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指数
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临时数据表号PD- 9.1394A
重复性雪崩和dv / dt评分
HEXFET晶体管
IRHM7460SE
N沟道
单粒子效应（ SEE）抗辐射
500伏， 0.32Ω ， （ SEE）抗辐射HEXFET
国际整流器公司（ SEE ）抗辐射技术
HEXFETs展示虚拟免疫力，看故障 -
URE 。另外，在
相同
预处理和后处理的辐射
化试验条件下，国际整流器公司的抗辐射
HEXFETs保留
相同
电气规格最高
到1×10
5
拉德（ Si）的总剂量。在无补偿
栅极驱动电路是必需的。这些装置也
能够幸存的瞬态脉冲电离高的
为1× 10
12
拉德（SI ） /秒，并返回到正常操作
灰在几微秒内。由于SEE亲
塞斯采用国际整流器公司专利的HEXFET
技术，用户可以期望的最高质量和
可靠性的行业。
抗辐射HEXFET晶体管还具有所有的
MOSFET的行之有效的优点，例如电压
年龄控制，非常快速的切换，方便并联和
电参数的温度稳定性。
它们非常适合用于诸如开关
电源，电机控制，逆变器，砍砸器，
音频放大器和高能量脉冲电路的空间
和武器环境。
产品概述
产品型号
IRHM7460SE
BV
DSS
500V
R
DS （ ON）
0.32
I
D
18.8A
产品特点：
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
抗辐射可达1 ×10
5
拉德（SI ）
单粒子烧毁（ SEB ）硬化
单粒子栅穿（ SEGR ）硬化
伽玛点（闪光X射线）硬化
中子宽容
相同的预处理和后电气试验条件
重复雪崩额定值
动态的dv / dt额定值
简单的驱动要求
易于并联的
密封式
电气隔离
陶瓷鸡眼
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = 12V ， TC = 25°C
I D @ VGS = 12V ， TC = 100℃
IDM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
我AR
EAR
dv / dt的
TJ
TSTG
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度
重量
18.8
11.9
75.2
250
2.0
±20
500
18.8
25
3.5
-55到150
预辐射
IRHM7460SE
单位
A
W
W / K
V
mJ
A
mJ
V / ns的
o
C
300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）的情况下为10秒）
9.3 （典型值）
g
TO ORDER
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IRHM7460SE设备
指数
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预辐射
电气特性
@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）
参数
BVDSS
漏极至源极击穿电压
ΔBV
细数DSS / ΔTJ温度系数
电压
RDS （ ON）
静态漏 - 源
导通状态电阻
VGS （ TH）
门ThresholdVoltage
政府飞行服务队
正向跨导
IDSS
零栅极电压漏极电流
分钟。
500
—
—
—
2.5
3
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
TYP 。 MAX 。单位
—
0.68
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
8.7
—
—
0.32
0.36
4.5
—
50
250
100
-100
260
40
200
45
140
140
110
—
V
V /°C的
V
S( )
A
nA
nC
测试条件
VGS = 0V ，ID = 1.0毫安
参考至25℃ ， I D = 1.0毫安
VGS = 12V ，ID = 11.9A
VGS = 12V ，ID = 18.8A
VDS = VGS ，ID = 1.0毫安
VDS > 15V ， IDS = 11.9A
VDS = 0.8×最大额定值， VGS = 0V
VDS = 0.8×最高评级
VGS = 0V ， TJ = 125°C
VGS = 20V
VGS = -20V
VGS = 12V ，ID = 18.8A
VDS =最大。评分×0.5
VDD = 250V ， ID = 18.8A ，
RG = 2.35Ω
IGSS
IGSS
Qg
QGS
QGD
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
LD
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
ns
LS
内部源极电感
—
8.7
—
nH
测量从
修改MOSFET
漏极引线的6mm （ 0.25
符号显示的
英寸）从包
内部电感。
中心模具。
测量从
来源铅的6mm
（0.25 ）从包
到源焊盘。
西塞
科斯
CRSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
—
—
—
6400
1100
375
—
—
—
pF
VGS = 0V ， VDS = 25V
F = 1.0 MHz的
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
我SM
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
分钟。典型值。马克斯。单位
—
—
—
—
18.8
75.2
测试条件
示出了修改后的MOSFET符号
积分反向p-n结整流器。
A
VSD
TRR
QRR
吨
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
—
—
—
—
—
—
1.8
1200
16
V
ns
C
T
j
= 25 ° C， I S = 18.8A ， VGS = 0V
TJ = 25 ° C， IF = 18.8A ， di / dt的
≤
100A/s
VDD
≤
50V
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
热阻
参数
RthJC
RthJA
RthCS
结到外壳
结到环境
外壳到散热器
分钟。典型值。马克斯。单位
—
—
—
