【数据表号PD60183 -CIRIS4007(K)集成开关调节器特点初级电流模式控制，以及辅助电压模】,IC型号IRIS4007K,IRIS4007K PDF资料,IRIS4007K经销商,ic,电子元器件-51电子网

数据表号PD60183 -C

IRIS4007

(

)

集成开关调节器

特点

初级电流模式控制，以及辅助

电压模式控制

VCC过压保护（锁定）

过电流和过温保护

准谐振，变频运行

5引脚TO- 220和TO- 262封装

0.4Ω RDS（ON）最大值/ 200V MOSFET

充分界定雪崩能量

套餐

IRIS4007

5引脚TO -220

IRIS4007K

5引脚TO -262

说明

的IRIS4007 （K）是一个双模式电压和电流控制器结合在一个单一的封装的MOSFET。

的IRIS4007 （K）被设计为在AC / DC和DC / DC使用开关电源高达100VDC标称

输入，并且能够为30W的额定48V的输入。该装置可以在任何一个准谐振或脉冲操作

率控制（ PRC）模式，并由此可变频率操作。

典型连接图

VIN

（交流/

DC）

VOUT

（DC）的

漏

VCC

IRIS4007(K)

来源

GND

（请参阅铅作业的正确的PIN

配置）。这个/这些图（ s）显示电

连接而已。请参考我们的DesignTips

和应用笔记（ AN1018a ， AN1024a ，

AN1025 ）进行适当的电路板布局。

www.irf.com

IRIS4007

(

)

绝对最大额定值

绝对最大额定值表明持续的界限，可能会损坏设备。所有电压参数

参考说明终端的绝对电压，电流都被定义成阳性的任何领先。的耐热性和耐

功率耗散额定值下板安装和静止空气条件下测得的。

符号

PEAK

最大

RTH

德网络nition

峰值漏极电流

最大开关电流

单脉冲雪崩能量

电源电压

OCP / FB端电压

功耗MOSFET

功耗控制部（ MIC ）

热阻，结到外壳

结温

储存温度

在操作内部框架温度

工作环境温度

铅温度。（焊接， 10秒）

码头

3-1

4-3

5-2

3-1

4-2

—

马克斯。评级

4.0

350

1.27

0.8

1.7

-40-125

-20-125

300

单位

记

单脉冲

V2-3 = 0.78V

Tc=25

Vdd=50V,L=10mH,

Tc=25

具有无穷散热器

无需散热器

用V指定

X我

° C / W

°C

参照推荐

工作温度

推荐工作条件

时间准谐振信号的输入。

对于输入到V中的准谐振信号

DCP / FB

在准谐振操作时终端的

信号应当更宽吴丹Tth时（2）

OCP / FB

Tth(2)

≥1.0

Vth(2)

www.irf.com

IRIS4007

(

)

电气特性（用于控制IC）

= 18V ，（T

= 25℃），除非另有说明。

符号

CCUV +

CCUV-

QCCUV

QCC

关/ （MAX）

TH(2)

OFF / （ MIN ）

TH(1)

TH(2)

OCP / FB

CC （ OVP ）

CC （ LA ）

CC （ LaOFF ）

J（下TSD ）

德网络nition

电源欠压积极门槛

电源欠压负门槛

UVLO模式下的静态电流

静态工作VCC电源电流

最大断时间

最小输入脉冲宽度准谐振信号

最小关断时间

OCP / FB端的阈值电压1

OCP / FB端的阈值电压2

OCP / FB端吸收电流

过压保护限制

锁存电路保持电流

锁存电路复位电压

热关断活化温度

分钟。典型值。马克斯。单位测试条件

14.4

—

0.68

1.3

1.1

20.5

—

6.6

140

—

0.73

1.45

1.35

22.5

—

17.6

100

1.0

1.5

0.78

1.6

1.7

24.5

400

8.4

—

微秒

CC <

CCUV +

电气特性（ MOSFET ）

= 25℃），除非另有说明。

符号

DSS

DS （ ON）

THJ -C

德网络nition

漏极至源极击穿电压

漏极漏电流

导通电阻

上升时间（ 10％ 90％）

热阻

分钟。典型值。马克斯。单位测试条件

200

—

250

0.4

200

1.7

C / W

VDS = 160V ，V

=0V

TJ = 125

3-1

= 10V ，我

=4A

结间

与案例

www.irf.com

IRIS4007

(

)

框图

VCC

开始

O.V.P

LATCH

DRIVE

T.S.D

振荡器

Vth(1)

OCP /

Comp.1

Comp.2

Vth(2)

地

铅作业

针＃ S y时M B 0 1

描述

MOSFET的源端

地

接地端子

MOSFET漏极端子

VCC

控制电路的电源电压

OCP / FB

过电流检测和电压模式控制

反馈信号

其他功能

O.V.P. - 过电压保护电路

T.S.D. - 热关断电路

www.irf.com

IRIS4007

(

)

