PD - 91331C
抗辐射
功率MOSFET
直通孔（ T0-254AA ）
产品概述
产品编号辐射水平
IRHM7160
100K拉德（SI ）
IRHM3160
300K拉德（SI ）
IRHM4160
600K拉德（SI ）
IRHM8160
1000K拉德（SI ）
R
DS （ ON）
0.045
0.045
0.045
0.045
REF ： MIL -PRF-六百六十三分之一万九千五百
RAD硬HEXFET
技术
IRHM7160
JANSR2N7432
100V N沟道
I
D
QPL型号
35 *一个JANSR2N7432
35 *一个JANSF2N7432
35 *一个JANSG2N7432
35 *一个JANSH2N7432
TO-254AA
国际整流器公司？的RADHard HEXFET
技
术提供高性能功率MOSFET的
空间应用。该技术拥有超过一去
经过验证的性能和可靠性的卫星凯德
应用程序。这些装置已经character-
美化版为总剂量和单粒子效应（ SEE ） 。
低导通电阻和低栅极电荷的结合
减少了功率损耗的开关应用
例如DC到DC转换器和电动机控制。这些
设备保留所有已确立的优势
MOSFET的诸如电压控制的，快速的切换，
方便的elec-并联和温度稳定性
Trical公司的参数。
产品特点：
!
!
!
!
!
!
!
!
!
硬化单粒子效应（ SEE ）
低R
DS （ ON）
低总栅极电荷
腾宽容
简单的驱动要求
易于并联的
密封式
陶瓷封装
重量轻
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = 12V ， TC = 25°C连续漏电流
ID @ VGS = 12V ， TC = 100 ℃的连续漏电流
IDM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv / dt的
TJ
TSTG
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度
重量
*当前受销直径
对于脚注参考最后一页
35*
35*
201
250
2.0
±20
500
35
25
7.3
-55到150
预辐照
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
o
C
300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）从案例10秒）
9.3 （典型值）
g
www.irf.com
1
8/14/01
IRHM7160
预辐照
@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）
民
100
2.0
16
电气特性
参数
典型值最大值单位
0.107
6.8
0.045
4.0
25
250
100
-100
310
53
110
35
150
150
130
V
V /°C的
V
S( )
A
测试条件
VGS = 0V ，ID = 1.0毫安
参考至25℃ ， n = 1.0毫安
VGS = 12V ，ID = 35A
VDS = VGS ，ID = 1.0毫安
VDS > 15V ， IDS = 35A
VDS = 80V ， VGS = 0V
VDS = 80V ，
VGS = 0V ， TJ = 125°C
VGS = 20V
VGS = -20V
VGS = 12V ，ID = 35A
VDS = 50V
VDD = 50V ， ID = 35A
VGS = 12V时， RG = 2.35Ω
BVDSS
漏极至源极击穿电压
ΔBV
细数DSS / ΔT 温度系数
电压
RDS （ ON）
静态漏 - 源极导通状态
阻力
VGS （ TH）
栅极阈值电压
克FS
正向跨导
IDSS
零栅极电压漏极电流
IGSS
IGSS
Qg
Q GS
QGD
td
（上）
tr
td
（关闭）
tf
LS + LD
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总电感
nA
nC
ns
nH
从测得的漏极引线（6毫米/0.25in 。
从包）至源极引脚（6毫米/0.25in 。
从包中）与源极布线
国内
从源引脚结合到漏极焊盘
西塞
科斯
CRSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
5300
1600
350
pF
VGS = 0V ， VDS = 25V
F = 1.0MHz的
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
ISM
VSD
吨RR
Q RR
吨
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
最小典型最大单位
35*
140
1.8
