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指数
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临时数据表号PD- 9.1447
重复性雪崩和dv / dt评分
IRHNA9064
PC A N L
- H N ê
HEXFET
晶体管
RadHard
-60Volt,
0.055
RAD硬HEXFET
0.055,
国际整流器公司的P沟道抗辐射技术
HEXFETs表现出优异的阈值电压稳定性
并在总辐射剂量的击穿电压稳定性
高达10
5
拉德（SI ） 。下
相同
预处理和后处理的辐射
化试验条件下，国际整流器公司的P沟道RAD
HARD HEXFETs保留
相同
电气规格最高
到1×10
5
拉德（ Si）的总剂量。在栅极驱动无补偿
电路是必需的。这些器件还能够河畔
viving瞬态电离脉冲高达1× 10
12
拉德
（硅） /秒，并在几微米返回到正常操作
秒。国际的单粒子效应（ SEE ）测试
整流器P沟道抗辐射HEXFETs有demon-
strated虚拟免疫力看到失败。由于P -常用信
NEL抗辐射工艺采用国际整流器公司
专利的HEXFET技术中，用户可以期望高
EST的质量和可靠性的行业。
P沟道抗辐射HEXFET晶体管还具有
所有的行之有效的MOSFET的优点，例如
作为电压控制，非常快速的切换，方便的并联
和温度的电气参数的稳定性。他们
是非常适合用于诸如开关电源
电源，电机控制，逆变器，砍砸器，音频amplifi-
器和高能量脉冲在空间和武器的电路
环境。
产品概述
产品型号
IRHNA9064
BV
DSS
-60V
R
DS （ ON）
0.055
I
D
-48A
产品特点：
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
抗辐射可达1 ×10
5
拉德（SI ）
单粒子烧毁（ SEB ）硬化
单粒子栅穿（ SEGR ）硬化
伽玛点（闪光X射线）硬化
中子宽容
相同的预处理和后电气试验条件
重复雪崩额定值
动态的dv / dt额定值
简单的驱动要求
易于并联的
密封式
表面贴装
重量轻
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = -12V ， TC = 25°C
ID @ VGS = -12V ， TC = 100℃
IDM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
我AR
EAR
dv / dt的
TJ
TSTG
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
包安装表面温度
重量
预辐射
IRHNA9064
-48
-30
-192
300
2.4
± 20
500
-48
30
-5.5
-55到150
300 （ 5秒）
3.3 （典型值）
单位
A
W
W / K
V
mJ
A
mJ
V / ns的
o
C
g
TO ORDER
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IRHNA9064
指数
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预辐射
电气特性
@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）
参数
BVDSS
漏极至源极击穿电压
ΔBV
细数DSS / ΔTJ温度系数
电压
RDS （ ON）
静态漏 - 源
导通状态电阻
VGS （ TH）
栅极阈值电压
政府飞行服务队
正向跨导
IDSS
零栅极电压漏极电流
民
-60
—
—
—
-2.0
16
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值最大值单位
—
-0.048
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
8.7
8.7
—
—
0.055
0.065
-4.0
—
-25
-250
-100
100
260
60
86
62
227
200
115
—
—
V
V /°C的
V
S( )
A
测试条件
VGS = 0 V ， ID = -1.0mA
参考至25℃ ， n = -1.0mA
VGS = -12V ，ID = -30A
VGS = -12V ，ID = -48A
VDS = VGS ，ID = -1.0mA
VDS > -15V ， IDS = -30A
VDS = 0.8×最大额定值， VGS = 0V
VDS = 0.8×最高评级
VGS = 0V ， TJ = 125°C
VGS = -20 V
VGS = 20V
VGS = -12V ，ID = -48A
VDS =最大额定值×0.5
