了

最高功率能力和尽可能低的导通电阻

在任何现有的表面贴装封装。对D

2

Pak是

适合的，因为其低的高电流的应用

内部连接性和功耗最高2.0W

在一个典型的表面安装的应用程序。

通孔版（ IRL1104L ）可用于低

配置文件的应用程序。

D 2白

TO-262

绝对最大额定值

参数

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

DM

P

D

@T

A

= 25°C

P

D

@T

C

= 25°C

V

GS

E

AS

I

AR

E

AR

dv / dt的

T

J

T

英镑

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量????

雪崩电流？

重复性雪崩能量？

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

马克斯。

104

74

416

2.4

167

1.1

±16

340

62

17

5.0

-55 + 175

300 （ 1.6毫米从案例）

单位

A

W

W / ℃，

V

mJ

A

mJ

V / ns的

°C

热阻

参数

R

θJC

R

θJA

结到外壳

结到环境（ PCB安装，稳态） **

典型值。

–––

马克斯。

0.9

40

单位

° C / W

www.irf.com

1

07/19/04

IRL1104S/LPbF

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

V

（ BR ） DSS

漏极至源极击穿电压

V

（ BR ） DSS

/T

J

击穿电压温度。系数

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

L

S

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

内部源极电感

输入电容

输出电容

反向传输电容

分钟。

40

–––

1.0

53

–––

MAX 。单位

条件

–––

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

--- V / ° C参考到25° C，I

D

=1mA

0.008

V

GS

= 10V ，我

D

= 62A

W

0.012

V

GS

= 4.5V ，我

D

= 52A

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

–––

S

V

DS

= 25V ，我

D

= 62A

25

V

DS

=40V, V

GS

= 0V

A

250

V

DS

= 32V, V

GS

= 0V ，T

J

= 150°C

100

V

GS

= 16V

nA

-100

V

GS

= -16V

68

I

D

=62A

24

NC V

DS

= 32V

34

V

GS

= 4.5V ，参照图6和13

–––

V

DD

= 20V

–––

I

D

=54A

–––

R

G

= 3.6 , V

GS

= 4.5V

–––

R

D

= 0.4Ω ，见图。 10

铅之间，

7.5

nH

–––

而中心的模具接触

3445 –––

V

GS

= 0V

1065 –––

pF的V

DS

= 25V

270 –––

= 1.0MHz的，见图。 5 ？

典型值。

–––

0.04

–––

18

257

32

64

源极 - 漏极额定值和特性

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

条件

D

MOSFET符号

––– ––– 104

展示

A

G

整体反转

––– ––– 416

p-n结二极管。

S

––– ––– 1.3

V

T

J

= 25 ° C，I

S

= 62A ，V

GS

= 0V

––– 84 126

ns

T

J

= 25 ° C，I

F

=62A

––– 223 335

NC的di / dt = 100A / μs的

固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主

S

+L

D

)

注意事项：

重复评价;脉冲宽度有限的

最大。结温。（参见图11）

V

DD

= 15V ，起始物为

J

= 25℃时，L = 0.18mH

R

G

= 25, I

AS

= 62A 。（参见图12）

脉冲宽度

≤

300μS ;占空比

≤

2%.

使用IRL1104数据和试验条件。

基于最大允许计算出的连续电流

结温;对于推荐的电流处理的

包参考设计提示＃ 93-4

I

SD

≤

62A ， di / dt的

≤

217A / μs的，V

DD

≤

V

（ BR ） DSS

,

T

J

≤

175°C

**当安装在1 ＆ QUOT ;方形板（FR-4或G- 10材料）。

对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994 。

2

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IRL1104S/LPbF

1000

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

VGS

15V

10V

7.0V

5.5V

4.5V

4.0V

3.5V

BOTTOM 2.7V

顶部

1000

VGS

15V

10V

7.0V

5.5V

4.5V

4.0V

3.5V

BOTTOM 2.7V

顶部

100

10

2.7V

20μs的脉冲宽度

T

J

= 25

°

C

1

10

100

1

0.1

1

0.1

20μs的脉冲宽度

T

J

= 175

°

C

1

10

100

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

1000

2.5

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

T

J

= 25

°

C

T

J

= 175

°

C

100

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

I

D

= 104A

2.0

1.5

1.0

10

0.5

1

2.0

V DS =

25

50V

20μs的脉冲宽度

4.0

6.0

8.0

10.0

0.0

-60 -40 -20 0

V

GS

= 10V

20 40 60 80 100 120 140 160 180

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

T

J

，结温（

°

C)

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

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3

IRL1104S/LPbF

6000

5000

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

V

GS

= 0V,

F = 1MHz的

C

国际空间站

= C

gs

+ C

GD ，

C

ds

短

C

RSS

= C

gd

C

OSS

= C

ds

+ C

gd

10

I

D

= 62 A

V

DS

= 32V

V

DS

= 20V

8

C，电容（pF ）

4000

西塞

6

3000

4

2000

科斯

1000

2

CRSS

0

1

10

100

0

测试电路

见图13

0

20

40

60

80

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000

10000

I

SD

，反向漏电流（ A）

在这一领域有限

由R

DS （ ON）

I

D

，漏电流（ A）

100

T

J

= 175

°

C

1000

10us

100

10

100us

1ms

T

J

= 25

°

C

1

10

10ms

0.1

0.2

V

GS

= 0 V

0.8

1.4

2.0

2.6

1

T

C

= 25 °C

T

J

= 175 °C

单脉冲

10

100

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4

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IRL1104S/LPbF

120

不限按包

100

V

DS

V

GS

R

G

R

D

D.U.T.

+

I

D

，漏电流（ A）

80

V

DD

-

60

4.5V

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

40

图10A 。

开关时间测试电路

20

V

DS

90%

0

25

50

75

100

125

150

175

T

C

，外壳温度（ ° C）

10%

V

GS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

图10B 。

开关时间波形

1

热响应（Z

thJC

)

D = 0.50

0.20

0.10

0.05

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

P

DM

t

1

t

2

注意事项：

1.负载因数D = T

1

/ t

2

2.峰值牛逼

J

= P

DM

X Z

thJC

+ T

C

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

0.1

0.01

0.00001

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

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5