520
6.1
测试条件
A
V
nS
C
T
j
= 25 ℃， IS = 35A ，V GS = 0V
TJ = 25°C ， IF = 35A ， di / dt的
≤
100A/s
VDD
≤
50V
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
*当前受销直径
热阻
参数
thJC
RthJA
RthCS
结到外壳
结到环境
外壳到散热器
最小典型最大单位
0.50
48
0.21
° C / W
测试条件
典型的插座安装
注：对应的香料和军刀车型可在G&S网站。
对于脚注参考最后一页
2
www.irf.com
辐射特性
预辐照
IRHM7160
国际整流器抗辐射的MOSFET进行测试，以验证其抗辐射能力。
在国际整流器硬度保证计划包括两个辐射环境中。
每一个生产批次的总电离剂量测试（每个音符5和6）采用TO- 3封装。两
前和辐照后的性能进行了测试和指定的使用相同的驱动器电路和测试
为了条件下提供直接的比较。
表1.电气特性@ TJ = 25 ° C，邮政总剂量辐射
参数
民
100千拉德（SI ）
最大
4.0
100
-100
25
0.045
0.045
1.8
300 - 1000K拉德（SI ）
民
最大
单位
单位
V
nA
A
V
测试条件
BV
DSS
V
/5 JD
I
GSS
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
V
SD
漏极至源极击穿电压
栅极阈值电压
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
零栅极电压漏极电流
静态漏到Source"
通态电阻（ TO- 3 ）
静态漏到Source"
通态电阻（ TO- 254AA ）
二极管正向Voltage"
100
2.0
100
1.25
4.5
100
-100
25
0.062
0.062
1.8
V
GS
= 0V时，我
D
= 1.0毫安
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0毫安
V
GS
= 20V
V
GS
= -20 V
V
DS
=80V, V
GS
=0V
V
GS
= 12V，我
D
=35A
V
GS
= 12V，我
D
=35A
V
GS
= 0V ， IS = 35A
1.部件号IRHM7160 （ JANSR2N7432 ）
2.产品编号IRHM3160 ， IRHM4160和IRH8160 （ JANSF2N7432 ， JANSG2N7432和JANSH2N7432 ）
国际整流器抗辐射的MOSFET已被鉴定为重离子环境
单粒子效应（ SEE ） 。单粒子效应特性示于图。一及表二。
表2.单粒子效应安全工作区
离子
Cu
Br
能源
LET
兆电子伏/ （毫克/平方厘米） ）
（兆电子伏）
28
285
36.8
305
范围
43
39
m)
100
100
V
DS （ V）
@
V
GS
=0V @
V
GS
=-5V@
V
GS
=-10V@
V
GS
=-15V@
V
GS
=-20V
100
90
100
70
80
50
60
120
100
80
VDS
60
40
20
0
0
-5
-10
VGS
-15
-20
-25
Cu
Br
所示的。单粒子效应，安全工作区
对于脚注参考最后一页
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PD - 91331C
抗辐射
功率MOSFET
直通孔（ T0-254AA ）
产品概述
产品编号辐射水平
IRHM7160
100K拉德（SI ）
IRHM3160
300K拉德（SI ）
IRHM4160
600K拉德（SI ）
IRHM8160
1000K拉德（SI ）
R
DS （ ON）
0.045
0.045
0.045
0.045
REF ： MIL -PRF-六百六十三分之一万九千五百
RAD硬HEXFET
技术
IRHM7160
JANSR2N7432
100V N沟道
I
D
QPL型号
35 *一个JANSR2N7432
35 *一个JANSF2N7432
35 *一个JANSG2N7432
35 *一个JANSH2N7432
TO-254AA
国际整流器公司？的RADHard HEXFET
技
术提供高性能功率MOSFET的
空间应用。该技术拥有超过一去
经过验证的性能和可靠性的卫星凯德
应用程序。这些装置已经character-
美化版为总剂量和单粒子效应（ SEE ） 。
低导通电阻和低栅极电荷的结合
减少了功率损耗的开关应用
例如DC到DC转换器和电动机控制。这些
设备保留所有已确立的优势
MOSFET的诸如电压控制的，快速的切换，
方便的elec-并联和温度稳定性
Trical公司的参数。
产品特点：
!
!
!
!
!
!
!
!
!
