以前的数据表
指数
下一页数据表
临时数据表号PD- 9.822A
重复性雪崩和dv / dt评分
HEXFET晶体管
IRHN7230
IRHN8230
N沟道
MEGA抗辐射
200伏， 0.40Ω ， MEGA抗辐射HEXFET
国际整流器公司的MEGA抗辐射技术
HEXFETs表现出优异的阈值电压的台站
在总辐射相容性和击穿电压稳定
剂量高达1× 10
6
拉德（SI ） 。下
相同
PRE-
及后辐射的测试条件下，国际整流器公司
抗辐射HEXFETs保留
相同
电气规范
阳离子高达1 ×10
5
拉德（ Si）的总剂量。以1×10
6
拉德
（Si）的总剂量，相同给药前的条件下，只
在电气规格轻微的变化观察
并因此在表1中栅极无补偿指定
驱动电路是必需的。此外，这些设备是
能够幸存的瞬态脉冲电离高的
为1× 10
12
拉德（SI ） /秒，并返回到正常操作
在几微秒内。单粒子效应（ SEE ）
国际整流器抗辐射HEXFETs测试
已经证明虚拟免疫力看到失败。自
他是一个超级抗辐射工艺采用国际
IR的HEXFET专利技术，用户可以
预计在行业中最高的质量和可靠性。
抗辐射HEXFET晶体管还具有所有的
MOSFET的行之有效的优点，例如电压
年龄控制，非常快速的切换，方便并联和
电参数的温度稳定性。
它们非常适合用于诸如开关
电源，电机控制，逆变器，砍砸器，非盟
DIO放大器和太空高能量脉冲电路和
武器的环境。
产品概述
产品型号
IRHN7230
IRHN8230
BV
DSS
200V
200V
R
DS （ ON）
0.40
0.40
I
D
9.0A
9.0A
产品特点：
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
抗辐射可达1 ×10
6
拉德（SI ）
单粒子烧毁（ SEB ）硬化
单粒子栅穿（ SEGR ）硬化
伽玛点（闪光X射线）硬化
中子宽容
相同的预处理和后电气试验条件
重复雪崩额定值
动态的dv / dt额定值
简单的驱动要求
易于并联的
密封式
表面贴装
重量轻
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = 12V ， TC = 25°C连续漏电流
ID @ VGS = 12V ， TC = 100 ℃的连续漏电流
IDM
漏电流脉冲
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
我AR
EAR
dv / dt的
TJ
TSTG
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
包安装表面温度
重量
9.0
6.0
36
75
0.60
±20
预辐射
IRHN7230 ， IRHN8230
单位
A
W
W / K
V
mJ
A
mJ
V / ns的
o
C
330 （参见图29）
9.0
7.5
5.0 （参见图30）
-55到150
300（ 5秒）
2.6 （典型值）
TO ORDER
g
以前的数据表
IRHN7230 ， IRHN8230设备
指数
下一页数据表
预辐射
电气特性
@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）
参数
BVDSS
漏极至源极击穿电压
ΔBV
细数DSS / ΔTJ温度系数
电压
RDS （ ON）
静态漏 - 源
导通状态电阻
VGS （ TH）
栅极阈值电压
政府飞行服务队
正向跨导
IDSS
零栅极电压漏极电流
分钟。
200
—
—
—
2.0
3.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
TYP 。 MAX 。单位
—
0.27
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
2.0
—
—
0.40
0.49
4.0
—
25
250
100
-100
50
10
20
35
80
60
46
—
V
V /°C的
V
S( )
A
nA
nC
测试条件
VGS = 0V ，ID = 1.0毫安
参考至25℃ ， I D = 1.0毫安
VGS = 12V ，ID = 6.0A
VGS = 12V ，ID = 9.0A
VDS = VGS ，ID = 1.0毫安
VDS > 15V ， IDS = 6.0A
VDS = 0.8×最大额定值， VGS = 0V
VDS = 0.8×最高评级
VGS = 0V ， TJ = 125°C
VGS = 20V
VGS = -20V
VGS = 12V ，ID = 9.0A
VDS =最大。评分×0.5
（见图23和31 ）
VDD = 100V ， ID = 9.0A ，
RG = 7.5Ω
（参见图28）
测量从
修改MOSFET
漏极引线的6mm （ 0.25
符号显示的
英寸）从包
内部电感。
中心模具。
测量从
来源铅的6mm
（0.25 ）从包
到源焊盘。
IGSS
IGSS
Qg
QGS
QGD
吨D（上）
tr
吨D（关闭）
tf
LD
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
ns
LS
内部源极电感
—
4.1
—
nH
西塞
科斯
CRSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