VDD = -30V ， ID = -48A ，
RG = 2.35Ω
IGSS
IGSS
Qg
QGS
QGD
td
（上）
tr
td
（关闭）
tf
LD
LS
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
nA
nC
ns
nH
从漏极引线测量，
改进的MOSFET符号展示 -
6毫米（0.25英寸），从包装荷兰国际集团的内部电感。
以模具中心。
从源极引脚测得的，
6毫米（0.25 ）从包
到源焊盘。
西塞
科斯
CRSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
—
—
—
7400
3200
540
—
—
—
pF
VGS = 0V ， VDS = -25 V
F = 1.0MHz的
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
我SM
VSD
TRR
QRR
吨
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
最小典型最大单位
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
-48
-192
-3.0
480
3.7
测试条件
修改MOSFET符号
显示整体反转
p-n结整流器。
T
j
= 25°C ， IS = -48A ， VGS = 0V
TJ = 25°C ， IF = -48A ， di / dt的
≤
-100A/s
VDD
≤
-50V
A
V
ns
C
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
热阻
参数
RthJC
RthJ -PCB
结到外壳
结至PC板
最小典型最大
—
—
— 0.42
TBD -
单位
K / W
测试条件
焊接到铜包覆印刷电路板
*受插针直径
TO ORDER
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IRHNA9064
P沟道拉德的辐射性能
硬HEXFETs
指数
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辐射特性
国际整流器抗辐射HEXFETs
进行测试，以验证其硬度的能力。该硬
内斯保证方案在国际整流器
使用两个辐射环境。
每个制造批在低剂量率测试
（总剂量）每MLL -STD -750的环境中，测试
方法1019国际整流器公司征收
每注6和-12伏标准电压门
V
DSS
偏压条件等于80 ％的额定器件
电压每注7.前后的辐射限值
照射到1× 10的设备
5
拉德（SI ）是identi-
校准和在表示于表1中的值
1将满足这两条低剂量率测试
电路所使用。
前和后的辐射性能进行测试
并使用相同的驱动器电路和测试指定
为了条件下提供直接的比较。它
应当指出的是在1×10辐射水平
5
在限制没有改变直流指定拉德（SI ）
参数。
高剂量率测试可以在一个特殊的做
使用的剂量率高达1 ×10请求的基础
12
拉德
（SI ） /秒。
国际整流器抗辐射的P沟道
HEXFETs被认为是中子容错，如
在MIL -PRF- 19500组D.国际规定
整流器抗辐射的P沟道HEXFETs
已被鉴定的重离子单粒子
效应（ SEE ）环境和结果示
在表3中。
表1.低剂量率
参数
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
GSS
I
DSS
R
DS(on)1
V
SD
IRHNA9064
100K拉德（SI ）
单位
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= -1.0mA
V
GS
= V
DS
, I
D
= -1.0mA
V
GS
= -20V
V
GS
= 20V
V
DS
= 0.8×最大额定值，V
GS
=0V
V
GS
= -12V ，我
D
= -30A
TC = 25°C ， IS = -48A ，V
GS
= 0V
民
漏极至源极击穿电压
栅极阈值电压
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
零栅极电压漏极电流
静态漏 - 源
导通状态电阻一
二极管的正向电压
10
11
拉德（SI ） / 10秒
12
拉德（SI ） /秒
最大
—
-4.0
-100
100
-25
0.055
-3.0
V
nA
A
V
-60
-2.0
—
—
—
—
—
表2高剂量率
参数
V
DSS
IPP
的di / dt
L1
最小典型最大
—
—
-48
—
—
最小典型最大
—
—
-48
—
—
单位
V
测试条件
漏极至源极电压
— -100
— -800
0.1 —
— -100
— -160
0.8 —
期间施加的漏极 - 源极电压
