PD - 91862D
抗辐射
功率MOSFET
直通孔（ TO- 254AA ）
产品概述
产品编号辐射水平
IRHM57260
100K拉德（SI ）
IRHM53260
IRHM54260
IRHM58260
300K拉德（SI ）
600K拉德（SI ）
1000K拉德（SI ）
R
DS （ ON）
0.049
0.049
0.049
0.050
I
D
35A*
35A*
35A*
35A*
IRHM57260
200V N沟道
4
#
技术
c
TO-254AA
国际整流器公司R5
TM
技术提供
高性能功率MOSFET，用于空间应用程序
阳离子。这些装置已被表征为
单粒子效应（ SEE）用业绩
高达80 （兆电子伏/ （毫克/平方厘米的LET
2
））。组合
低
RDS （ ON）
和低门电荷降低功耗
在开关应用中，例如DC到DC损失
转换器和电机控制。这些设备保留
所有已确立的MOSFET的优点
例如电压控制，快速开关，便于paral-的
电参的乐陵和温度稳定性
ETERS 。
产品特点：
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
硬化单粒子效应（ SEE ）
中子宽容
相同的预处理和后电气试验条件
重复雪崩额定值
动态dv / dt的额定值
简单的驱动要求
易于并联的
Hermatically密封
Electically隔离
陶瓷鸡眼
重量轻
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = 12V ， TC = 25°C
ID @ VGS = 12V ， TC = 100℃
IDM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv / dt的
TJ
T英镑
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度
重量
*当前是通过内部导线直径的限制
对于脚注参考最后一页
35*
32
140
250
2.0
±20
500
35
25
10
-55到150
预辐照
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
o
C
300 （ 0.063英寸/1.6毫米的情况下， 10秒）
9.3 （典型值）
g
www.irf.com
1
01/30/03
IRHM57260
预辐照
电气特性
@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）
参数
BVDSS
漏极至源极击穿电压
ΔBV
细数DSS / ΔT 温度系数
电压
RDS （ ON）
静态漏 - 源极导通状态
阻力
VGS （ TH）
栅极阈值电压
克FS
正向跨导
IDSS
零栅极电压漏极电流
民
200
—
—
2.0
40
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值最大值单位
—
0.26
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
6.8
—
—
0.049
4.0
—
10
25
100
-100
155
45
75
35
125
80
50
—
V
V /°C的
V
S( )
A
测试条件
VGS = 0V ，ID = 1.0毫安
参考至25℃ ， n = 1.0毫安
VGS = 12V ，ID = 32A
VDS = VGS ， I D = 1.0毫安
VDS > 15V ， IDS = 32A
VDS = 160V ， VGS = 0V
VDS = 160V ，
VGS = 0V ， TJ = 125°C
VGS = 20V
VGS = -20V
VGS = 12V ，ID = 35A
VDS = 100V
VDD = 100V ， ID = 35A
VGS = 12V时， RG = 2.35Ω
IGSS
IGSS
Qg
Q GS
Q GD
td
（上）
tr
td
（关闭）
tf
LS + LD
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总电感
nA
nC
ns
nH
从测得的漏极引线（6毫米/0.25in 。
从包）至源极引脚（6毫米/0.25in 。
从包中）与源内部的电线
从源引脚结合到漏极焊盘
西塞
科斯
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
—
—
—
7580
920
60
—
—
—
pF
VGS = 0V ， VDS = 25V
F = 1.0MHz的
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
ISM
VSD
TRR
Q RR
吨
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
最小典型最大单位
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
35*
140
1.2
450
6.0
测试条件
A
V
ns
C
T
j
= 25 ℃， IS = 35A ，V GS = 0V
TJ = 25°C ， IF = 35A ， di / dt的
≥
100A/s
VDD
≤
25V
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
*当前是通过内部导线直径的限制
热阻
参数
RthJC
RthCS
RthJA
结到外壳
外壳到散热器
结到环境
最小典型最大单位
—
—
—
— 0.50
0.21 —
—
48
° C / W
测试条件
典型的插座安装
