PD-96914
抗辐射
功率MOSFET
RAD硬HEXFET
表面贴装（ TO- 254AA无接头）
IRHMJ7250
200V N沟道
技术
产品概述
产品编号辐射水平
IRHMJ7250
100K拉德（SI ）
IRHMJ3250
300K拉德（SI ）
IRHMJ4250
IRHMJ8250
600K拉德（SI ）
1000K拉德（SI ）
R
DS （ ON）
0.10
0.10
0.10
0.10
I
D
26A
26A
26A
26A
TO- 254AA无接头
国际整流器公司？的RADHard HEXFET
技术
提供高性能功率MOSFET的
空间应用。该技术具有较
在经过验证的性能和可靠性的十年
卫星应用。这些装置已经
其特征为总剂量和单事件
影响（见） 。低导通电阻的组合和
低门电荷降低的功率损耗
切换应用，如DC -DC转换器
和马达控制。这些设备保留所有井的
MOSFET的如电压建立优势
控制，快速切换，易于并联和
电参数的温度稳定性。
产品特点：
n
n
n
n
n
n
n
n
n
硬化单粒子效应（ SEE ）
低R
DS （ ON）
低总栅极电荷
腾宽容
简单的驱动要求
易于并联的
密封式
陶瓷鸡眼
重量轻
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = 12V ， TC = 25°C
ID @ VGS = 12V ， TC = 100℃
IDM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv / dt的
TJ
T英镑
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
Pckg 。安装面温度。
重量
对于脚注参考最后一页
26
16
104
150
1.2
±20
500
26
15
5.0
-55到150
预辐照
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
o
C
300 （ 5秒）
8.0 （典型值）
g
www.irf.com
1
12/24/04
IRHMJ7250
预辐照
电气特性
@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）
参数
BVDSS
漏极至源极击穿电压
ΔBV
细数DSS / ΔT 温度系数
电压
RDS （ ON）
静态漏 - 源
导通状态电阻
VGS （ TH）
栅极阈值电压
克FS
正向跨导
IDSS
零栅极电压漏极电流
民
200
—
—
—
2.0
8.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值最大值单位
—
0.27
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
6.8
—
—
0.10
0.11
4.0
—
25
250
100
-100
170
30
60
33
140
140
140
—
V
V /°C的
V
S( )
A
测试条件
VGS = 0 V ， ID = 1.0毫安
参考至25℃ ， n = 1.0毫安
VGS = 12V ，ID = 16A
VGS = 12V ，ID = 26A
VDS = VGS ，ID = 1.0毫安
VDS > 15V ， IDS = 16A
VDS = 160V ， VGS = 0V
VDS = 160V
VGS = 0V ， TJ = 125°C
VGS = 20V
VGS = -20V
VGS = 12V ，ID = 26A
VDS = 100V
VDD = 100V ，ID = 26A，
VGS = 12V时， RG = 2.35Ω
IGSS
IGSS
Qg
Q GS
Q GD
td
（上）
tr
td
（关闭）
tf
LS + LD
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总电感
nA
nC
ns
nH
从测得的漏极引线（6毫米/ 0.25英寸从
包）源铅（6毫米/ 0.25英寸从
包）
西塞
OSS
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
—
—
—
4700
850
210
—
—
—
pF
VGS = 0V ， VDS = 25V
F = 1.0MHz的
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
ISM
VSD
TRR
Q RR
吨
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
最小典型最大单位
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
26
104
1.4
820
12
测试条件
A
V
nS
C
T
j
= 25 ℃， IS = 26A ，V GS = 0V
TJ = 25°C ， IF = 26A ， di / dt的
≤100A/s
VDD
≤
25V
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
热阻
参数
RthJC
RthCS
RthJA
结到外壳
外壳到散热器
结到环境
最小典型最大
—
—
—
— 0.83
0.21 —
—
48
单位
° C / W
测试条件
典型的插座安装
注：对应的香料和军刀车型可在国际整流器公司的网站。
对于脚注参考最后一页
2
www.irf.com
预辐照
辐射特性
IRHMJ7250
国际整流器抗辐射的MOSFET进行测试，以验证其抗辐射能力。
在国际整流器硬度保证计划包括两个辐射环境中。
每一个生产批次的总电离剂量测试（每个音符5和6）采用TO- 3封装。两
前和辐照后的性能进行了测试和指定的使用相同的驱动器电路和测试
为了条件下提供直接的比较。
表1.电气特性@ TJ = 25 ° C，邮政总剂量辐射
参数
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
V
SD
漏极至源极击穿电压
栅极阈值电压
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
零栅极电压漏极电流
静态漏 - 源
通态电阻（ TO- 3 ）
静态漏 - 源
通态电阻（ TO- 254AA ）
二极管的正向电压
高达600K拉德（SI ）
1
1000K拉德（SI ）
2
单位
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 1.0毫安
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0毫安
V
GS
= 20V
V
GS
= -20 V
V
DS
=160V, V
GS
=0V
V
GS
= 12V，我
D
=16A
V
GS
= 12V，我
D
=16A
V
GS
= 0V ， IS = 26A
民
200
2.0
—
—
—
—
—
—
最大
—
4.0
100
-100
25
0.094
0.10
1.4
民
200
1.25
—
—
—
—
—
—
最大
—
4.5
100
-100
50
0.149
0.155
1.4
V
nA
A
V
1.部件号IRHMJ7250 ， IRHMJ3250和IRHMJ4250
2.产品编号IRHMJ8250
国际整流器抗辐射的MOSFET已被鉴定为重离子环境
单粒子效应（ SEE ） 。单粒子效应特性示于图。一及表二。
表2.单粒子效应安全工作区
离子
Cu
Br
LET
兆电子伏/ （毫克/平方厘米
2
))
28
36.8
能源
（兆电子伏）
285
305
范围
V
DS （ V）
(m)
@
V
GS
=0V @
V
GS
=-5V @
V
GS
=-10V @
V
GS
=-15V @
V
GS
=-20V
43
190
180
170
125
—
39
100
100
100
50
—
200
150
100
50
0
0
-5
-10
VGS
-15
-20
Cu
Br
VDS
所示的。
单粒子效应，安全工作区
对于脚注参考最后一页
www.irf.com
3
QQ：2880707522 复制
