【PD - 95616A具有绝缘栅双极型晶体管超快软恢复二极管特点低VCE （ ON）的非穿通IGBT】,IC型号IRGSL4B60KD1PBF,IRGSL4B60KD1PBF PDF资料,IRGSL4B60KD1PBF经销商,ic,电子元器件-51电子网

PD - 95616A

具有绝缘栅双极型晶体管

超快软恢复二极管

特点

低VCE （ ON）的非穿通IGBT技术。

为10μs短路能力。

广场RBSOA 。

积极的VCE（on ）温度系数。

最高结温额定值为175 ℃。

无铅

G

IRGB4B60KD1PbF

IRGS4B60KD1PbF

IRGSL4B60KD1PbF

C

V

CES

= 600V

I

C

= 7.6A ，T

C

=100°C

t

sc

>为10μs ，T

J

=150°C

E

N沟道

V

CE （ON）的

（典型值）。 = 2.1V

好处

基准效率的电机控制。

坚固的瞬态性能。

低EMI。

卓越的均流并联运行。

D

2

PAK

TO-220

IRGB4B60KD1 IRGS4B60KD1

TO-262

IRGSL4B60KD1

单位

V

A

绝对最大额定值

参数

V

CES

I

C

@ T

C

= 25°C

I

C

@ T

C

= 100°C

I

CM

I

LM

I

F

@ T

C

= 25°C

I

F

@ T

C

= 100°C

I

FM

V

GE

P

D

@ T

C

= 25°C

集电极 - 发射极电压

连续集电极电流

脉冲集电极电流（ Ref.Fig.C.T.5 ）

钳位感性负载电流

马克斯。

600

11

7.6

22

11

6.7

22

±20

63

31

-55到+175

c

二极管连续正向电流

二极管的最大正向电流

门极 - 发射极电压

最大功率耗散

V

W

P

D

@ T

C

= 100 ° C最大功率耗散

工作结

T

J

T

英镑

存储温度范围

存储温度范围，持续10秒。

°C

300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）的情况下）

热/机械特性

参数

R

θJC

R

θJC

R

θCS

R

θJA

R

θJA

Wt

结到案例 - IGBT

结到案例 - 二极管

案件到水槽，平面，脂表面

结到环境

重量

结到环境（ PCB安装，稳态）

分钟。

–––

典型值。

–––

0.50

–––

1.44

马克斯。

2.4

6.1

–––

62

40

–––

单位

° C / W

d

g

www.irf.com

1

8/30/04

IRGB/S/SL4B60KD1PbF

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

分钟。典型值。马克斯。单位

—

0.28

2.1

2.5

2.6

4.5

-8.1

1.7

1.0

136

722

1.4

1.3

1.2

—

2.5

2.8

2.9

5.5

—

150

600

2400

2.0

1.8

1.7

±100

nA

V

A

V

条件

V

GE

= 0V时，我

C

= 500A

Ref.Fig 。

V

（ BR ） CES

集电极 - 发射极击穿电压

600

V

（ BR ） CES

/T

J

温度COEFF 。击穿电压

—

V

CE （ON）的

V

GE （日）

V

GE （日）

/T

J

GFE

I

CES

V

FM

集电极 - 发射极电压

栅极阈值电压

阈值电压温度。系数

正向跨导

零栅极电压集电极电流

二极管的正向压降

—

3.5

—

I

GES

门极 - 发射极漏电流

—

V /°C， V

GE

= 0V时，我

C

= 1毫安（ 25 ° C- 150 ° C）

I

C

= 4.0A ，V

GE

= 15V ，T

J

= 25°C

V

I

C

= 4.0A ，V

GE

= 15V ，T

J

= 150°C

I

C

= 4.0A ，V

GE

= 15V ，T

J

= 175°C

V

CE

= V

GE

, I

C

= 250A

5,6,7

9,10,11

12

毫伏/°C， V

CE

= V

GE

, I

C

= 1毫安（ 25 ° C- 150 ° C）

s V

CE

= 50V ，我

C

= 4.0A ， PW =为80μs

V

GE

= 0V, V

CE

= 600V

V

GE

= 0V, V

CE

= 600V ，T

J

= 150°C

V

GE

= 0V, V

CE

= 600V ，T

J

= 175°C

I

F

= 4.0A

I

F

= 4.0A ，T

J

= 150°C

I

F

= 4.0A ，T

J

= 175°C

V

GE

= ±20V

8

开关特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

Q

g

Q

ge

Q

gc

E

on

E

关闭

E

合计

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

E

on

E

关闭

E

合计

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

IES

C

OES

C

水库

RBSOA

SCSOA

E

REC

t

rr

I

rr

总栅极电荷（导通）

门极 - 发射极电荷（导通）

栅极 - 集电极费（导通）

导通开关损耗

关断开关损耗

总开关损耗

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

导通开关损耗

关断开关损耗

总开关损耗

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

反向偏置安全工作区

短路安全工作区

二极管的反向恢复能量

二极管的反向恢复时间

峰值反向恢复电流

分钟。典型值。马克斯。单位

—

12

1.7

6.5

73

47

120

