PD-96912
抗辐射
IRHMK597160
功率MOSFET
100V N沟道
表面贴装（低电阻TO- 254AA ）
5
技术
产品概述
产品型号辐射二级R
DS （ ON）
IRHMK597160 100K拉德（SI ）
0.05
IRHMK593160 300K拉德（SI ）
0.05
I
D
-45A*
-45A*
低电阻
TO- 254AA无接头
国际整流器公司R5
TM
技术提供
高性能功率MOSFET，用于空间
应用程序。这些装置已被表征
单粒子效应（ SEE ）与有用的性能
高达80 （兆电子伏/ （毫克/平方厘米的LET
2
））。组合
中低R
DS （ ON）
和低门电荷降低功耗
在开关应用中，例如DC到DC损失
转换器和电机控制。这些设备保留
所有已确立的MOSFET的优点
例如电压控制，快速开关，便于
和并联电温度稳定性
参数。
产品特点：
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
低R
DS （ ON）
快速开关
硬化单粒子效应（ SEE ）
低总栅极电荷
简单的驱动要求
易于并联的
密封式
陶瓷鸡眼
电气隔离
重量轻
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = -12V ， TC = 25°C
ID @ VGS = -12V ， TC = 100℃
IDM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv / dt的
TJ
T英镑
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
包。安装面温度。
重量
*目前被封装的限制
对于脚注参考最后一页
-45*
-30
-180
208
1.67
±20
480
-45
20.8
-6.0
-55到150
300 （ 5秒）
3.7 （典型值）
预辐照
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
o
C
g
www.irf.com
1
12/24/04
IRHMK597160
预辐照
电气特性
@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）
参数
BVDSS
漏极至源极击穿电压
民
-100
典型值最大值单位
—
-0.13
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
6.8
—
—
0.05
-4.0
—
-10
-25
-100
100
170
65
30
35
140
70
45
—
V
V /°C的
V
S( )
A
测试条件
VGS = 0V ，ID = -1.0mA
参考至25℃ ， n = -1.0mA
VGS = -12V ，ID = -30A
VDS = VGS ，ID = -1.0mA
VDS > -15V ， IDS = -30A
VDS = -80V ， VGS = 0V
VDS = -80V ，
VGS = 0V ， TJ = 125°C
VGS = -20V
VGS = 20V
VGS = -12V ，ID = -45A
VDS = -50V
VDD = -50V ， ID = -45A
VGS = -12V ， RG = 1.2Ω
ΔBV
DSS / ΔTJ分解温度系数 -
电压
RDS （ ON）
静态漏 - 源极导通状态
—
阻力
VGS （ TH）
栅极阈值电压
-2.0
政府飞行服务队
正向跨导
24
IDSS
零栅极电压漏极电流
—
—
IGSS
IGSS
Qg
Q GS
Q GD
td
（上）
tr
td
（关闭）
tf
LS + LD
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总电感
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
nA
nC
ns
nH
从测得的漏极引线（6毫米/0.25in 。
从包）至源极引脚（6毫米/0.25in 。
从包中）与源内部的电线
从源引脚结合到漏极焊盘
西塞
科斯
CRSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
—
—
—
6110
1574
115
—
—
—
pF
VGS = 0V ， VDS = -25V
F = 1.0MHz的
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
ISM
VSD
吨RR
Q RR
吨
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
最小典型最大单位
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
-45*
-180
-5.0
200
1.6
测试条件
A
V
ns
C
T
j
= 25°C ， IS = -45A ， VGS = 0V
TJ = 25°C ， IF = -45A ， di / dt的
≤
-100A/s
VDD
≤
-25V
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
*目前被封装的限制
热阻
参数
RthJC
RthCS
RthJA
结到外壳
外壳到散热器
结到环境
最小典型最大单位
—
—
—
—
0.21
—
0.6
—
48
° C / W
测试条件
典型的插座安装
注：对应的香料和军刀车型可在国际整流器公司的网站。
对于脚注参考最后一页
2
www.irf.com
辐射特性
预辐照
IRHMK597160
国际整流器抗辐射的MOSFET进行测试，以验证其抗辐射能力。
在国际整流器硬度保证计划包括两个辐射环境中。
每一个生产批次的总电离剂量测试（每个音符5和6）采用TO- 3封装。两
前和辐照后的性能进行了测试和指定的使用相同的驱动器电路和测试
为了条件下提供直接的比较。
表1.电气特性@ TJ = 25 ° C，邮政总剂量辐射
参数
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
V
SD
漏极至源极击穿电压
栅极阈值电压
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
零栅极电压漏极电流
静态漏 - 源
通态电阻（ TO- 3 ）
静态漏 - 源极导通状态
Resistance(Low-OhmicTO-254AA)
二极管的正向电压
100K拉德（SI ）
1
民
最大
-100
-2.0
—
—
—
—
—
—
—
-4.0
-100
100
-10
0.05
0.05
-5.0
300KRads(Si)
2
民
最大
-100
-2.0
—
—
—
—
—
—
—
-5.0
-100
100
-10
0.05
0.05
-5.0
单位
V
nA
A
V
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= -1.0mA
V
GS
= V
DS
, I
D
= -1.0mA
V
GS
= -20V
V
GS
= 20 V
V
DS
= -80V, V
GS
=0V
V
GS
= -12V ，我
D
= -30A
V
GS
= -12V ，我
D
= -30A
V
GS
= 0V ， IS = -45A
1.产品型号IRHMK597160
2.产品编号IRHMK593160
国际整流器抗辐射的MOSFET已被鉴定为重离子环境
单粒子效应（ SEE ） 。单粒子效应特性示于图。一及表二。
表2.单粒子效应安全工作区
离子
Br
I
Au
LET
（兆电子伏/ （毫克/平方厘米
2
))
37.9
59.7
82.3
能源
（兆电子伏）
252.6
314
350
V
DS
(V)
范围
(m)
@V
GS
=0V @V
GS
=5V @V
GS
=10V @V
GS
=15V @V
GS
=17.5V @V
GS
=20V
33.1
-100
-100
-100
-100
-100
-100
30.5
-100
-100
-100
-100
-75
-25
28.4
-100
-100
-100
-30
—
—
-120
-100
-80
VDS
-60
Br
I
Au
-40
-20
0
0
5
10
15
20
25
VGS
所示的。
单粒子效应，安全工作区
对于脚注参考最后一页
www.irf.com
3
QQ：2881677436 复制