硬化单粒子效应（ SEE ）
低R
DS （ ON）
低总栅极电荷
腾宽容
简单的驱动要求
易于并联的
密封式
陶瓷封装
重量轻
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = 12V ， TC = 25°C连续漏电流
ID @ VGS = 12V ， TC = 100 ℃的连续漏电流
IDM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv / dt的
TJ
TSTG
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度
重量
*当前受销直径
对于脚注参考最后一页
35*
35*
201
250
2.0
±20
500
35
25
7.3
-55到150
预辐照
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
o
C
300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）从案例10秒）
9.3 （典型值）
g
www.irf.com
1
8/14/01
IRHM7160
预辐照
@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）
民
100
2.0
16
电气特性
参数
典型值最大值单位
0.107
6.8
0.045
4.0
25
250
100
-100
310
53
110
35
150
150
130
V
V /°C的
V
S( )
A
测试条件
VGS = 0V ，ID = 1.0毫安
参考至25℃ ， n = 1.0毫安
VGS = 12V ，ID = 35A
VDS = VGS ，ID = 1.0毫安
VDS > 15V ， IDS = 35A
VDS = 80V ， VGS = 0V
VDS = 80V ，
VGS = 0V ， TJ = 125°C
VGS = 20V
VGS = -20V
VGS = 12V ，ID = 35A
VDS = 50V
VDD = 50V ， ID = 35A
VGS = 12V时， RG = 2.35Ω
BVDSS
漏极至源极击穿电压
ΔBV
细数DSS / ΔT 温度系数
电压
RDS （ ON）
静态漏 - 源极导通状态
阻力
VGS （ TH）
栅极阈值电压
克FS
正向跨导
IDSS
零栅极电压漏极电流
IGSS
IGSS
Qg
Q GS
QGD
td
（上）
tr
td
（关闭）
tf
LS + LD
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总电感
nA
nC
ns
nH
从测得的漏极引线（6毫米/0.25in 。
从包）至源极引脚（6毫米/0.25in 。
从包中）与源极布线
国内
从源引脚结合到漏极焊盘
西塞
科斯
CRSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
5300
1600
350
pF
VGS = 0V ， VDS = 25V
F = 1.0MHz的
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
ISM
VSD
吨RR
Q RR
吨
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
最小典型最大单位
35*
140
1.8
520
6.1
测试条件
A
V
nS
C
T
j
= 25 ℃， IS = 35A ，V GS = 0V
TJ = 25°C ， IF = 35A ， di / dt的
≤
100A/s
VDD
≤
50V
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
*当前受销直径
热阻
参数
thJC
RthJA
RthCS
结到外壳
结到环境
外壳到散热器
最小典型最大单位
0.50
48
0.21
° C / W
测试条件
典型的插座安装
注：对应的香料和军刀车型可在G&S网站。
对于脚注参考最后一页
2
www.irf.com
辐射特性
预辐照
IRHM7160
国际整流器抗辐射的MOSFET进行测试，以验证其抗辐射能力。
在国际整流器硬度保证计划包括两个辐射环境中。
每一个生产批次的总电离剂量测试（每个音符5和6）采用TO- 3封装。两
前和辐照后的性能进行了测试和指定的使用相同的驱动器电路和测试
为了条件下提供直接的比较。
表1.电气特性@ TJ = 25 ° C，邮政总剂量辐射
参数
民
100千拉德（SI ）
最大
4.0
100
-100
25
0.045
0.045
1.8
300 - 1000K拉德（SI ）
民
最大
单位
单位
V
nA
A
V
测试条件
BV
DSS
V
/5 JD
I
GSS
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
V
SD
漏极至源极击穿电压
栅极阈值电压
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
零栅极电压漏极电流
静态漏到Source"
通态电阻（ TO- 3 ）
静态漏到Source"
通态电阻（ TO- 254AA ）
二极管正向Voltage"
100
2.0
100
1.25
4.5
100
-100
25
0.062
0.062
1.8
V
GS
= 0V时，我
D
= 1.0毫安
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0毫安
V
GS
= 20V
V
GS
= -20 V
V
DS
=80V, V
GS
=0V
V
GS
= 12V，我
D
=35A
V
GS
= 12V，我
D
=35A
V
GS
= 0V ， IS = 35A
1.部件号IRHM7160 （ JANSR2N7432 ）
2.产品编号IRHM3160 ， IRHM4160和IRH8160 （ JANSF2N7432 ， JANSG2N7432和JANSH2N7432 ）
国际整流器抗辐射的MOSFET已被鉴定为重离子环境
单粒子效应（ SEE ） 。单粒子效应特性示于图。一及表二。
表2.单粒子效应安全工作区
离子
Cu
Br
能源
LET
兆电子伏/ （毫克/平方厘米） ）
（兆电子伏）
28
285
36.8
305
范围
43
39
m)
100
100
V
DS （ V）
@
V
GS
=0V @
V
GS
=-5V@
V
GS
=-10V@
V
GS
=-15V@
V
GS
=-20V
100
90
100
70
80
50
60
120
100
80
VDS
60
40
20
0
0
-5
-10
VGS
-15
-20
-25
Cu
Br
所示的。单粒子效应，安全工作区
对于脚注参考最后一页
www.irf.com
3
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