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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第340页 > IRGS6B60K
PD - 94575A
绝缘栅双极晶体管
特点
低VCE （ ON）的非穿通IGBT技术。
为10μs短路能力。
广场RBSOA 。
积极的VCE（on ）温度系数。
C
IRGB6B60K
IRGS6B60K
IRGSL6B60K
V
CES
= 600V
I
C
= 7.0A ，T
C
=100°C
G
E
t
sc
>为10μs ，T
J
=150°C
好处
基准效率的电机控制。
坚固的瞬态性能。
低EMI。
卓越的均流并联运行。
N沟道
V
CE （ON）的
（典型值） 。 = 1.8V
TO-220AB
IRGB6B60K
D
2
PAK
IRGS6B60K
TO-262
IRGSL6B60K
绝对最大额定值
参数
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
V
GE
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极电压
连续集电极电流
连续集电极电流
集电极电流脉冲
钳位感性负载电流
门极 - 发射极电压
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒。
马克斯。
600
13
7.0
26
26
± 20
90
36
-55到+150
300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）的情况下）
单位
V
A
V
W
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θCS
R
θJA
R
θJA
Wt
结到外壳 - IGBT
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境，典型的插座安装
结到环境（ PCB安装，稳态）
重量
分钟。
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
0.50
–––
–––
1.44
马克斯。
1.4
–––
62
40
–––
单位
° C / W
g
www.irf.com
1
8/18/04
IRG/B/S/SL6B60K
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） CES
V
（ BR ） CES
/T
J
V
CE （ON）的
V
GE （日）
V
GE （日）
/
T
J
g
fe
I
CES
I
GES
参数
MIN 。 TYP 。
集电极 - 发射极击穿电压600 ---
温度COEFF 。的击穿电压0.3 ---
集电极 - 发射极饱和电压
1.5 1.80
––– 2.20
栅极阈值电压
3.5 4.5
温度COEFF 。阈值电压的-10 ---
正向跨导
––– 3.0
零栅极电压集电极电流
––– 1.0
––– 200
门极 - 发射极漏电流
––– –––
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GE
= 0V时，我
C
= 500A
--- V /°C， V
GE
= 0V时，我
C
= 1.0毫安， （ 25 ° C- 150 ° C）
2.20
V
I
C
= 5.0A ，V
GE
= 15V
2.50
I
C
= 5.0A ，V
GE
= 15V,
T
J
= 150°C
5.5
V
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
---毫伏/°C， V
CE
= V
GE
, I
C
= 1.0毫安， （ 25 ° C- 150 ° C）
–––
S
V
CE
= 50V ，我
C
= 5.0A ， PW =为80μs
150
A
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V
500
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V ，T
J
= 150°C
±100 nA的
V
GE
= ±20V
Ref.Fig 。
5, 6,7
8,9,10
8,9,10
11
开关特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
Qg
QGE
QGC
E
on
E
关闭
E
合计
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
合计
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
IES
C
OES
C
水库
RBSOA
SCSOA
参数
总栅极电荷（导通）
门 - 发射极电荷（导通）
门 - 收集电荷（导通）
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
反向偏压安全Operting区
短路安全Operting区
分钟。
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
MAX 。单位
条件
–––
I
C
= 5.0A
–––
nC
V
CC
= 400V
–––
V
GE
= 15V
210
J
I
C
= 5.0A ，V
CC
= 400V
245
V
GE
= 15V ，R
G
= 100Ω ， L = 1.4mH
455
LS = 150nH
T
J
= 25°C
34
I
C
= 5.0A ，V
CC
= 400V
26
V
GE
= 15V ，R
