【PD - 93820抗辐射功率MOSFET表面贴装（ SMD- 0.5 ）产品概述产品编号辐射水平I】,IC型号IRHNJ3130,IRHNJ3130 PDF资料,IRHNJ3130经销商,ic,电子元器件-51电子网

PD - 93820

抗辐射

功率MOSFET

表面贴装（ SMD- 0.5 ）

产品概述

产品编号辐射水平

IRHNJ7130 100K拉德（SI ）

IRHNJ3130 300K拉德（SI ）

IRHNJ4130

600K拉德（SI ）

IRHNJ8130 1000K拉德（SI ）

DS （ ON）

0.18

14.4A

IRHNJ7130

100V N沟道

抗辐射HEXFET

MOSFET技术

SMD-0.5

国际整流器公司的抗辐射

HEXFET

MOSFET

技术提供高性能功率MOSFET

对于空间应用。该技术拥有超过一去

经过验证的性能和可靠性的卫星凯德

应用程序。这些装置已被表征

为总剂量和单粒子效应（ SEE ）。该

低R组合

DS （ ON）

和低门电荷降低

的功率损耗在开关应用中，如DC

至DC转换器和电动机控制。这些设备重新

覃所有已确立的MOSFET的优点

例如电压控制，快速切换，易于并联的

荷兰国际集团和电参数的温度稳定性。

产品特点：

硬化单粒子效应（ SEE ）

低R

DS （ ON）

低总栅极电荷

腾宽容

简单的驱动要求

易于并联的

密封式

陶瓷封装

表面贴装

重量轻

绝对最大额定值

参数

ID @ VGS = 12V ， TC = 25°C

ID @ VGS = 12V ， TC = 100℃

IDM

PD @ TC = 25°C

VGS

EAS

IAR

EAR

dv / dt的

T英镑

连续漏电流

漏电流脉冲

马克斯。功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

Pckg 。安装面温度。

重量

300 （ 5秒）

1.0 （典型值）

14.4

9.1

0.6

±20

150

14.4

7.5

6.0

-55到150

预辐照

单位

W / ℃，

V / ns的

对于脚注参考最后一页

www.irf.com

2/4/00

IRHNJ7130

预辐照

电气特性

@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）

参数

BVDSS

漏极至源极击穿电压

ΔBV

细数DSS / ΔTJ温度系数

电压

RDS （ ON）

静态漏 - 源极导通状态

阻力

VGS （ TH）

栅极阈值电压

克FS

正向跨导

IDSS

零栅极电压漏极电流

民

100

—

2.0

2.5

—

典型值最大值单位

—

0.11

—

4.0

—

0.18

0.20

4.0

—

250

100

-100

—

V /°C的

测试条件

VGS = 0V ，ID = 1.0毫安

参考至25℃ ， n = 1.0毫安

VGS = 12V ，ID = 9.1A

VGS = 12V ，ID = 14.4A

VDS = VGS ，ID = 1.0毫安

VDS > 15V ， IDS = 9.1A

VDS = 80V ， VGS = 0V

VDS = 80V ，

VGS = 0V ， TJ = 125°C

VGS = 20V

VGS = -20V

VGS = 12V ，ID = 14.4A

VDS = 50V

VDD = 50V ， ID = 14.4A ，

RG = 7.5Ω

S( )

