PD-97179A
抗辐射
功率MOSFET
表面贴装（ SMD- 0.2 ）
产品概述
产品型号
辐射二级R
DS （ ON）
I
D
IRHNM597110 100K拉德（SI ）
1.2
-3.1A
IRHNM593110 300K拉德（SI ） 1.2Ω
-3.1A
IRHNM597110
100V ， P- CHANNEL
5
技术
SMD-0.2
国际整流器公司R5
TM
技术提供
高性能功率MOSFET，用于空间
应用程序。这些装置已被表征
单粒子效应（ SEE ）与有用的性能
高达80 （兆电子伏/ （毫克/平方厘米的LET
2
））。组合
中低R
DS （ ON）
和低门电荷降低
功率损耗在开关应用中，如DC
至DC转换器和电动机控制。这些设备
保留所有已确立的优势
MOSFET的诸如电压控制，快速开关，
方便的并联和温度稳定性
电气参数。
产品特点：
n
n
n
n
n
n
n
n
n
硬化单粒子效应（ SEE ）
低R
DS （ ON）
低总栅极电荷
简单的驱动要求
易于并联的
密封式
表面贴装
陶瓷封装
重量轻
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = -12V ， TC = 25°C
ID @ VGS = -12V ， TC = 100℃
IDM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv / dt的
TJ
T英镑
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
Pckg 。安装面温度。
重量
对于脚注参考最后一页
-3.1
-2.0
-12.4
23
0.18
±20
28
-3.1
2.3
-21
-55到150
300 （ 5秒）
0.25 （典型值）
预辐照
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
g
www.irf.com
1
12/20/07
IRHNM597110
预辐照
电气特性
@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）
参数
BVDSS
漏极至源极击穿电压
民
-100
典型值最大值单位
—
-0.13
—
—
4.88
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
6.8
379
98
9.5
24
—
—
1.2
-4.0
—
—
-10
-25
-100
100
11
3.0
4.0
18
26
12
12
—
—
—
—
V
V /°C的
V
毫伏/°C的
S
A
nA
测试条件
VGS = 0V ，ID = -1.0mA
参考至25℃ ， n = -1.0mA
VGS = -12V ，ID = -2.0A
VDS = VGS ，ID = -1.0mA
V DS = -15V ， IDS = -2.0A
VDS = -80V ， VGS = 0V
VDS = -80V ，
VGS = 0V ， TJ = 125°C
VGS = -20V
VGS = 20V
VGS = -12V ，ID = -3.1A
VDS = -50V
VDD = -50V ， ID = -3.1A ，
VGS = -12V ， RG = 7.5Ω
ΔBV
DSS / ΔTJ分解温度系数 -
电压
RDS （ ON）
静态漏 - 源极导通状态
—
阻力
VGS （ TH）
栅极阈值电压
-2.0
—
V
GS （ TH） / ΔTJ栅极阈值电压系数
政府飞行服务队
正向跨导
1.9
IDSS
零栅极电压漏极电流
—
—
IGSS
IGSS
Qg
Q GS
Q GD
td
（上）
tr
td
（关闭）
tf
LS + LD
西塞
科斯
RSS
Rg
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
nC
ns
nH
pF
从中心测量
漏极焊盘源垫的中心
VGS = 0V ， VDS = -25V
F = 100KHz的
F = 1.0MHz的，开漏
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
ISM
VSD
吨RR
Q RR
吨
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
最小典型最大单位
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
-3.1
-12.4
-5.0
100
271
A
V
ns
nC
测试条件
T
j
= 25°C ， IS = -3.1A ， VGS = 0V
TJ = 25°C ， IF = -3.1A ， di / dt的
≤
-100A/s
VDD
≤
-50V
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
热阻
参数
RthJC
结到外壳
最小典型最大
—
—
5.4
单位
° C / W
测试条件
注：对应的香料和军刀车型可在国际整流器公司的网站。
对于脚注参考最后一页
2
www.irf.com
辐射特性
预辐照
IRHNM597110
国际整流器抗辐射的MOSFET进行测试，以验证其抗辐射能力。
在国际整流器硬度保证计划包括两个辐射环境中。
每一个生产批次的总电离剂量测试（每个音符5和6）采用TO- 3封装。两
前和辐照后的性能进行了测试和指定的使用相同的驱动器电路和测试
为了条件下提供直接的比较。
表1.电气特性@ TJ = 25 ° C，邮政总剂量辐射
参数
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
V
SD
漏极至源极击穿电压
栅极阈值电压
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
零栅极电压漏极电流
静态漏 - 源
通态电阻（ TO- 3 ）
静态漏 - 源
通态电阻（ SMD- 0.2 ）
二极管的正向电压
100K拉德（SI ）
1
民
最大
-100
-2.0
—
—
—
—
—
—
—
-4.0
-100
100
-10
0.916
1.2
-5.0
300KRads(Si)
2
民
最大
-100
-2.0
—
—
—
—
—
—
—
-4.0
-100
100
-10
0.936
1.2
-5.0
单位
V
nA
A
V
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= -1.0mA
V
GS
= V
DS
, I
D
= -1.0mA
V
GS
=-20V
V
GS
= 20 V
V
DS
= -80V, V
GS
= 0V
V
GS
= -12V ，我
D
= -2.0A
V
GS
= -12V ，我
D
= -2.0A
V
GS
= 0V ， IS = -3.1A
1.产品型号IRHNM597110
2.产品编号IRHNM593110
国际整流器抗辐射的MOSFET已被鉴定为重离子环境
单粒子效应（ SEE ） 。单粒子效应特性示于图。一及表二。
表2.典型的单粒子效应安全工作区
离子
LET
（兆电子伏/ （毫克/平方厘米） ）
Br
I
Au
37.3
59.9
82.3
2
能源
（兆电子伏）
285
344
351
范围
(m)
36.8
32.7
28.5
@ VGS =
@ VGS =
@ VGS =
VDS （ V）
@ VGS =
@ VGS =
@ VGS =
0V
-100
-100
-100
5V
-100
-100
-100
10V
-100
-100
-100
15V
-100
-100
-30
17.5V
-100
-75
-
20V
-100
-25
-
-120
-100
-80
-60
-40
-20
0
0
5
10
VGS
15
20
VDS
Br
I
Au
所示的。
典型的单粒子效应，安全工作区
对于脚注参考最后一页
www.irf.com
3
预辐照
IRHNM597110
RDS （ ON）时，漏 - 源极到导通电阻（
)
6
5
4
3
2
1
T J = 25°C
0
4
6
8
10
T J = 150℃
ID = -3.1A
RDS （ ON）时，漏 - 源极到导通电阻（
)
7
4
3
T J = 150℃
2
T J = 25°C
1
VGS = -12V
0
0
2
4
6
-I D，漏电流（ A）
12
14
16
-VGS ，门-to - 源电压（V ）
图5 。
典型导通电阻VS
栅极电压
图6 。
典型导通电阻VS
漏电流
- V （ BR ） DSS ，漏极至源极击穿电压（ V）
150
4
140
-V GS （ TH）栅极阈值电压（ V）
ID = -1.0mA
3
130
2
120
1
110
ID = -50μA
ID = -250μA
ID = -1.0mA
ID = -150mA
100
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
T J ，温度（° C）
T J ，温度（° C）
图7 。
典型的漏 - 源
击穿电压与温度
图8 。
典型的阈值电压VS
温度
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5
QQ：2880707522 复制