注：对应的香料和军刀车型可在G&S网站。
对于脚注参考最后一页
2
www.irf.com
辐射特性
预辐照
IRHM57260
国际整流器抗辐射的MOSFET进行测试，以验证其抗辐射能力。
在国际整流器硬度保证计划包括两个辐射环境中。
每一个生产批次的总电离剂量测试（每个音符5和6）采用TO- 3封装。两
前和辐照后的性能进行了测试和指定的使用相同的驱动器电路和测试
为了条件下提供直接的比较。
表1.电气特性@ TJ = 25 ° C，邮政总剂量辐射
参数
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
V
SD
漏极至源极击穿电压
栅极阈值电压
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
零栅极电压漏极电流
静态漏 - 源
通态电阻（ TO- 3 ）
静态漏 - 源
通态电阻（ TO- 254 ）
二极管的正向电压
高达600K拉德（SI ）
1
1000K拉德（SI ）
2
单位
民
最大
民
最大
200
2.0
—
—
—
—
—
—
—
4.0
100
-100
10
0.044
0.049
1.2
200
1.25
—
—
—
—
—
—
—
4.0
100
-100
25
0.045
0.050
1.2
V
nA
A
V
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 1.0毫安
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0毫安
V
GS
= 20V
V
GS
= -20 V
V
DS
= 160V, V
GS
=0V
V
GS
= 12V，我
D
=32A
V
GS
= 12V，我
D
=32A
V
GS
= 0V ， IS = 35A
1.部件号IRHM57260 ， IRHM53260和IRHM54260
2.产品编号IRHM58260
国际整流器抗辐射的MOSFET已被鉴定为重离子环境
单粒子效应（ SEE ） 。单粒子效应特性示于图。一及表二。
表2.单粒子效应安全工作区
离子
Br
I
Au
LET
兆电子伏/ （毫克/平方厘米
2
)
36.7
59.8
82.3
能源
（兆电子伏）
309
341
350
V
DS
(V)
范围
(m)
@V
GS
=0V @V
GS
=-5V @V
GS
=-10V @V
GS
=-15V @V
GS
=-20V
39.5
200
200
150
100
50
32.5
200
100
40
35
30
28.4
50
35
25
—
—
250
200
150
100
50
0
0
-5
-10
VGS
-15
-20
Br
I
Au
所示的。
单粒子效应，安全工作区
对于脚注参考最后一页
www.irf.com
VDS
3
PD - 91862D
抗辐射
功率MOSFET
直通孔（ TO- 254AA ）
产品概述
产品编号辐射水平
IRHM57260
100K拉德（SI ）
IRHM53260
IRHM54260
IRHM58260
300K拉德（SI ）
600K拉德（SI ）
1000K拉德（SI ）
R
DS （ ON）
0.049
0.049
0.049
0.050
I
D
35A*
35A*
35A*
35A*
IRHM57260
200V N沟道
4
#
技术
c
TO-254AA
国际整流器公司R5
TM
技术提供
高性能功率MOSFET，用于空间应用程序
阳离子。这些装置已被表征为
单粒子效应（ SEE）用业绩
高达80 （兆电子伏/ （毫克/平方厘米的LET
2
））。组合
低
RDS （ ON）
和低门电荷降低功耗
在开关应用中，例如DC到DC损失
转换器和电机控制。这些设备保留
所有已确立的MOSFET的优点
例如电压控制，快速开关，便于paral-的
电参的乐陵和温度稳定性
ETERS 。
产品特点：
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
硬化单粒子效应（ SEE ）
中子宽容
相同的预处理和后电气试验条件
重复雪崩额定值
动态dv / dt的额定值
简单的驱动要求
易于并联的
Hermatically密封
Electically隔离
陶瓷鸡眼
重量轻
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = 12V ， TC = 25°C
ID @ VGS = 12V ， TC = 100℃
IDM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv / dt的
TJ
T英镑
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度
重量
*当前是通过内部导线直径的限制
对于脚注参考最后一页
35*
32
140
250
2.0
±20
500
35
25
10
-55到150
预辐照
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
o
C
300 （ 0.063英寸/1.6毫米的情况下， 10秒）
9.3 （典型值）
g
www.irf.com
1
01/30/03
IRHM57260
预辐照
电气特性
@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）
参数
BVDSS
漏极至源极击穿电压
ΔBV
细数DSS / ΔT 温度系数
电压
RDS （ ON）
静态漏 - 源极导通状态
阻力
VGS （ TH）
栅极阈值电压
克FS
正向跨导
IDSS
零栅极电压漏极电流
民
200
—
—
2.0
40