G
= 100Ω L = 1.4mH
230
ns
LS = 150nH ，T
J
= 25°C
22
260
I
C
= 5.0A ，V
CC
= 400V
300
J
V
GE
= 15V ，R
G
= 100Ω ， L = 1.4mH
560
LS = 150nH
T
J
= 150°C
37
I
C
= 5.0A ，V
CC
= 400V
26
V
GE
= 15V ，R
G
= 100Ω L = 1.4mH
255
ns
LS = 150nH ，T
J
= 150°C
27
–––
V
GE
= 0V
–––
pF
V
CC
= 30V
–––
F = 1.0MHz的
T
J
= 150℃，我
C
= 26A ， VP = 600V
完整的正方形
V
CC
= 500V, V
GE
= + 15V为0V ，
R
G
= 100
s
T
J
= 150 ° C， VP = 600V ，R
G
= 100
10 ––– –––
V
CC
= 360V, V
GE
= + 15V至0V
典型值。
18.2
1.9
9.2
110
135
245
25
17
215
13.2
150
190
340
28
17
240
18
290
34
10
Ref.Fig 。
17
CT1
CT4
CT4
CT4
12,14
WF1WF2
13, 15
CT4
WF1
WF2
16
4
CT2
CT3
WF3
记
to
13页
2
www.irf.com
IRG/B/S/SL6B60K
15
100
90
80
10
P合计（W）的
IC （ A）
70
60
50
40
30
20
10
5
0
0
20
40
60
80
100 120 140 160
T C （ ° C）
0
0
20
40
60
80
100 120 140 160
T C （ ° C）
图。 1
- 最大直流电集电极电流与
外壳温度
图。 2
- 功耗与案例
温度
100
100
10
10 s
IC （ A）
IC A）
10
1
100 s
DC
1ms
0.1
1
10
100
VCE （ V）
1000
10000
1
0
10
100
1000
VCE （ V）
图。 3
- 正向SOA
T
C
= 25°C ;吨
J
≤
150°C
图。 4
- 反向偏置SOA
T
J
= 150 ℃; V
GE
=15V
www.irf.com
3
IRG/B/S/SL6B60K
20
18
16
14
ICE （ A）
20
VGE
VGE
VGE
VGE
VGE
= 18V
= 15V
= 12V
= 10V
= 8.0V
ICE （ A）
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
12
10
8
6
4
2
0
0
VGE
VGE
VGE
VGE
VGE
= 18V
= 15V
= 12V
= 10V
= 8.0V
1
2
3
VCE （ V）
4
5
6
0
1
2
3
VCE （ V）
4
5
6
图。五
- 典型。 IGBT的输出特性
T
J
= -40°C ; TP =为80μs
图。 6
- 典型。 IGBT的输出特性
T
J
= 25°C ; TP =为80μs
20
18
16
14
ICE （ A）
12
10
8
6
4
2
0
0
VGE = 18V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 8.0V
1
2
3
VCE （ V）
4
5
6
图。 7
- 典型。 IGBT的输出特性
T
J
= 150 ℃; TP =为80μs
4
www.irf.com
IRG/B/S/SL6B60K
20
18
16
14
VCE （ V）
VCE （ V）
20
18
16
14
ICE = 3.0A
ICE = 5.0A
ICE = 10A
12
10
8
6
4
2
0
5
10
VGE （ V）
15
20
5
10
VGE （ V）
15
20
ICE = 3.0A
ICE = 5.0A
ICE = 10A
12
10
8
6
4
2
0
图。 8
- 典型的V
CE
与V
GE
T
J
= -40°C
图。 9
- 典型的V
CE
与V
GE
T
J
= 25°C
20
18
16
14
VCE （ V）
40
35
30
ICE = 3.0A
ICE = 5.0A
ICE = 10A
T J = 25°C
T J = 150℃
10
8
6
4
2
0
5
10
VGE （ V）
ICE （ A）
12
25
20
15
10
5
T J = 150℃
T J = 25°C
0
5
10
VGE （ V）
15
20
15
20
0
图。 10
- 典型的V
CE
与V
GE
T
J
= 150°C
图。 11
- 典型。传输特性
V
CE
= 50V ; TP = 10微秒
www.irf.com
5
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ispLSI1016-60LT
IDD-2412
IDT54FCT2257CTEB
ISL21032DPH306Z
ISL90727WIE6Z
IRKT71-12
IRKUF71-12FK
IDT7134L45L52
IDT54FCT241CE
IS61C64B-10T
IDT74FCT138T
IRKLF131-04CL
IDT71256L100DB
ISPLSI2064A-80LJ84
IRKK92-16
ICL7676MJA
IRKHF72-06FP
ISP1362EE
IDT7205L20TPGI
IDT74FCT2640TPY
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    IRGS6B60K
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