PD-94493A
抗辐射
功率MOSFET
表面贴装（ SMD - 2 ）
产品概述
产品型号
辐射二级R
DS （ ON）
IRHNA597160 100K拉德（SI ） 0.049Ω
IRHNA593160 300K拉德（SI ） 0.049Ω
I
D
Q
-47A
-47A
IRHNA597160
100V ， P- CHANNEL
5
技术
SMD-2
国际整流器公司R5
TM
技术提供高
高性能功率MOSFET的空间应用。
这些设备的特点为单事件
效应（ SEE）用最多的LET
80（兆电子伏/ （毫克/平方厘米
2
））。低R的组合
DS （ ON）
和
低门电荷降低的功率损耗的开关
应用，例如DC到DC转换器和电动机
控制权。这些设备保留所有的确立
MOSFET的优点，例如电压控制，快速
交换，便于并联和温度稳定性
的电参数。
产品特点：
n
n
n
n
n
n
n
n
n
硬化单粒子效应（ SEE ）
超低低R
DS （ ON）
低总栅极电荷
简单的驱动要求
易于并联的
密封式
表面贴装
陶瓷封装
重量轻
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = -12V ， TC = 25°C
I D @ VGS = -12V ， TC = 100℃
IDM
PD @ T C = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv / dt的
TJ
T英镑
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
Pckg 。安装面温度。
重量
-47
-30
-188
250
2.0
±20
400
-47
25
-10
-55到150
300 （ 5秒）
3.3 （典型值）
预辐照
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
o
C
g
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1
03/16/06
IRHNA597160
预辐照
电气特性
@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）
参数
BVDSS
漏极至源极击穿电压
ΔBV
细数DSS / ΔT 温度系数
电压
RDS （ ON）
静态漏 - 源极导通状态
阻力
VGS （ TH）
栅极阈值电压
政府飞行服务队
正向跨导
IDSS
零栅极电压漏极电流
民
-100
—
—
-2.0
24
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值最大值单位
—
-0.1
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
4.0
—
—
0.049
-4.0
—
-10
-25
-100
100
170
65
30
30
100
70
170
—
V
V /°C的
V
S( )
A
测试条件
VGS = 0V ，ID = -1.0mA
参考至25℃ ， n = -1.0mA
VGS = -12V ，ID = -30A
VDS = VGS ，ID = -1.0mA
VDS > -15V ， IDS = -30A
VDS = -80V ， VGS = 0V
VDS = -80V ，
VGS = 0V ， TJ = 125°C
VGS = -20V
VGS = 20V
VGS = -12V ，ID = -47A
VDS = -50V
VDD = -50V ， ID = -47A ，
VGS = -12V ， RG = 2.35Ω ，
IGSS
IGSS
Qg
Q GS
Q GD
td
（上）
tr
td
（关闭）
tf
LS + LD
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总电感
nA
nC
ns
nH
西塞
OSS
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
—
—
—
6240
1570
115
—
—
—
pF
从中心测量
漏极焊盘的中心
来源垫
VGS = 0V ， VDS = -25V
F = 1.0MHz的
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
ISM
VSD
吨RR
Q RR
吨
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
最小典型最大单位
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
-47
-188
-5.0
230
1.6
测试条件
A
V
ns
C
T
j
= 25°C ， IS = -47A ， VGS = 0V
TJ = 25°C ， IF = -47A ， di / dt的
≤
-100A/s
VDD
≤
-25V
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
热阻
参数
RthJC
RthJ -PCB
结到外壳
结至PC板
最小典型最大
—
—
—
1.6
0.50
—
单位
° C / W
测试条件
焊接到一个2“正方形镀铜板
注：对应的香料和军刀车型都可以在国际整流电路网站。
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2
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预辐照
辐射特性
IRHNA597160
国际整流器抗辐射的MOSFET进行测试，以验证其抗辐射能力。
在国际整流器硬度保证计划包括两个辐射环境中。
每一个生产批次的总电离剂量测试（每个音符5和6）采用TO- 3封装。两
前和辐照后的性能进行了测试和指定的使用相同的驱动器电路和测试
为了条件下提供直接的比较。
表1.电气特性@ TJ = 25 ° C，邮政总剂量辐射
参数
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
V
SD
漏极至源极击穿电压
栅极阈值电压
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
零栅极电压漏极电流
静态漏 - 源
通态电阻（ TO- 3 ）
静态漏 - 源
通态电阻（ SMD - 2 ）
二极管的正向电压
100K拉德（SI ）
1
民
最大
-100
-2.0
—
—
—
—
—
—
—
-4.0
-100
100
-10
0.05
0.049
-5.0
300KRads(Si)
2
民
最大
-100
-2.0
—
—
—
—
—
—
—
-5.0
-100
100
-10
0.05
0.049
-5.0
单位
V
nA
A
V
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= -1.0mA
V
GS
= V
DS
, I
D
= -1.0mA
V
GS
=-20V
V
GS
= 20 V
V
DS
= -80V, V
GS
=0V
V
GS
= -12V ，我
D
=-30A
V
GS
= -12V ，我
D
=-30A
V
GS
= 0V ， IS = -47A
1.产品型号IRHNA597160
2.产品编号IRHNA593160
国际整流器抗辐射的MOSFET已被鉴定为重离子环境
单粒子效应（ SEE ） 。单粒子效应特性示于图。一及表二。
表2.单粒子效应安全工作区
离子
Br
I
Au
LET
（兆电子伏/ （毫克/平方厘米
2
))
37.9
59.7
82.3
能源
（兆电子伏）
252.6
314
350
V
DS
(V)
范围
(m)
@V
GS
=0V @V
GS
=5V @V
GS
=10V @V
GS
=15V @V
GS
=17.5V @V
GS
=20V
33.1
-100
-100
-100
-100
-100
-100
30.5
-100
-100
-100
-100
-75
-25
28.4
-100
-100
-100
-30
—
—
-120
-100
-80
-60
-40
-20
0
0
5
10
VGS
15
20
Br
I
Au
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VDS
所示的。
单粒子效应，安全工作区
3
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