以前的数据表
指数
下一页数据表
临时数据表号PD 9.1390
重复性雪崩和dv / dt评分
IRH7450SE
N沟道
HEXFET
晶体管
500伏， 0.51Ω ， （ SEE）抗辐射HEXFET
国际整流器公司（ SEE ）抗辐射技术
HEXFETs展示虚拟免疫力，看故障 -
URE 。另外，在
相同
预处理和后处理的辐射
化试验条件下，国际整流器公司的抗辐射
HEXFETs保留
相同
电气规格最高
到1×10
5
拉德（ Si）的总剂量。在无补偿
栅极驱动电路是必需的。这些装置也
能够幸存的瞬态脉冲电离高的
为1× 10
12
拉德（SI ） /秒，并返回到正常操作
灰在几微秒内。由于（ SEE ）亲
塞斯采用国际整流器公司专利的HEXFET
技术，用户可以期望的最高质量和
可靠性的行业。
抗辐射HEXFET晶体管还具有所有
行之有效的MOSFET的优点，例如
作为电压控制，非常快速的切换，方便paral-的
电的PA的乐陵和温度稳定性
rameters 。
它们非常适合用于诸如开关
荷兰国际集团的电源，电机控制，逆变器，斩波器
个人，音频放大器和高能量脉冲电路
在空间和武器的环境。
单粒子效应（ SEE）抗辐射
产品概述
产品型号
IRH7450SE
BV
DSS
500V
R
DS （ ON）
0.51
I
D
11A
产品特点：
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
抗辐射可达1 ×10
5
拉德（SI ）
单粒子烧毁（ SEB ）硬化
单粒子栅穿（ SEGR ）硬化
伽玛点（闪光X射线）硬化
中子宽容
相同的预处理和后电气试验条件
重复雪崩额定值
动态的dv / dt额定值
简单的驱动要求
易于并联的
密封式
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = 12V ， TC = 25°C连续漏电流
ID @ VGS = 12V ， TC = 100 ℃的连续漏电流
IDM
漏电流脉冲
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
我AR
EAR
dv / dt的
TJ
TSTG
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度
重量
预辐射
IRH7450SE
11
7.0
44
150
1.2
±20
500
11
15
3.5
-55到150
300（ 0.0063英寸（ 1.6毫米）从壳体10秒。 ）
11.5 （典型值）
单位
A
W
W / K
V
mJ
A
mJ
V / ns的
o
C
g
TO ORDER
以前的数据表
IRH7450SE设备
指数
下一页数据表
预辐射
电气特性
@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）
参数
BVDSS
漏极至源极击穿电压
ΔBV
细数DSS / ΔTJ温度系数
电压
RDS （ ON）
静态漏 - 源
导通状态电阻
VGS （ TH）
栅极阈值电压
政府飞行服务队
正向跨导
IDSS
零栅极电压漏极电流
分钟。
500
—
—
—
2.5
3
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
TYP 。 MAX 。单位
—
0.6
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
8.7
—
—
0.51
0.57
4.5
—
50
250
100
-100
180
45
105
45
190
190
130
—
V
V /°C的
V
S( )
A
nA
nC
测试条件
VGS = 0V ，ID = 1.0毫安
参考至25℃ ， n = 1.0毫安
VGS = 12V ，ID = 7.0A
VGS = 12V ，ID = 11A
VDS = VGS ，ID = 1.0毫安
VDS > 15V ， I DS = 7.0A
VDS = 0.8×最大额定值， VGS = 0V
VDS = 0.8×最高评级
VGS = 0V ， TJ = 125°C
VGS = 20V
VGS = -20V
VGS = 12V ，ID = 11A
VDS =最大。评分×0.5
VDD = 250V ， ID = 11A ，
RG = 2.35Ω
IGSS
IGSS
Qg
QGS
QGD
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
LD
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
ns
LS
内部源极电感
—
8.7
—
nH
测量从
修改MOSFET
漏极引线的6mm （ 0.25
符号显示的
英寸）从包
内部电感。
中心模具。
测量从
来源铅的6mm
（0.25 ）从包
到源焊盘。
西塞
科斯
CRSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
—
—
—
4000
330
52
—
—
—
pF
VGS = 0V ， VDS = 25V
F = 1.0 MHz的
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
我SM
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
分钟。典型值。马克斯。单位
—
—
—
—
11
44
测试条件
示出了修改后的MOSFET符号
积分反向p-n结整流器。
A
VSD
吨RR
Q RR
T ON
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
T
j
= 25 ℃， IS = 11A ，V GS = 0V
TJ = 25 ° C， IF = 11 A， di / dt的
≤
100A/s
VDD
≤
50V
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