案例外形

5引脚TO- 220

01-6020 00

01-3042 01

(TS-001)

www.irf.com

数据表号PD60183 -C

IRIS4007

(

)

集成开关调节器

特点

初级电流模式控制，以及辅助

电压模式控制

VCC过压保护（锁定）

过电流和过温保护

准谐振，变频运行

5引脚TO- 220和TO- 262封装

0.4Ω RDS（ON）最大值/ 200V MOSFET

充分界定雪崩能量

套餐

IRIS4007

5引脚TO -220

IRIS4007K

5引脚TO -262

说明

的IRIS4007 （K）是一个双模式电压和电流控制器结合在一个单一的封装的MOSFET。

的IRIS4007 （K）被设计为在AC / DC和DC / DC使用开关电源高达100VDC标称

输入，并且能够为30W的额定48V的输入。该装置可以在任何一个准谐振或脉冲操作

率控制（ PRC）模式，并由此可变频率操作。

典型连接图

VIN

（交流/

DC）

VOUT

（DC）的

漏

VCC

IRIS4007(K)

来源

GND

（请参阅铅作业的正确的PIN

配置）。这个/这些图（ s）显示电

连接而已。请参考我们的DesignTips

和应用笔记（ AN1018a ， AN1024a ，

AN1025 ）进行适当的电路板布局。

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IRIS4007

(

)

绝对最大额定值

绝对最大额定值表明持续的界限，可能会损坏设备。所有电压参数

参考说明终端的绝对电压，电流都被定义成阳性的任何领先。的耐热性和耐

功率耗散额定值下板安装和静止空气条件下测得的。

符号

PEAK

最大

RTH

德网络nition

峰值漏极电流

最大开关电流

单脉冲雪崩能量

电源电压

OCP / FB端电压

功耗MOSFET

功耗控制部（ MIC ）

热阻，结到外壳

结温

储存温度

在操作内部框架温度

工作环境温度

铅温度。（焊接， 10秒）

码头

3-1

4-3

5-2

3-1

4-2

—

马克斯。评级

4.0

350

1.27

0.8

1.7

-40-125

-20-125

300

单位

记

单脉冲

V2-3 = 0.78V

Tc=25

Vdd=50V,L=10mH,

Tc=25

具有无穷散热器

无需散热器

用V指定

X我

° C / W

°C

参照推荐

工作温度

推荐工作条件

时间准谐振信号的输入。

对于输入到V中的准谐振信号

DCP / FB

在准谐振操作时终端的

信号应当更宽吴丹Tth时（2）

OCP / FB

Tth(2)

≥1.0

Vth(2)

www.irf.com

IRIS4007

(

)

电气特性（用于控制IC）

= 18V ，（T

= 25℃），除非另有说明。

符号

CCUV +

CCUV-

QCCUV

QCC

关/ （MAX）

TH(2)

OFF / （ MIN ）

TH(1)

TH(2)

OCP / FB

CC （ OVP ）

CC （ LA ）

CC （ LaOFF ）

J（下TSD ）

德网络nition

电源欠压积极门槛

电源欠压负门槛

UVLO模式下的静态电流

静态工作VCC电源电流

最大断时间

最小输入脉冲宽度准谐振信号

最小关断时间

OCP / FB端的阈值电压1

OCP / FB端的阈值电压2

OCP / FB端吸收电流

过压保护限制

锁存电路保持电流

锁存电路复位电压

热关断活化温度

分钟。典型值。马克斯。单位测试条件

14.4

—

0.68

1.3

1.1

20.5

—

6.6

140

—

0.73

1.45

1.35

22.5

—

17.6

100

1.0

1.5

0.78

1.6

1.7

24.5

400

8.4

—

微秒

CC <

CCUV +

电气特性（ MOSFET ）

= 25℃），除非另有说明。

符号

DSS

DS （ ON）

THJ -C

德网络nition

漏极至源极击穿电压

漏极漏电流

导通电阻

上升时间（ 10％ 90％）

热阻

分钟。典型值。马克斯。单位测试条件

200

—

250

0.4

200

1.7

C / W

VDS = 160V ，V

=0V

TJ = 125

3-1

= 10V ，我

=4A

结间

与案例

www.irf.com

IRIS4007

(

)

框图

VCC

开始

O.V.P

LATCH

DRIVE

T.S.D

振荡器

Vth(1)

OCP /

Comp.1

Comp.2

Vth(2)

地

铅作业

针＃ S y时M B 0 1

描述

MOSFET的源端

地

接地端子

MOSFET漏极端子

VCC

控制电路的电源电压

OCP / FB

过电流检测和电压模式控制

反馈信号

其他功能

O.V.P. - 过电压保护电路

T.S.D. - 热关断电路

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(

)

案例外形

5引脚TO- 220

01-6020 00

01-3042 01

(TS-001)