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指数
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临时数据表号PD- 9.1564
重复性雪崩和dv / dt评分
HEXFET晶体管
IRHM7064
IRHM8064
N沟道
MEGA抗辐射
60伏， 0.021Ω ， MEGA抗辐射HEXFET
国际整流器公司的抗辐射技术HEXFETs
演示虚拟免疫力看到失败。加成
盟友，下
相同
前后辐射测试条件
系统蒸发散，国际整流器公司的抗辐射HEXFETs
保留
相同
电气规格可达1 ×10
5
拉德
（ Si）的总剂量。栅极驱动电路无补偿
所需。这些器件还能够生存的
瞬态电离脉冲高达1× 10
12
拉德（SI ） /
秒，并返回到正常操作范围内的几个微
秒。由于抗辐射工艺采用Interna-
tional IR的HEXFET专利技术，用户
可以预期，在行业最高的质量和可靠性
试试。
抗辐射HEXFET晶体管还具有所有的良好的
MOSFET的既定的优点，如电压的转换
控制，非常快速的切换，方便并联和温度
电气参数的稳定性。
它们非常适合用于诸如开关
荷兰国际集团的电源，电机控制，逆变器，斩波器
个人，音频放大器和高能量脉冲电路
在空间和武器的环境。
产品概述
产品型号
IRHM7064
IRHM8064
BV
DSS
60V
60V
R
DS （ ON）
0.021
0.021
I
D
35A*
35A*
产品特点：
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
抗辐射可达1 ×10
6
拉德（SI ）
单粒子烧毁（ SEB ）硬化
单粒子栅穿（ SEGR ）硬化
伽玛点（闪光X射线）硬化
中子宽容
相同的预处理和后电气试验条件
重复雪崩额定值
动态的dv / dt额定值
简单的驱动要求
易于并联的
密封式
电气隔离
陶瓷鸡眼
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = 12V ， TC = 25°C
I D @ VGS = 12V ， TC = 100℃
IDM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv / dt的
TJ
TSTG
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度
重量
注：请参阅第4页
预辐射
IRHM7064 ， IRHM8064
35*
35*
284
250
2.0
±20
500
35
25
4.5
-55到150
300 （ 0.063在（ 1.6毫米）案件从10秒）
9.3 （典型值）
单位
A
W
W / K
V
mJ
A
mJ
V / ns的
o
C
g
TO ORDER
*当前被销直径的限制
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IRHM7064 ， IRHM8064设备
指数
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预辐射
电气特性
@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）
参数
BVDSS
漏极至源极击穿电压
ΔBV
细数DSS / ΔTJ温度系数
电压
RDS （ ON）
静态漏 - 源
导通状态电阻
VGS （ TH）
栅极阈值电压
政府飞行服务队
正向跨导
IDSS
零栅极电压漏极电流
分钟。
60
—
—
2.0
18
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
TYP 。 MAX 。单位
—
0.048
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
8.7
—
—
0.021
4.0
—
25
250
100
-100
260
60
86
27
120
76
93
—
V
S( )
A
nA
nC
V
V /°C的
测试条件
VGS = 0V ，ID = 1.0毫安
参考至25℃ ， n = 1.0毫安
VGS = 12V ，ID = 35A
VDS = VGS ，ID = 1.0毫安
VDS > 15V ， IDS = 35A
V DS = 0.8×最大额定值， VGS = 0V
VDS = 0.8×最高评级
VGS = 0V ， TJ = 125°C
VGS = 20V
VGS = -20V
VGS = 12V ，ID = 35A
VDS =最大。评分×0.5
VDD = 30V ， ID = 35A ，
RG = 2.35Ω
IGSS
IGSS
Qg
QGS
QGD
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
LD
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
ns
LS
内部源极电感
—
8.7
—
nH
测量从
修改MOSFET
漏极引线的6mm （ 0.25
符号显示的
英寸）从包
内部电感。
中心模具。
测量从
来源铅的6mm
（0.25 ）从包
到源焊盘。
西塞
科斯
CRSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
—
—
—
7400
3200
540
—
—
—
pF
VGS = 0V ， VDS = 25V
F = 1.0 MHz的
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
我SM
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
分钟。典型值。马克斯。单位
—
—
—
—
35
284
测试条件
示出了修改后的MOSFET符号
积分反向p-n结整流器。
A
VSD
吨RR
QRR
T ON
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
T
j
= 25 ℃， IS = 35A ，V GS = 0V
TJ = 25°C ， IF = 35A ， di / dt的
≤
100A/s
VDD
≤
50V
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
—
—
—
—
—
—
3.0
220
1.1
V
ns
C
热阻
参数
RthJC
RthJ -PCB
RthCS
结到外壳
结至PC板