IGSS

Q GS

Q GD

（上）

（关闭）

LS + LD

栅极 - 源极漏进

栅极 - 源极漏反

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总电感

从中心测量

漏极焊盘源垫的中心

VGS = 0V ， VDS = 25V

F = 1.0MHz的

国际空间站

OSS

RSS

输入电容

输出电容

反向传输电容

—

960

340

—

源极 - 漏极二极管额定值和特性

参数

ISM

VSD

吨RR

Q RR

吨

连续源电流（体二极管）

脉冲源电流（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

向前开启时间

最小典型最大单位

—

14.4

1.5

275

2.5

测试条件

= 25°C ， IS = 14.4A ， VGS = 0V

TJ = 25 ° C， IF = 14.4A ， di / dt的

≥

100A/s

VDD

≤

25V

固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。

热阻

参数

RthJC

结到外壳

最小典型最大单位

—

1.67

° C / W

测试条件

对于脚注参考最后一页

www.irf.com

辐射特性

IRHNJ7130

国际整流器抗辐射的MOSFET进行测试，以验证其抗辐射能力。

在国际整流器硬度保证计划包括两个辐射环境中。

每一个生产批次的总电离剂量测试（每个音符5和6）采用TO- 3封装。两

前和辐照后的性能进行了测试和指定的使用相同的驱动器电路和测试

为了条件下提供直接的比较。

表1.电气特性@ TJ = 25 ° C，邮政总剂量辐射

参数

DSS

GS （ TH）

GSS

DSS

DS （ ON）

漏极至源极击穿电压

栅极阈值电压

栅极 - 源极漏进

栅极 - 源极漏反

零栅极电压漏极电流

静态漏 - 源

通态电阻（ TO- 39 ）

静态漏 - 源

通态电阻（ SMD- 0.5 ）

二极管的正向电压

100K拉德（SI ）

300K到1000K拉德（SI ）

单位

测试条件

= 0V时，我

= 1.0毫安

= V

, I

= 1.0毫安

= 20V

= -20 V

= 80V, V

=0V

= 12V，我

= 9.1A

= 12V，我

= 9.1A

= 0V ， IS = 14.4A

民

100

2.0

—

最大

—

4.0

100

-100

0.19

0.18

1.5

民

100

1.25

—

最大

—

4.5

100

-100

0.25

0.24

1.5

1.部件号IRHNJ7130 ， IRHNJ3130 ， IRHNJ4130

2.产品编号IRHNJ8130

国际整流器抗辐射的MOSFET已被鉴定为重离子环境

单粒子效应（ SEE ）。单粒子效应特性示于图。一及表二。

表2.单粒子效应安全工作区

离子

LET

兆电子伏/ （毫克/平方厘米

))

28.0

36.8

能源

（兆电子伏）

285

305

(V)

范围

(m)