伽玛点
A
峰值辐射诱导的光电流
光电流的上升A /微秒率
H
所需的电路的电感，以限制di / dt的
表3.单粒子效应
参数
BV
DSS
典型
-60
单位
V
离子
Ni
LET （SI ）
（兆电子伏/毫克/平方厘米
2
)
28
注量
（离子数/厘米
2
)
1 x 10
5
范围
(m)
~41
V
DS
BIAS
(V)
-60
V
GS
BIAS
(V)
5
TO ORDER
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IRHNA9064
重复评价;脉冲宽度有限的
最高结温。
请参阅当前HEXFET可靠性报告。
@ VDD = -25V ，开始TJ = 25°C ，
EAS = 0.5 * L * （ IL
2
）* [ BVDSS / （ BVDSS - VDD） ]
峰值IL = -48A ， VGS = -12 V ， 25
≤
RG
≤
200
ISD
≤
-48A ， di / dt的
≤170
A / μs的，
VDD
≤
BV DSS ， T J
≤
150°C
建议RG = 2.35Ω
脉冲宽度
≤
300
s;
占空比
≤
2%
K / W = ° C / W
W / K = W / ℃，
指数
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预辐射
总剂量辐照VGS偏置。
-12伏V GS过程中应用和VDS = 0
每MIL -STD- 750的照射，方法1019 。
总剂量辐照VDS偏置。
VDS = 0.8额定的BVDSS （预辐射）
每次照射过程中的应用和V GS = 0
MLL - STD- 750方法1019 。
使用闪光X射线进行该测试
源中的电子束模式运行（能源
2.5兆电子伏） ， 30纳秒的脉冲。
方法，其特征由独立的实验室。
所有预辐射后辐射测试
条件
相同
方便直接
对于比较电路应用。
案例外形和尺寸 -
1 3 .48 (.5 3 1 )
1 3 .19 (.5 1 9 )
-A -
0. 15 ( . 00 6 )
-C -
3 S ü RF A C （E S）
3 .6 0 (. 14 2 )
M A X 。
11 .3 2 (.4 46 )
11 .0 3 (.4 34 )
5
17 .6 7 (. 69 6 )
17 .3 8 (. 68 4 )
-B -
1 2. 21 (.4 81 )
1 1. 92 (.4 69 )
0.8 9 (.03 5 )
M IN 。
4
2
5
2 X 3 .70 (.1 4 6 )
3 .41 (.1 3 4 )
0 .3 6 ( .0 14 )
N 2 O TE S：
1 。 IM ENS IO &勒RANCEPERANSIY 1 4 0.91 -1 98 2
2 。 C 0 NT· R 0 LL G中 IM è北南IO N： IN C小时。
3 。 IM ENS IO NSARESHOWN以M IL LIM ETERS （IN CHES ） 。
4 。 IM ENS IO N的CLUDESMETALL IZ AT IO NF LA SH 。
5 。 IM ENS IO NDOESNOT IN C LU DEMETA LL IZ AT IO NF LA SH 。
M
A M B M
3
4.1 4 (.1 63 )
3.8 4 (.1 51 )
5
1 .27 (.0 5 0 )
M IN 。
4
0.3 8 (.0 15 )
3X 0.1 3 (.0 05 )
3. 05 (.1 20 )
6 .1 0 (.24 0 )
L E A D A S S小IG M E N牛逼S
1 = D R A IN
2 = G A TE
3 = S O u那样 CE
SMD-2
全球总部：
233堪萨斯街El Segundo的加州90245 ，电话： （ 310 ） 322 3331
欧洲总部：
赫斯特绿色， Oxted ，萨里RH8 9BB ，英国电话： + 44 1883 732020
IR加拿大：
7321维多利亚公园大道，套房201 ，安大略省马克姆L3R 2Z8 ，电话： （ 905 ） 475 1897
IR德国：
Saalburgstrasse 157 ， 61350巴特洪堡电话： + 49 6172 96590
IR意大利：
通过利古里亚49 ， 10071保尔格罗，都灵电话： + 39 11 451 0111
IR FAR EAST ：
。 K&H大厦2楼， 3-30-4西Ikeburo 3丁目，丰岛奇，日本东京171号电话： 81 3 3983 0086
IR东南亚：
315欧南路， ＃ 10-02檀文LIAT大厦，新加坡0316电话： 65 221 8371
http://www.irf.com/
数据和规格如有变更，恕不另行通知。
6/96
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