22

18

100

66

130

83

220

22

18

120

79

190

25

6.2

—

80

53

130

28

23

110

80

150

140

280

27

22

130

89

—

pF

V

GE

= 0V

V

CC

= 30V

ns

J

ns

J

nC

I

C

= 4.0A

V

CC

= 400V

V

GE

= 15V

条件

Ref.Fig 。

23

CT1

I

C

= 4.0A ，V

CC

= 400V

V

GE

= 15V ，R

G

= 100Ω ， L = 2.5mH

T

J

= 25°C

I

C

= 4.0A ，V

CC

= 400V

V

GE

= 15V ，R

G

= 100Ω ， L = 2.5mH

T

J

= 25°C

I

C

= 4.0A ，V

CC

= 400V

V

GE

= 15V ，R

G

= 100Ω ， L = 2.5mH

T

J

= 150°C

I

C

= 4.0A ，V

CC

= 400V

V

GE

= 15V ，R

G

= 100Ω ， L = 2.5mH

T

J

= 150°C

CT4

e

CT4

13,15

WF1,WF2

14,16

CT4

WF1

WF2

e

22

完整的正方形

10

—

81

93

6.3

—

100

—

7.9

s

J

ns

A

F = 1.0MHz的

T

J

= 150℃，我

C

= 22A ， VP = 600V

V

CC

=500V,V

GE

= + 15V为0V ，R

G

= 100

T

J

= 150 ° C， VP = 600V ，R

G

= 100

V

CC

=360V,V

GE

= + 15V至0V

T

J

= 150°C

V

CC

= 400V ，我

F

= 4.0A ， L = 2.5mH

V

GE

= 15V ，R

G

= 100

4

CT2

CT3

WF4

17,18,19

20,21

CT4,WF3

记

to

16页

2

www.irf.com

IRGB/S/SL4B60KD1PbF

12

10

8

6

4

2

0

20

40

60

80 100 120 140 160 180

T C （ ° C）

70

60

50

P合计（W）的

IC （ A）

40

30

20

10

0

20

40

60

80 100 120 140 160 180

T C （ ° C）

图。 1

- 最大直流电集电极电流与

外壳温度

图。 2

- 功耗与案例

温度

100

10

100s

10

IC A）

IC （ A）

1

1ms

0.1

10ms

DC

1

0.01

0

1

10

100

1000

10000

VCE （ V）

0

10

100

VCE （ V）

1000

图。 3

- 正向SOA

T

C

= 25°C ;吨

J

≤

150°C

图。 4

- 反向偏置SOA

T

J

= 150 ℃; V

GE

=15V

www.irf.com

3

IRGB/S/SL4B60KD1PbF

30

25

20

ICE （ A）

VGE = 18V

VGE = 15V

VGE = 12V

VGE = 10V

VGE = 8.0V

ICE （ A）

30

25

20

15

10

5

0

VGE = 18V

VGE = 15V

VGE = 12V

VGE = 10V

VGE = 8.0V

15

10

5

0

2

4

6

VCE （ V）

8

10

12

0

2

4

6

VCE （ V）

8

10

12

图。五

- 典型。 IGBT的输出特性

T

J

= -40°C ; TP =为80μs

图。 6

- 典型。 IGBT的输出特性

T

J

= 25°C ; TP =为80μs

25

20

VGE = 18V

VGE = 15V

VGE = 12V

VGE = 10V

VGE = 8.0V

35

30

25

如果（ A）

ICE （ A）

15

20

15

10

-40°C

25°C

150°C

10

5

0

2

4

6

VCE （ V）

8

10

12

0

0.0

0.5

1.0

1.5

VF （ V）

2.0

2.5

3.0

图。 7

- 典型。 IGBT的输出特性

T

J

= 150 ℃; TP =为80μs

图。 8

- 典型。二极管的正向特性

TP =为80μs

4

www.irf.com

IRGB/S/SL4B60KD1PbF

20

18

16

14

VCE （ V）

20

18

16

14

ICE = 2.0A

ICE = 4.0A

ICE = 8.0A

12

10

8

6

4

2

0

5

10

VGE （ V）

15

20

5

10

VGE （ V）

15

20

ICE = 2.0A

ICE = 4.0A

ICE = 8.0A

12

10

8

6

4

2

0

图。 9

- 典型的V

CE

与V

GE

T

J

= -40°C

图。 10

- 典型的V

CE

与V

GE

T

J

= 25°C

20

18

ID ，漏 - 源电流

(Α

)

30

16

14

VCE （ V）

25

T J = 25°C

20

12

10

8

6

4

2

0

5

10

VGE （ V）

ICE = 2.0A

ICE = 4.0A

ICE = 8.0A

15

TJ = 150℃

10

5

0

15

20

0

5

10

15

20

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

图。 11

- 典型的V

CE

与V

GE

T

J

= 150°C

图。 12

- 典型。传输特性

V

CE

= 360V ; TP = 10微秒

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5