— 0.50
—
48
0.21 —
K / W ？
测试条件
典型的插座安装
TO ORDER
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IRHM7460SE设备
指数
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辐射特性
抗辐射HEXFETs辐射性能
国际整流器抗辐射HEXFETs
进行测试，以验证其硬度的能力。该硬
内斯保证方案在国际整流器
使用两个辐射环境。
每个制造批在低剂量率测试
（总剂量）每MLL -STD -750的环境中，测试
方法1019国际整流器公司征收
每注6和12伏标准电压门
V
DSS
偏压条件等于80％所述装置的
每注的额定电压7.前后的辐射
设备的限制照射到1× 10
5
拉德（SI ）
是相同的，并在表1中，第1列给出。
表1中的值将被满足的任两个
所使用的低剂量率的测试电路。这两种预
和后辐射性能进行了测试和试样
使用相同的驱动器电路和测试条件田间
为了提供一个直接的比较。它应该是
注意，以1× 10辐射水平
5
拉德（硅），无
变化范围在DC参数中指定。
高剂量率测试可以在一个特殊的重新做
任务的基础上，使用的剂量率至多为1×10
12
拉德
（SI ） /秒。
国际整流器抗辐射HEXFETs
已经表征了在中子和重离子
单粒子效应（ SEE ）的环境中。单身
事件的影响表征示于表3中。
表1.低剂量率
参数
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
GSS
I
DSS
R
DS(on)1
V
SD
IRHM7460SE
100K拉德（SI ）
单位
V
nA
A
V
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 1.0毫安
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0毫安
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
V
DS
= 0.8×最大额定值，V
GS
= 0V
V
GS
= 12V，我
D
=11.9A
TC = 25°C ， IS = 18.8A ，V
GS
= 0V
分钟。
漏极至源极击穿电压
栅极阈值电压
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
零栅极电压漏极电流
静态漏 - 源
导通状态电阻一
二极管的正向电压
500
2.5
—
—
—
—
—
马克斯。
—
4.5
100
-100
50
0.32
1.8
表2高剂量率
参数
VDSS
IPP
的di / dt
L1
漏极至SourceVoltage
10
11
拉德（SI ） / 10秒
12
拉德（SI ） /秒
分钟。典型值最大值。分钟。典型值。马克斯。
单位
测试条件
—
— 400 — —
400
V
施加的漏极 - 源极电压
在伽马点
—
7
—
—
7
—
A
峰值辐射诱导的光电流
— 16 —
— 2.3
- A /微秒光电流的上升率
— 27 —
— 133
—
H
所需的电路的电感，以限制di / dt的
表3.单粒子效应
参数
BVDSS
典型值。
500
单位
V
离子
Ni
LET （SI ）
（兆电子伏/毫克/平方厘米
2
)
28
注量
（离子数/厘米
2
)
1 x 10
5
范围
(m)
~35
V
DS
BIAS
(V)
400
V
GS
BIAS
(V)
-5
TO ORDER
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IRHM7460SE设备
重复评价;脉冲宽度有限的
最高结温。
请参阅当前HEXFET可靠性报告。
@ VDD = 50V ，启动T J = 25°C ，
EAS = 0.5 * L * （ ） * [ BVDSS / （ BVDSS - VDD ） ]
峰值IL = 18.8A ， VGS = 12V 25
≤
R G
≤
200
,
ISD
≤
18.8A ， di / dt的
≤
170 A / μs的，
VDD
≤
BV DSS ， T J
≤
150°C
建议RG = 2.35Ω
脉冲宽度
≤
300
s;
占空比
≤
2%
K / W = ° C / W
W / K = W / ℃，
指数
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辐射特性
总剂量辐照VGS偏置。
12伏VGS应用并在VDS = 0
每MIL -STD- 750的照射，方法1019 。
总剂量辐照VDS偏置。
VDS = 0.8额定的BVDSS （预辐射）
应用和VGS = 0元照射时
MLL - STD- 750方法1019 。
使用闪光X射线进行该测试
源中的电子束模式运行（能源
2.5兆电子伏） ， 30纳秒的脉冲。
方法，其特征由独立的实验室。
所有预辐射后辐射测试
条件
相同
方便直接
对于比较电路应用。
案例外形和尺寸 - TO254AA
3
2
1
符合JEDEC OutlineTO - 254AA
图例：
1 DRAIN
2 SOURCE
3门
注意事项：
1.尺寸和公差
每ANSIY14.5M 1982
2.所有尺寸如图毫米
（英寸） 。
3.在任何可用的可选leadforms
方向
对于OutlineTO - 254AA可选Leadforms
小心
BERYLLIAWARNING每MIL -PRF- 19500
含铍的包件不得被磨，喷砂，
机械加工的，或者有其他的操作对他们进行这将
生产氧化铍或铍的灰尘。此外，氧化铍
包装不得放置在酸会产生油烟
含铍。
全球总部：
233堪萨斯街El Segundo的加州90245 ，电话： （ 310 ） 322 3331
欧洲总部：
赫斯特绿色， Oxted ，萨里RH8 9BB ，英国电话： + 44 1883 732020
IR加拿大：
7321维多利亚公园大道，套房201 ，安大略省马克姆L3R 2Z8 ，电话： （ 905 ） 475 1897
IR德国：
Saalburgstrasse 157 ， 61350巴特洪堡电话： + 49 6172 96590
IR意大利：
通过利古里亚49 ， 10071保尔格罗，都灵电话： + 39 11 451 0111
IR FAR EAST ：
。 K&H大厦2楼， 3-30-4西Ikeburo 3丁目，丰岛奇，日本东京171号电话： 81 3 3983 0086
IR东南亚：
315欧南路， ＃ 10-02檀文LIAT大厦，新加坡0316电话： 65 221 8371
http://www.irf.com/
数据和规格如有变更，恕不另行通知。
6/96
TO ORDER
QQ：2880707522 复制