—
—
—
1100
250
65
—
—
—
pF
VGS = 0V ， VDS = 25V
F = 1.0 MHz的
（参见图22）
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
我SM
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
分钟。典型值。马克斯。单位
—
—
—
—
9.0
36
测试条件
示出了修改后的MOSFET符号
积分反向p-n结整流器。
A
VSD
吨RR
Q RR
T ON
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
T
j
= 25 ℃， IS = 9A ，V GS = 0V
TJ = 25°C ， IF = 9A ， di / dt的
≤
100A/s
VDD
≤
50V
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
—
—
—
—
—
—
2.0
460
5.0
V
ns
C
热阻
参数
RthJC
RthJPCB
结到外壳
结至PC板
分钟。典型值。马克斯。单位
—
—
—
待定
1.67
K / W ？
—
测试条件
焊接到铜包覆印刷电路板
TO ORDER
以前的数据表
IRHN7230 ， IRHN8230设备
指数
下一页数据表
辐射特性
的超级抗辐射HEXFETs辐射性能
国际整流器抗辐射HEX - FET的
进行测试，以验证其硬度的能力。该硬
内斯保证方案在国际整流器用途
两个辐射环境。
每个制造批在低剂量率测试
（总剂量）每MLL -STD -750的环境中，测试
方法1019国际整流器公司征收
每注6和V 12伏标准电压门
DSS
偏压条件等于80％的设备在额定电压的
每注7和图8B 。前后辐射限制
照射到1× 10的装置的
5
拉德（SI ）是identi-
校准和列于表1中，第1列， IRHN7230 。
以1:1的交辐射电平的设备的性能极限
x 10
6
拉德（Si）的示于表1中，第2栏第
IRHN8230 。表1中的值将被满足任
所使用的两种低剂量率的测试电路。典型
CAL三角洲曲线显示出辐射反应出现在
图1至图5.典型辐射后出现的曲线
在图10至图17 。
前和后的辐射性能进行了测试，并
使用相同的驱动器电路和测试条件指定
为了系统蒸发散，以提供一个直接的比较。它应该
应当注意，以1× 10辐射水平
5
拉德（硅），无
变化范围在DC参数中指定。在一
为1×10辐射水平
6
拉德（SI ） ，漏遗体
低，设备与驱动器没有变化可用
电路要求。
高剂量率测试可以在一个特殊的重新做
任务的基础上，使用的剂量率至多为1×10
12
拉德（SI ） /
秒。光电流和瞬态电压波形
在图7中示出和建议的测试电路，以
可以使用示于图9 。
国际整流器抗辐射HEXFETs
已经表征了在中子和重离子
单粒子效应（ SEE ）的环境中。的影响
所使用的国际Recti-类型的体硅
费里的抗辐射HEXFETs见图6 。
单粒子效应特征显示在
表3中。
IRHN8230
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 1.0毫安
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0毫安
V
GS
= +20V
V
GS
= -20V
V
DS
= 0.8×最大额定值，V
GS
= 0
V
GS
= 12V，我
D
= 6.0A
TC = 25°C ， IS = 9.0A ，V
GS
= 0V
分钟。
200
1.25
—
—
—
—
—
马克斯。
—
4.5
100
-100
25
0.53
1.6
V
nA
A
V
表1.低剂量率
参数
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
GSS
I
DSS
R
DS(on)1
V
SD
漏极至源极击穿电压
栅极阈值电压
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
零栅极电压漏极电流
静态漏 - 源
导通状态电阻一
二极管的正向电压
IRHN7230
分钟。
200
2.0
—
—
—
—
—
马克斯。
—
4.0
100
-100
25
0.40
1.6
100K拉德（ Si）的1000K拉德（SI ）
单位
表2高剂量率
10
11
拉德（SI ） / 10秒
12
拉德（SI ） /秒
参数
VDSS
我PP
的di / dt
L1
漏极至源极电压
分钟。典型值最大值。分钟。典型值。马克斯。
单位
测试条件
—
— 160 —
— 160
V
施加的漏极 - 源极电压
在伽马点
— 20 —
—
20
—
A
峰值辐射诱导的光电流
—
— 160 —
—
8.0 A /微秒光电流的上升率
1.0 —
— 20
—
—
H
所需的电路的电感，以限制di / dt的
表3.单粒子效应
参数
BV DSS
典型值。
200
单位
V
离子
Ni
LET （SI ）
（兆电子伏/毫克/平方厘米
2
)
28
注量
（离子数/厘米
2
)
1 x 10
5
范围
(m)
~41
V
DS
BIAS
(V)
160
V
GS
BIAS
(V)
-5
TO ORDER
QQ：2881677436 复制
