PD-94342D
抗辐射
功率MOSFET
表面贴装（ SMD - 2 ）
产品概述
产品编号辐射水平
IRHNA67260 100K拉德（SI ）
IRHNA63260 300K拉德（SI ）
R
DS （ ON）
0.028
0.028
I
D
56A
56A
IRHNA67260
200V N沟道
技术
国际整流器公司的R6
TM
技术提供
卓越的功率MOSFET的空间应用。
这些器件具有提高免疫力单
事件效应（ SEE ） ，并已用于表征
与线性能量转移有用的性能
（ LET ）达90MeV / （毫克/平方厘米
2
).
其非常低的组合
RDS （ ON）
快
开关次数减少了功率损耗和增大
在今天的高速开关功率密度
应用，如DC -DC转换器和电动机
控制器。这些设备保留所有井的
MOSFET的如电压建立优势
控制，易于并联和温度稳定性
的电参数。
SMD-2
产品特点：
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
低R
DS （ ON）
快速开关
硬化单粒子效应（ SEE ）
低总栅极电荷
简单的驱动要求
易于并联的
密封式
表面贴装
陶瓷封装
重量轻
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = 12V ， TC = 25°C
ID @ VGS = 12V ， TC = 100℃
IDM
PD @ T C = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv / dt的
TJ
T英镑
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
Pckg 。安装面温度。
重量
电流是通过包装有限
对于脚注参考最后一页
56
40
224
250
2.0
±20
268
56
25
5.0
-55到150
预辐照
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
o
C
g
300 （ 5秒）
3.3 （典型值）
www.irf.com
1
02/16/06
IRHNA67260
预辐照
电气特性
@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）
参数
BVDSS
漏极至源极击穿电压
ΔBV
细数DSS / ΔT 温度系数
电压
RDS （ ON）
静态漏 - 源极导通状态
阻力
VGS （ TH）
栅极阈值电压
克FS
正向跨导
IDSS
零栅极电压漏极电流
民
200
—
—
2.0
40
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值最大值单位
—
0.17
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
2.8
—
—
0.028
4.0
—
10
25
100
-100
240
70
60
40
60
70
30
—
V
V /°C的
V
S( )
A
测试条件
VGS = 0V ，ID = 1.0毫安
参考至25℃ ， n = 1.0毫安
VGS = 12V ，ID = 40A
VDS = VGS ，ID = 1.0毫安
VDS = 25V ， IDS = 40A
VDS = 160V ， VGS = 0V
VDS = 160V ，
VGS = 0V ， TJ = 125°C
VGS = 20V
VGS = -20V
VGS = 12V ，ID = 56A
VDS = 100V
VDD = 100V ， ID = 56A ，
VGS = 12V时， RG = 2.35Ω
IGSS
IGSS
Qg
Q GS
Q GD
td
（上）
tr
td
（关闭）
tf
LS + LD
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总电感
nA
nC
ns
nH
从中心测量
漏极焊盘源垫的中心
VGS = 0V ， VDS = 25V
F = 100KHz的
F = 0.73MHz ，漏极开路
西塞
OSS
RSS
Rg
输入电容
输出电容
反向传输电容
内部栅极电阻
—
—
—
—
8120
949
13
1.1
—
—
—
—
pF
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
ISM
VSD
TRR
Q RR
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
最小典型最大单位
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
56
224
1.2
640
11.7
测试条件
A
V
ns
C
T
j
= 25 ℃， IS = 56A ，V GS = 0V
TJ = 25°C ， IF = 56A ， di / dt的
≤
100A/s
VDD
≤
25V
吨
向前开启时间
电流是通过封装的限制。
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
热阻
参数
RthJC
结到外壳
最小典型最大单位
—
—
0.5
° C / W
测试条件
注：对应的香料和军刀车型可在国际整流器公司的网站。
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2
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辐射特性
预辐照
IRHNA67260
国际整流器抗辐射的MOSFET进行测试，以验证其抗辐射能力。
在国际整流器硬度保证计划包括两个辐射环境中。
每一个生产批次的总电离剂量测试（每个音符5和6）采用TO- 3封装。两
前和辐照后的性能进行了测试和指定的使用相同的驱动器电路和测试
为了条件下提供直接的比较。
表1.电气特性@ TJ = 25 ° C，邮政总剂量辐射
参数
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
V
SD
漏极至源极击穿电压
栅极阈值电压
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
零栅极电压漏极电流
静态漏 - 源
通态电阻（ TO- 3 ）
静态漏 - 源极导通状态
电阻（SMD -2）的
二极管的正向电压
高达300K拉德（SI ）
1
单位
V
nA
A
V
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 1.0毫安
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0毫安
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
V
DS
=160V, V
GS
=0V
V
GS
= 12V，我
D
= 40A
V
GS
= 12V，我
D
= 40A
V
GS
= 0V时，我
D
= 56A
民
200
2.0
—
—
—
—
—
—
最大
—
4.0
100
-100
10
0.029
0.028
1.2
1.部件号IRHNA67260 ， IRHNA63260
国际整流器抗辐射的MOSFET已被鉴定为重离子环境
单粒子效应（ SEE ） 。单粒子效应特性示于图。一及表二。
表2.单粒子效应安全工作区
离子
Xe
Xe
Au
LET
(MeV/(mg/cm2))
43
59
90
能源
（兆电子伏）
2441
825
1480
范围
(m)
205
66
80
@ VGS = 0V
VDS （ V）
@ VGS = -5V
@ VGS = -10V
@ VGS = -15V
200
200
170
200
200
170
200
200
--
190
190
--
240
200
160
120
80
40
0
0
-5
-10
VGS
-15
-20
氙 - LET = 43
氙 - LET = 59
金 - LET = 90
VDS
所示的。
单粒子效应，安全工作区
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3
QQ：2880707522 复制