外壳到散热器
分钟。典型值。马克斯。单位
—
—
—
—
—
0.21
0.50
K / W ？
48
—
测试条件
典型的插座安装
TO ORDER
以前的数据表
IRHM7064 ， IRHM8064设备
指数
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辐射特性
抗辐射HEXFETs辐射性能
国际整流器抗辐射HEX - FET的
进行测试，以验证其硬度的能力。该硬
内斯保证方案在国际整流器
使用两个辐射环境。
每个制造批在低剂量率测试
（总剂量）每MLL -STD -750的环境中，测试
方法1019国际整流器公司征收
每注6和12伏标准电压门
V
DSS
偏压条件等于80％所述装置的
每注的额定电压7.前后的辐射
设备的限制照射到1× 10
5
拉德（SI ）
是相同的，并在表1中，列都
1 ， IRHM7064 。表1中的值将被满足的EI-
两个低剂量率测试电路，该电路的疗法
使用。
前和后的辐射性能进行测试
并使用相同的驱动器电路和测试指定
为了条件下提供直接的比较。它
应当指出的是在1×10辐射水平
5
拉德（SI ） ，在限制没有变化在DC指定的纸张
rameters 。
高剂量率测试可以在一个特殊的重新做
任务的基础上，使用的剂量率至多为1×10
12
拉德
（SI ） /秒。
国际整流器抗辐射HEXFETs
已经表征了在中子和重离子
单粒子效应（ SEE ）的环境中。单身
事件的影响表征示于表3中。
表1.低剂量率
参数
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
GSS
I
DSS
R
DS(on)1
V
SD
漏极至源极击穿电压
栅极阈值电压
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
零栅极电压漏极电流
静态漏 - 源
导通状态电阻一
二极管的正向电压
IRHM7064
分钟。
100
2.0
—
—
—
—
—
马克斯。
—
4.0
100
-100
25
0.021
3.0
IRHM8064
测试条件
分钟。
100
1.25
—
—
—
—
—
马克斯。
—
4.5
100
-100
50
0.029
3.0
V
GS
= 0V时，我
D
= 1.0毫安
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0毫安
V
GS
= 20V
nA
V
GS
= -20V
A
V
DS
= 0.8×最大额定值，V
GS
= 0V
V
GS
= 12V，我
D
= 35A
V
V
TC = 25°C ， IS = 35A ，V
GS
= 0V
100K拉德（ Si）的1000K拉德（SI ）
单位
表2高剂量率
10
11
拉德（SI ） / 10秒
12
拉德（SI ） /秒
参数
VDSS
IPP
的di / dt
L1
漏极至源极电压
分钟。典型值最大值。分钟。典型值。马克斯。
单位
测试条件
—
— 48 —
—
48
V
施加的漏极 - 源极电压
在伽马点
— 140 —
— 140 —
A
峰值辐射诱导的光电流
— 800 —
- 160 - 光电流的上升A /微秒率
0.1 —
— 0.8 —
—
H
所需的电路的电感，以限制di / dt的
表3.单粒子效应
参数
BV DSS
典型值。
60
单位
V
离子
Ni
LET （SI ）
（兆电子伏/毫克/平方厘米
2
)
28
注量
（离子数/厘米
2
)
1 x 10
5
范围
(m)
~41
V
DS
BIAS
(V)
60
V
GS
BIAS
(V)
-5
TO ORDER
以前的数据表
IRHM7064 ， IRHM8064设备
重复评价;脉冲宽度有限的
最高结温。
请参阅当前HEXFET可靠性报告。
@ VDD = 25V ，启动T J = 25°C ，
EAS = 0.5 * L * （我
L2
） * [ BV DSS / （ BV DSS - VDD ） ]
峰的IL = 35A ， VGS = 12V时， 25
≤
RG
≤
200
ISD
≤
35A ， di / dt的
≤
170 A / μs的，
VDD
≤
BV DSS ， TJ
≤
150°C
建议RG = 2.35Ω
脉冲宽度
≤
300
s;
占空比
≤
2%
K / W = ° C / W
W / K = W / ℃，
指数
下一页数据表
辐射特性
总剂量辐照VGS偏置。
+12伏VGS时应用， VDS = 0
每MIL -STD- 750的照射，方法1019 。
总剂量辐照VDS偏置。
VDS = 0.8额定的BVDSS （预辐射）
每次照射过程中的应用和V GS = 0
MLL - STD- 750方法1019 。
使用闪光X射线进行该测试
源中的电子束模式运行（能源
2.5兆电子伏） ， 30纳秒的脉冲。
方法，其特征由独立的实验室。
所有预辐射后辐射测试
条件
相同
方便直接
对于比较电路应用。
案例外形和尺寸 - TO- 254AA
3
2
1
符合JEDEC的外形TO - 254AA
图例：
1 - 排水
2 - 源
3 - GATE
注意事项：
1.尺寸和公差PER
ANSI Y14.5M - 1982
2.所有尺寸为毫米（英寸）所示。
3. Leadform可在任一方向。
对于外形TO- 254可选leadforms
小心
铍警告每MIL -PRF- 19500
含铍套餐不得地面，喷砂，马
chined ，或者对他们进行其他操作，将亲
领袖氧化铍或铍的灰尘。此外，铍氧化物地封装
年龄不得放置在酸，将产生含油烟
铍。
全球总部：
233堪萨斯街El Segundo的加州90245 ，电话： （ 310 ） 322 3331
欧洲总部：
赫斯特绿色， Oxted ，萨里RH8 9BB ，英国电话： + 44 1883 732020
IR加拿大：
7321维多利亚公园大道，套房201 ，安大略省马克姆L3R 2Z8 ，电话： （ 905 ） 475 1897
IR德国：
Saalburgstrasse 157 ， 61350巴特洪堡电话： + 49 6172 96590
IR意大利：
通过利古里亚49 ， 10071保尔格罗，都灵电话： + 39 11 451 0111
IR FAR EAST ：
。 K&H大厦2楼， 3-30-4西Ikeburo 3丁目，丰岛奇，日本东京171号电话： 81 3 3983 0086
IR东南亚：
315欧南路， ＃ 10-02檀文LIAT大厦，新加坡0316电话： 65 221 8371
http://www.irf.com/
数据和规格如有变更，恕不另行通知。
10/96
TO ORDER
QQ：2881677436 复制
