PD-96990
抗辐射
功率MOSFET
表面贴装（ SMD - 2 ）
产品概述
产品编号辐射水平
IRHNA67264 100K拉德（SI ）
IRHNA63264
300K拉德（SI ）
R
DS （ ON）
0.040
0.040
I
D
50A
50A
IRHNA67264
250V N沟道
技术
SMD-2
国际整流器公司的R6
TM
技术提供
卓越的功率MOSFET的空间应用。
这些器件具有提高免疫力单
事件效应（ SEE ） ，并已用于表征
与线性能量转移有用的性能
（ LET ）达90MeV / （毫克/平方厘米
2
） 。他们的组合
非常低
RDS （ ON）
和更快的切换时间减少
功率损失，从而提高功率密度在今天的
高速开关应用诸如直流 - 直流
转换器和电机控制器。这些设备
保留所有已确立的优势
的MOSFET ，如电压控制，便于并联的
和温度的电参数的稳定性。
产品特点：
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
低R
DS （ ON）
快速开关
硬化单粒子效应（ SEE ）
低总栅极电荷
简单的驱动要求
易于并联的
密封式
表面贴装
陶瓷封装
重量轻
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = 12V ， TC = 25°C连续漏电流
ID @ VGS = 12V ， TC = 100 ℃的连续漏电流
IDM
漏电流脉冲
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv / dt的
TJ
T英镑
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
Pckg 。安装面温度。
重量
对于脚注参考最后一页
50
31.5
200
250
2.0
±20
240
50
25
4.1
-55到150
预辐照
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
o
C
g
300 （ 5秒）
3.3 （典型值）
www.irf.com
1
06/28/05
IRHNA67264
预辐照
电气特性
@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）
参数
BVDSS
漏极至源极击穿电压
ΔBV
细数DSS / ΔT 温度系数
电压
RDS （ ON）
静态漏 - 源极导通状态
阻力
VGS （ TH）
栅极阈值电压
克FS
正向跨导
IDSS
零栅极电压漏极电流
民
250
—
—
2.0
37
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值最大值单位
—
0.3
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
2.8
—
—
0.040
4.0
—
10
25
100
-100
220
50
70
35
70
80
15
—
V
V /°C的
V
S( )
A
测试条件
VGS = 0V ，ID = 1.0毫安
参考至25℃ ， n = 1.0毫安
VGS = 12V ，ID = 31.5A
IGSS
IGSS
Qg
Q GS
Q GD
td
（上）
tr
td
（关闭）
tf
LS + LD
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总电感
nA
nC
VDS = VGS ，ID = 1.0毫安
VDS = 15V ， IDS = 31.5A
VDS = 200V ， VGS = 0V
VDS = 200V ，
VGS = 0V ， TJ = 125°C
VGS = 20V
VGS = -20V
VGS = 12V ，ID = 50A
VDS = 125V
VDD = 125V ， ID = 50A ，
VGS = 12V时， RG = 2.35Ω
ns
nH
从中心测量
漏极焊盘源垫的中心
VGS = 0V ， VDS = 25V
F = 1.0MHz的
F = 1.0MHz的，开漏
西塞
OSS
RSS
Rg
输入电容
输出电容
反向传输电容
内部栅极电阻
—
—
—
—
6912
940
10.8
0.52
—
—
—
—
pF
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
ISM
VSD
TRR
Q RR
吨
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
最小典型最大单位
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
50
200
1.2
700
15
测试条件
A
V
ns
C
T
j
= 25 ℃， IS = 50A ，V GS = 0V
TJ = 25°C ， IF = 50A ， di / dt的
≤
100A/s
VDD
≤
25V
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
热阻
参数
RthJC
结到外壳
最小典型最大单位
—
—
0.5
° C / W
测试条件
注：对应的香料和军刀车型可在国际整流器公司的网站。
对于脚注参考最后一页
2
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辐射特性
预辐照
IRHNA67264
国际整流器抗辐射的MOSFET进行测试，以验证其抗辐射能力。
在国际整流器硬度保证计划包括两个辐射环境中。
每一个生产批次的总电离剂量测试（每个音符5和6）采用TO- 3封装。两
前和辐照后的性能进行了测试和指定的使用相同的驱动器电路和测试
为了条件下提供直接的比较。
表1.电气特性@ TJ = 25 ° C，邮政总剂量辐射
参数
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
V
SD
漏极至源极击穿电压
栅极阈值电压
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
零栅极电压漏极电流
静态漏 - 源
通态电阻（ TO- 3 ）
静态漏到Sourcee
通态电阻（ SMD - 2 ）
二极管的正向电压
高达300K拉德（SI ）
民
250
2.0
—
—
—
—
—
—
最大
单位
V
nA
A
V
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 1.0毫安
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0毫安
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
V
DS
= 200V, V
GS
= 0V
V
GS
= 12V，我
D
= 31.5A
V
GS
= 12V，我
D
= 31.5A
V
GS
= 0V时，我
D
= 50A
—
4.0
100
-100
10
0.041
0.040
1.2
零件号IRHNA67264和IRHNA63264
国际整流器抗辐射的MOSFET已被鉴定为重离子环境
单粒子效应（ SEE ） 。单粒子效应特性示于图。一和表。
表2.单粒子效应安全工作区
离子
LET
(MeV/(mg/cm2))
Ag
Xe
Au
43
59
90
能源
（兆电子伏）
1217
823
1480
范围
(m)
112
66
80
@VGS =
@VGS =
VDS （ V）
@VGS =
@VGS =
@VGS =
@VGS =
0V
250
250
75
-5V
250
250
75
-10V
250
250
-
-15V
250
50
-
-17V
100
-
-
-20V
50
-
-
300
250
200
150
100
50
0
0
-5
-10
VGS
-15
-20
VDS
Ag
Xe
Au
所示的。
单粒子效应，安全工作区
对于脚注参考最后一页
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3
预辐照
IRHNA67264
14000
12000
10000
8000
6000
4000
2000
0
1
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
100KHz
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
ISS = C GS + C GD ，C DS短路
RSS = C GD
OSS = C DS + C GD
20
ID = 50A
16
VDS = 200V
VDS = 125V
VDS = 50V
C，电容（pF ）
西塞
科斯
12
8
CRSS
4
测试电路
见图13
0
0
50
100
150
200
250
10
100
VDS ，漏极至源极电压（ V）
QG ，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000
1000
ISD ，反向漏电流（ A）
在这一领域
限于由R DS （ ON）
100
T J = 150℃
10
T J = 25°C
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
100s
10
1ms
1
TC = 25°C
TJ = 150℃
单脉冲
1
10
100
10ms
1
VGS = 0V
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
VSD ，源极到漏极电压（V ）
0.1
1000
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
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5
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