—
—
—
—
—
—
1.6
1100
16
V
ns
C
热阻
参数
RthJC
RthJA
RthCS
结到外壳
结到环境
外壳到散热器
分钟。典型值。马克斯。单位
—
—
—
— 0.83
—
30
0.12 —
K / W
测试条件
典型的插座安装
TO ORDER
以前的数据表
IRH7450SE设备
指数
下一页数据表
辐射特性
抗辐射HEXFETs辐射性能
国际整流器抗辐射将十六进制
场效应管进行测试，以验证其硬度的能力。
在国际硬度保证计划
整流器采用两个辐射环境。
每个制造批在低剂量率测试
（总剂量）每MLL -STD -750的环境中，测试
方法1019国际整流器公司征收
每注6和12伏标准电压门
V
DSS
偏压条件等于80％所述装置的
每注的额定电压7.前后的辐射
设备的限制照射到1× 10
5
拉德（SI ）
是相同的，并且在表1中的谷值呈现
在表1中的UE将在满足任一的两个低
剂量所使用的速率的测试电路。前和
后的辐射性能进行测试并指定
使用相同的驱动器电路和测试条件
命令提供一个直接的比较。它应该是
注意，以1× 10辐射水平
5
拉德（SI ） ，
在限制没有变化在DC参数中指定。
高剂量率测试可以在一个特殊的做
请求的基础上，使用的剂量率高达1 ×10
12
拉德
（SI ） /秒。
国际整流器抗辐射HEXFETs
已经表征了在中子和重离子
单粒子效应（ SEE ）的环境中。单身
事件的影响表征示于表3中。
表1.低剂量率
参数
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
GSS
I
DSS
R
DS(on)1
V
SD
IRH7450SE
100K拉德（SI ）
单位
马克斯。
—
4.5
100
-100
50
0.51
1.6
V
nA
A
V
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 1.0毫安
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0毫安
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
V
DS
= 0.8×最大额定值，V
GS
= 0V
V
GS
= 12V，我
D
=7A
TC = 25°C ， IS = 11A ，V
GS
= 0V
分钟。
漏极至源极击穿电压
栅极阈值电压
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
零栅极电压漏极电流
静态漏 - 源
导通状态电阻一
二极管的正向电压
500
2.5
—
—
—
—
—
表2高剂量率
参数
VDSS
IPP
的di / dt
L1
10
11
拉德（SI ） / 10秒
12
拉德（SI ） /秒
漏极至源极电压
分钟。典型值最大值。分钟。典型值。马克斯。
单位
测试条件
—
— 400 —
—
400
V
施加的漏极 - 源极电压
在伽马点
—
8
—
—
8
—
A
峰值辐射诱导的光电流
—
— 15 —
—
3 A /微秒光电流的上升率
27
—
— 133 —
—
H
所需的电路的电感，以限制di / dt的
表3.单粒子效应
参数
BV DSS
典型值。
500
单位
V
离子
Ni
LET （SI ）
（兆电子伏/毫克/平方厘米
2
)
28
注量
（离子数/厘米
2
)
1 x 10
5
范围
(m)
~35
V
DS
BIAS
(V)
400
V
GS
BIAS
(V)
-5
TO ORDER
以前的数据表
IRH7450SE设备
重复评价;脉冲宽度有限的
最高结温。
请参阅当前HEXFET可靠性报告。
@ VDD = 50V ，启动T J = 25°C ，
EAS = 0.5 * L * （我
L2
）* [ BVDSS / （ BVDSS - VDD） ]
峰的IL = 11A， VGS = 12V时， 25
≤
RG
≤
200
ISD
≤
如图11A所示， di / dt的
≤
130 A / μs的，
VDD
≤
BV DSS ， T J
≤
150°C
建议RG = 2.35Ω
脉冲宽度
≤
300
s;
占空比
≤
2%
K / W = ° C / W
W / K = W / ℃，
指数
下一页数据表
辐射特性
总剂量辐照VGS偏置。
12伏VGS应用并在VDS = 0
每MIL -STD- 750的照射，方法1019 。
总剂量辐照VDS偏置。
VDS = 0.8额定的BVDSS （预辐射）
每次照射过程中的应用和V GS = 0
MLL - STD- 750方法1019 。
使用闪光X射线进行该测试
源中的电子束模式运行（能源
2.5兆电子伏） ， 30纳秒的脉冲。
方法，其特征由独立的实验室。
所有预辐射后辐射测试
条件
相同
方便直接
对于比较电路应用。
案例外形和尺寸 - TO- 204AA （修改为- 3 ）
尺寸以毫米（英寸）
全球总部：
233堪萨斯街El Segundo的加州90245 ，电话： （ 310 ） 322 3331
欧洲总部：
赫斯特绿色， Oxted ，萨里RH8 9BB ，英国电话： + 44 1883 732020
IR加拿大：
7321维多利亚公园大道，套房201 ，安大略省马克姆L3R 2Z8 ，电话： （ 905 ） 475 1897
IR德国：
Saalburgstrasse 157 ， 61350巴特洪堡电话： + 49 6172 96590
IR意大利：
通过利古里亚49 ， 10071保尔格罗，都灵电话： + 39 11 451 0111
IR FAR EAST ：
171 （ K&H大厦） ， 30-4西池袋3丁目，丰岛区，日本东京电话： 81 3 3983 0086
IR东南亚：
315欧南路， ＃ 10-02檀文LIAT大厦，新加坡0316电话： 65 221 8371
http://www.irf.com/
数据和规格如有变更，恕不另行通知。
4/96
TO ORDER
QQ：2880707522 复制