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值最大值单位
—
0.26
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
6.8
—
—
0.049
4.0
—
10
25
100
-100
155
45
75
35
125
80
50
—
V
V /°C的
V
S( )
A
测试条件
VGS = 0V ，ID = 1.0毫安
参考至25℃ ， n = 1.0毫安
VGS = 12V ，ID = 32A
VDS = VGS ， I D = 1.0毫安
VDS > 15V ， IDS = 32A
VDS = 160V ， VGS = 0V
VDS = 160V ，
VGS = 0V ， TJ = 125°C
VGS = 20V
VGS = -20V
VGS = 12V ，ID = 35A
VDS = 100V
VDD = 100V ， ID = 35A
VGS = 12V时， RG = 2.35Ω
IGSS
IGSS
Qg
Q GS
Q GD
td
（上）
tr
td
（关闭）
tf
LS + LD
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总电感
nA
nC
ns
nH
从测得的漏极引线（6毫米/0.25in 。
从包）至源极引脚（6毫米/0.25in 。
从包中）与源内部的电线
从源引脚结合到漏极焊盘
西塞
科斯
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
—
—
—
7580
920
60
—
—
—
pF
VGS = 0V ， VDS = 25V
F = 1.0MHz的
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
ISM
VSD
TRR
Q RR
吨
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
最小典型最大单位
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
35*
140
1.2
450
6.0
测试条件
A
V
ns
C
T
j
= 25 ℃， IS = 35A ，V GS = 0V
TJ = 25°C ， IF = 35A ， di / dt的
≥
100A/s
VDD
≤
25V
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
*当前是通过内部导线直径的限制
热阻
参数
RthJC
RthCS
RthJA
结到外壳
外壳到散热器
结到环境
最小典型最大单位
—
—
—
— 0.50
0.21 —
—
48
° C / W
测试条件
典型的插座安装
注：对应的香料和军刀车型可在G&S网站。
对于脚注参考最后一页
2
www.irf.com
辐射特性
预辐照
IRHM57260
国际整流器抗辐射的MOSFET进行测试，以验证其抗辐射能力。
在国际整流器硬度保证计划包括两个辐射环境中。
每一个生产批次的总电离剂量测试（每个音符5和6）采用TO- 3封装。两
前和辐照后的性能进行了测试和指定的使用相同的驱动器电路和测试
为了条件下提供直接的比较。
表1.电气特性@ TJ = 25 ° C，邮政总剂量辐射
参数
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
V
SD
漏极至源极击穿电压
栅极阈值电压
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
零栅极电压漏极电流
静态漏 - 源
通态电阻（ TO- 3 ）
静态漏 - 源
通态电阻（ TO- 254 ）
二极管的正向电压
高达600K拉德（SI ）
1
1000K拉德（SI ）
2
单位
民
最大
民
最大
200
2.0
—
—
—
—
—
—
—
4.0
100
-100
10
0.044
0.049
1.2
200
1.25
—
—
—
—
—
—
—
4.0
100
-100
25
0.045
0.050
1.2
V
nA
A
V
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 1.0毫安
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0毫安
V
GS
= 20V
V
GS
= -20 V
V
DS
= 160V, V
GS
=0V
V
GS
= 12V，我
D
=32A
V
GS
= 12V，我
D
=32A
V
GS
= 0V ， IS = 35A
1.部件号IRHM57260 ， IRHM53260和IRHM54260
2.产品编号IRHM58260
国际整流器抗辐射的MOSFET已被鉴定为重离子环境
单粒子效应（ SEE ） 。单粒子效应特性示于图。一及表二。
表2.单粒子效应安全工作区
离子
Br
I
Au
LET
兆电子伏/ （毫克/平方厘米
2
)
36.7
59.8
82.3
能源
（兆电子伏）
309
341
350
V
DS
(V)
范围
(m)
@V
GS
=0V @V
GS
=-5V @V
GS
=-10V @V
GS
=-15V @V
GS
=-20V
39.5
200
200
150
100
50
32.5
200
100
40
35
30
28.4
50
35
25
—
—
250
200
150
100
50
0
0
-5
-10
VGS
-15
-20
Br
I
Au
所示的。
单粒子效应，安全工作区
对于脚注参考最后一页
www.irf.com
VDS
3
QQ：2881677436 复制
