PD-97000
抗辐射
功率MOSFET
直通孔（低电阻TO- 257AA ）
产品概述
产品型号
辐射二级R
DS （ ON）
IRHYB597034CM 100K拉德（SI ） 0.087Ω
IRHYB593034CM 300K拉德（SI ） 0.087Ω
I
D
-20A
-20A
IRHYB597034CM
60V ， P- CHANNEL
5
技术
低电阻
TO- 257AA （制表少）
国际整流器公司R5
TM
技术提供
高性能功率MOSFET，用于空间
应用程序。这些装置已被表征
单粒子效应（ SEE ）与有用的性能
高达80 （兆电子伏/ （毫克/平方厘米的LET
2
））。组合
中低R
DS （ ON）
和低门电荷降低功耗
在开关应用中，例如DC到DC损失
转换器和电机控制。这些设备保留
所有已确立的MOSFET的优点
例如电压控制，快速开关，便于
和并联电温度稳定性
参数。
产品特点：
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
低R
DS （ ON）
快速开关
硬化单粒子效应（ SEE ）
低总栅极电荷
简单的驱动要求
易于并联的
密封式
陶瓷鸡眼
电气隔离
重量轻
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = -12V ， TC = 25°C
ID @ VGS = -12V ， TC = 100℃
IDM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv / dt的
TJ
T英镑
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度
重量
对于脚注参考最后一页
-20
-13
-80
75
0.6
±20
134
-20
7.5
-4.9
-55到150
预辐照
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
o
C
300 （ 0.063英寸/ 1.6毫米从案例10秒）
3.7 （典型值）
g
www.irf.com
1
05/17/05
IRHYB597034CM
预辐照
电气特性
@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）
参数
BVDSS
漏极至源极击穿电压
民
-60
典型值最大值单位
—
-0.066
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
6.8
—
—
0.087
-4.0
—
-10
-25
-100
100
45
18
13
25
65
75
50
—
V
V /°C的
V
S( )
A
测试条件
VGS = 0V ，ID = -1.0mA
参考至25℃ ， n = -1.0mA
VGS = -12V ，ID = -13A
VDS = VGS ，ID = -1.0mA
VDS = -15V ， IDS = -13A
VDS = -48V ， VGS = 0V
VDS = -48V ，
VGS = 0V ， TJ = 125°C
VGS = -20V
VGS = 20V
VGS = -12V ，ID = -20A
VDS = -30V
VDD = -30V ， ID = -20A
VGS = -12V ， RG = 7.5Ω
ΔBV
DSS / ΔTJ分解温度系数 -
电压
RDS （ ON）
静态漏 - 源极导通状态
—
阻力
VGS （ TH）
栅极阈值电压
-2.0
克FS
正向跨导
10
IDSS
零栅极电压漏极电流
—
—
IGSS
IGSS
Qg
Q GS
Q GD
td
（上）
tr
td
（关闭）
tf
LS + LD
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总电感
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
nA
nC
ns
nH
西塞
科斯
CRSS
Rg
输入电容
输出电容
反向传输电容
内部栅极电阻
—
—
—
—
1560
565
62
6.5
—
—
—
—
pF
从漏极引线测量（6毫米/
0.25in
.
从包）至源极引脚
(
6毫米/0.25in 。从包）
VGS = 0V ， VDS = - 25V
F = 1.0MHz的
F = 1.0MHz的，开漏
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
ISM
VSD
吨RR
Q RR
吨
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
最小典型最大单位
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
-20
-80
-5.0
100
200
测试条件
A
V
ns
nC
T
j
= 25°C ， IS = -20A ， VGS = 0V
TJ = 25°C ， IF = -20A ， di / dt的
≤
-100A/s
VDD
≤
-25V
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
热阻
参数
RthJC
RthJA
结到外壳
结到环境
最小典型最大单位
—
—
—
—
1.67
80
° C / W
测试条件
典型的插座安装
注：对应的香料和军刀车型可在国际整流器公司的网站。
对于脚注参考最后一页
2
www.irf.com
辐射特性
预辐照
IRHYB597034CM
国际整流器抗辐射的MOSFET进行测试，以验证其抗辐射能力。
在国际整流器硬度保证计划包括两个辐射环境中。
每一个生产批次的总电离剂量测试（每个音符5和6）采用TO- 3封装。两
前和辐照后的性能进行了测试和指定的使用相同的驱动器电路和测试
为了条件下提供直接的比较。
表1.电气特性@ TJ = 25 ° C，邮政总剂量辐射
参数
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
V
SD
漏极至源极击穿电压
栅极阈值电压
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
零栅极电压漏极电流
静态漏 - 源
通态电阻（ TO- 3 ）
静态漏 - 源极导通状态
Resistance(Low-OhmicTO-257AA)
二极管的正向电压
100K拉德（SI ）
1
最小最大
-60
-2.0
—
—
—
—
—
—
—
-4.0
-100
100
-10
0.087
0.087
-5.0
300KRads(Si)
2
民
最大
-60
-2.0
—
—
—
—
—
—
—
-4.0
-100
100
-10
0.087
0.087
-5.0
单位
V
nA
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= -1.0mA
V
GS
= V
DS
, I
D
= -1.0mA
V
GS
=-20V
V
GS
= 20 V
V
DS
= -48V, V
GS
=0V
V
GS
= -12V ，我
D
=-13A
V
GS
= -12V ，我
D
=-13A
V
GS
= 0V ， IS = -20A
A
V
1.产品型号IRHYB597034CM
2.产品编号IRHYB593034CM
国际整流器抗辐射的MOSFET已被鉴定为重离子环境
单粒子效应（ SEE ） 。单粒子效应特性示于图。一及表二。
表2.单粒子效应安全工作区
离子
Br
I
Au
LET
（兆电子伏/ （毫克/平方厘米
2
))
37.9
59.7
82.3
能源
（兆电子伏）
252.6
314
350
VDS （ V）
范围
(m)
@ VGS = 0V @ VGS = 5V @ VGS = 10V @ VGS = 15V @ VGS = 20V
33.1
- 60
- 60
- 60
- 60
- 60
30.5
- 60
- 60
- 60
- 45
- 25
28.4
- 60
- 60
- 60
—
—
-70
-60
-50
-40
-30
-20
-10
0
0
5
10
VGS
15
20
Br
I
Au
对于脚注参考最后一页
www.irf.com
VDS
所示的。
单粒子效应，安全工作区
3
预辐照
IRHYB597034CM
2500
-VGS ，栅 - 源极电压（ V）
2000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
ISS = C GS + C GD ，C DS短路
RSS = C GD
OSS = C DS + C GD
20
ID = -20A
16
VDS = -48V
VDS = -30V
VDS = -12V
C，电容（pF ）
1500
西塞
12
1000
科斯
8
500
4
测试电路
见图13
0
0
10
20
30
40
50
60
CRSS
0
1
10
100
-VDS ，漏极至源极电压（ V）
QG ，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100
T J = 150℃
T J = 25°C
1000
-I D，漏极 - 源极电流（A ）
-I SD ，反向漏电流（ A）
在这一领域
限于由R DS （ ON）
100
10
100s
10
1
1ms
TC = 25°C
TJ = 150℃
单脉冲
1
10
VGS = 0V
0.1
0
1
2
3
4
5
6
-V SD ，源极到漏极电压（V ）
10ms
100
1000
1
-V DS ，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
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5
QQ：2880707522 复制