=0V @V

=-5V @V

=-10V @V

=-15V @V

=-20V

43.0

100

39.0

100

—

120

100

VDS

-5

-10

VGS

-15

-20

-25

所示的。

单粒子效应，安全工作区

对于脚注参考最后一页

www.irf.com

IRHNJ7130

预辐照

100

，漏极 - 源极电流（A ）

VGS

顶部

15V

12V

10V

9.0V

8.0V

7.0V

6.0V

BOTTOM 5.0V

VGS

15V

12V

10V

9.0V

8.0V

7.0V

6.0V

BOTTOM 5.0V

顶部

5.0V

0.1

20μs的脉冲宽度

= 25

100

0.1

20μs的脉冲宽度

= 150

100

，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

100

2.5

，漏极 - 源极电流（A ）

= 25

= 150

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

= 14.4A

2.0

1.5

1.0

0.5

0.1

V DS = 50V

20μs的脉冲宽度

0.0

-60 -40 -20

= 12V

80 100 120 140 160

，栅 - 源极电压（ V）

，结温（

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

www.irf.com

预辐照

IRHNJ7130

2000

，栅 - 源极电压（ V）

= 0V,

F = 1MHz的

国际空间站

= C

+ C

GD ，

短

RSS

= C

OSS

= C

+ C

= 14 A

= 80V

= 50V

= 20V

C，电容（pF ）

1500

1000

西塞

500

科斯

CRSS

100

测试电路

见图13

，漏极至源极电压（ V）

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

100

1000

在这一领域有限

由R

DS （ ON）

，反向漏电流（ A）

= 25

，漏电流（ A）

= 150

100

100us

1ms

0.1

0.0

= 0 V

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

= 25 ° C

= 150 ° C

单脉冲

10ms

100

1000

，源极到漏极电压（V ）

，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

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PD - 93820

抗辐射

功率MOSFET

表面贴装（ SMD- 0.5 ）

产品概述

产品编号辐射水平

IRHNJ7130 100K拉德（SI ）

IRHNJ3130 300K拉德（SI ）

IRHNJ4130

600K拉德（SI ）

IRHNJ8130 1000K拉德（SI ）

DS （ ON）

0.18

14.4A

IRHNJ7130

100V N沟道

抗辐射HEXFET

MOSFET技术

SMD-0.5

国际整流器公司的抗辐射

HEXFET

MOSFET

技术提供高性能功率MOSFET

对于空间应用。该技术拥有超过一去

经过验证的性能和可靠性的卫星凯德

应用程序。这些装置已被表征

为总剂量和单粒子效应（ SEE ）。该

低R组合

DS （ ON）

和低门电荷降低

的功率损耗在开关应用中，如DC

至DC转换器和电动机控制。这些设备重新

覃所有已确立的MOSFET的优点

例如电压控制，快速切换，易于并联的

荷兰国际集团和电参数的温度稳定性。

产品特点：

硬化单粒子效应（ SEE ）

低R

DS （ ON）

低总栅极电荷

腾宽容

简单的驱动要求

易于并联的

密封式

陶瓷封装

表面贴装

重量轻

绝对最大额定值

参数

ID @ VGS = 12V ， TC = 25°C

ID @ VGS = 12V ， TC = 100℃

IDM

PD @ TC = 25°C

VGS

EAS

IAR

EAR

dv / dt的

T英镑

连续漏电流

漏电流脉冲

马克斯。功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

Pckg 。安装面温度。

重量

300 （ 5秒）

1.0 （典型值）

14.4

9.1

0.6

±20

150

14.4

7.5

6.0

-55到150

预辐照

单位

W / ℃，

V / ns的

对于脚注参考最后一页

www.irf.com

2/4/00

IRHNJ7130

预辐照

电气特性

@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）

参数

BVDSS

漏极至源极击穿电压

ΔBV

细数DSS / ΔTJ温度系数

电压

RDS （ ON）

静态漏 - 源极导通状态

阻力

VGS （ TH）

栅极阈值电压

克FS

正向跨导

IDSS

零栅极电压漏极电流

民

100

—

2.0

2.5

—

典型值最大值单位

—

0.11

—

4.0

—

0.18

0.20

4.0

—

250

100

-100

—

V /°C的

测试条件

VGS = 0V ，ID = 1.0毫安

参考至25℃ ， n = 1.0毫安

VGS = 12V ，ID = 9.1A

VGS = 12V ，ID = 14.4A

VDS = VGS ，ID = 1.0毫安

VDS > 15V ， IDS = 9.1A

VDS = 80V ， VGS = 0V

VDS = 80V ，

VGS = 0V ， TJ = 125°C

VGS = 20V

VGS = -20V

VGS = 12V ，ID = 14.4A

VDS = 50V

VDD = 50V ， ID = 14.4A ，

RG = 7.5Ω

S( )

IGSS

Q GS

Q GD

（上）

（关闭）

LS + LD

栅极 - 源极漏进

栅极 - 源极漏反

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总电感

从中心测量

漏极焊盘源垫的中心

VGS = 0V ， VDS = 25V

F = 1.0MHz的

国际空间站

OSS

RSS

输入电容

输出电容

反向传输电容

—

960

340

—

源极 - 漏极二极管额定值和特性

参数

ISM

VSD

吨RR

Q RR

吨

连续源电流（体二极管）

脉冲源电流（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

向前开启时间

最小典型最大单位

—

14.4

1.5

275

2.5

测试条件

= 25°C ， IS = 14.4A ， VGS = 0V

TJ = 25 ° C， IF = 14.4A ， di / dt的

≥

100A/s

VDD

≤

25V

固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。

热阻

参数

RthJC

结到外壳

最小典型最大单位

—

1.67

° C / W

测试条件

对于脚注参考最后一页

www.irf.com

辐射特性

IRHNJ7130

国际整流器抗辐射的MOSFET进行测试，以验证其抗辐射能力。

在国际整流器硬度保证计划包括两个辐射环境中。

每一个生产批次的总电离剂量测试（每个音符5和6）采用TO- 3封装。两

前和辐照后的性能进行了测试和指定的使用相同的驱动器电路和测试

为了条件下提供直接的比较。

表1.电气特性@ TJ = 25 ° C，邮政总剂量辐射

参数

DSS

GS （ TH）

GSS

DSS

DS （ ON）

漏极至源极击穿电压

栅极阈值电压

栅极 - 源极漏进

栅极 - 源极漏反

零栅极电压漏极电流

静态漏 - 源

通态电阻（ TO- 39 ）

静态漏 - 源

通态电阻（ SMD- 0.5 ）

二极管的正向电压

100K拉德（SI ）

300K到1000K拉德（SI ）

单位

测试条件

= 0V时，我

= 1.0毫安

= V

, I

= 1.0毫安

= 20V

= -20 V

= 80V, V

=0V

= 12V，我

= 9.1A

= 12V，我

= 9.1A

= 0V ， IS = 14.4A

民

100

2.0

—

最大

—

4.0

100

-100

0.19

0.18

1.5

民

100

1.25

—

最大

—

4.5

100

-100

0.25

0.24

1.5

1.部件号IRHNJ7130 ， IRHNJ3130 ， IRHNJ4130

2.产品编号IRHNJ8130

国际整流器抗辐射的MOSFET已被鉴定为重离子环境

单粒子效应（ SEE ）。单粒子效应特性示于图。一及表二。

表2.单粒子效应安全工作区

离子

LET

兆电子伏/ （毫克/平方厘米

))

28.0

36.8

能源

（兆电子伏）

285

305

(V)

范围

(m)

=0V @V

=-5V @V

=-10V @V

=-15V @V

=-20V

43.0

100

39.0

100

—

120

100

VDS

-5

-10

VGS

-15

-20

-25

所示的。

单粒子效应，安全工作区

对于脚注参考最后一页

www.irf.com

IRHNJ7130

预辐照

100

，漏极 - 源极电流（A ）

VGS

顶部

15V

12V

10V

9.0V

8.0V

7.0V

6.0V

BOTTOM 5.0V

VGS

15V

12V

10V

9.0V

8.0V

7.0V

6.0V

BOTTOM 5.0V

顶部

5.0V

0.1

20μs的脉冲宽度

= 25

100

0.1

20μs的脉冲宽度

= 150

100

，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

100

2.5

，漏极 - 源极电流（A ）

= 25

= 150

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

= 14.4A

2.0

1.5

1.0

0.5

0.1

V DS = 50V

20μs的脉冲宽度

0.0

-60 -40 -20

= 12V

80 100 120 140 160

，栅 - 源极电压（ V）

，结温（

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

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预辐照

IRHNJ7130

2000

，栅 - 源极电压（ V）

= 0V,

F = 1MHz的

国际空间站

= C

+ C

GD ，

短

RSS

= C

OSS

= C

+ C

= 14 A

= 80V

= 50V

= 20V

C，电容（pF ）

1500

1000

西塞

500

科斯

CRSS

100

测试电路

见图13

，漏极至源极电压（ V）

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

100

1000

在这一领域有限

由R

DS （ ON）

，反向漏电流（ A）

= 25

，漏电流（ A）

= 150

100

100us

1ms

0.1

0.0

= 0 V

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

= 25 ° C

= 150 ° C

单脉冲

10ms

100

1000

，源极到漏极电压（V ）

，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区